专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN201811085098.X在审
  • 洪炯硕;金硕埙;李仁熙;李惠兰 - 三星电子株式会社
  • 2018-09-18 - 2019-04-02 - H01L27/092
  • 所提供的半导体器件可以包括具有NMOS区和PMOS区的衬底,以及在NMOS区中的第一晶体管,该第一晶体管包括第一栅极堆叠和在第一栅极堆叠的至少一侧上的第一源极/漏极区。该半导体器件还可以包括在PMOS区中的第二晶体管,该第二晶体管包括第二栅极堆叠和在第二栅极堆叠的至少一侧上的第二源极/漏极区。第一栅极堆叠可以包括可以顺序层叠的第一绝缘膜、第一厚度的第一栅电极层、附加栅电极层、以及第一硅层。第二栅极堆叠可以包括可以顺序层叠的第二绝缘膜、大于第一厚度的第二厚度的第四栅电极层、附加栅电极层和第二硅层。
  • 栅极堆叠栅电极层晶体管半导体器件源极/漏极区绝缘膜硅层衬底

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