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[发明专利]压电层叠体、压电元件及压电层叠体的制造方法-CN202310141311.9在审
发明人： 望月文彦;小林宏之;向山明博 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：本发明涉及压电层叠体、压电元件及压电层叠体的制造方法，获得一种长期可靠性优异的压电层叠体及压电元件。所述压电层叠体依次具备下部电极层、及包含含Pb钙钛矿型氧化物的压电膜，所述压电膜中，包含作为构成元素的氧超过自然丰度的质量数为18的氧原子18O。
压电层叠元件制造方法

[发明专利]压电层叠体、压电元件及压电层叠体的制造方法-CN202211380382.6在审
发明人：小林宏之;望月文彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：本发明涉及压电层叠体、压电元件及压电层叠体的制造方法。本发明获得一种提高压电特性及驱动稳定性的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层、及以钙钛矿型氧化物为主要成分的压电膜。压电膜在与下部电极层接触的区域具有氧缺损区域，将在沿厚度方向将压电膜三等分的3个区域中位于中央的区域中的氧含量的平均值设为第1平均氧含量，将氧缺损区域中的氧含量的平均值设为第2平均氧含量的情况下，第2平均氧含量与第1平均氧含量之比R小于0.97，氧缺损区域的厚度为120nm以上，且为整个压电膜的厚度的1/3以下。
压电层叠元件制造方法

[发明专利]压电层叠体及压电元件-CN202210977798.X在审
发明人： 望月文彦;佐佐木勉 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10N30/87 文献下载
摘要：本发明涉及压电层叠体及压电元件。本发明提供一种能够抑制压电特性的下降，且与以往相比能够更加抑制制造成本的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层和包含钙钛矿型氧化物的压电膜，下部电极层包含Ta元素，并且在下部电极层的厚度方向上，在最靠近压电膜侧包含Ta氮化物，并且还包括Ta元素的含量沿厚度方向变化的区域，且厚度方向上的Ta元素的含量的变化是连续的。
压电层叠元件

[发明专利]压电层叠体及压电元件-CN202210978072.8在审
发明人：佐佐木勉;望月文彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10N30/87 文献下载
摘要：本发明涉及压电层叠体及压电元件。本发明提供一种能够抑制压电特性的下降，且与以往相比能够更加抑制制造成本的压电层叠体及压电元件。压电层叠体及压电元件在基板上依次具备下部电极层和包含钙钛矿型氧化物的压电膜，下部电极层包括包含Ni的金属层和包含Ni氧化物或Ni氧氮化物的表面层，在下部电极层中，表面层配置于最靠近压电膜侧。
压电层叠元件

[发明专利]谐振式传感器-CN201880047745.X有效
发明人：弘中幸治;望月文彦;高久浩二 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01N5/02 文献下载
摘要：本发明的课题为提供一种对系统中以低浓度含有的检测对象成分的灵敏度和选择性优异的谐振式传感器。本发明的谐振式传感器具有含有高分子的受容层，所述高分子具有以式(1)所表示的重复单元。式中，R1是烷基。多个R1可以彼此相同，也可以不同。R2是氢原子、烷基或芳基。
谐振传感器

[发明专利]传感器-CN201880040589.4在审
发明人：弘中幸治;望月文彦;高久浩二 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G01N5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对酮类化合物的灵敏度和选择性优异的传感器。本发明的传感器具有含有高分子的受容层，并检测酮类化合物，所述高分子具有以通式(1)所表示的重复单元。
酮类化合物传感器灵敏度检测

[发明专利]场效晶体管的制造方法及场效晶体管、显示装置、图像传感器及X射线传感器-CN201280035996.9有效
发明人：小野雅司;高田真宏;望月文彦;田中淳;铃木真之 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种场效晶体管的制造方法，其使照射光时的TFT特性稳定化。所述场效晶体管的制造方法包括：第一步骤，在配置于栅极(14)上的栅极绝缘层(16)上，使第一氧化物半导体膜(24)成膜；第二步骤，使第二氧化物半导体膜(26)成膜，第二氧化物半导体膜(26)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第三步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；第四步骤，使第三氧化物半导体膜(28)成膜，第三氧化物半导体膜(28)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第五步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及电极形成步骤，在第三氧化物半导体膜(28)上形成源极(20)及漏极(22)。
晶体管制造方法显示装置图像传感器射线传感器

[发明专利]非晶态氧化物半导体材料、场效应晶体管和显示装置-CN201010255843.8有效
发明人：滨威史;铃木真之;田中淳;望月文彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶态氧化物半导体材料，场效应晶体管和显示装置。所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b-3.2，并且c＞-5b+8，并且1≤c≤2。
晶态氧化物半导体材料场效应晶体管显示装置

[发明专利]压电器件及液体喷头-CN200810168097.1有效
发明人：菱沼庆一;望月文彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2008-09-27 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：提供一种高性能压电器件，具有良好的耐湿性，可有效防止水分向压电膜进入。上述压电器件的特征在于包括：基板；第一电极，成膜在上述基板上；压电膜，通过气相生长法成膜在上述第一电极上的至少一部分；第二电极，成膜在上述压电膜上，该第二电极的水蒸气透过率在1g/m²/day以下；以及至少一层的保护膜，至少覆盖上述第二电极及上述压电膜的周缘部，且在与除了上述周缘部以外的上述压电膜对应的位置具有开口。
压电器件液体喷头

[发明专利]微机械调制装置,微机械调制装置阵列，成像设备和设计微机械调制装置的方法-CN200710092100.1无效
发明人：荻洼真也;木村宏一;望月文彦;中村博亲 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2007-04-04 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：一种微机电调制装置，包括多个于此定义的可移动部分，以及多个于此定义的驱动部分，其中设置于此定义的动态拉入电压小于于此定义的保持电压，并且驱动部分通过驱动电压来驱动可移动部分，所述驱动电压大于或等于保持电压，其值小于或等于10V。
微机调制装置阵列成像设备设计方法

[发明专利]微机电装置及阵列、光调制装置及阵列和图像形成设备-CN200710085000.6无效
发明人：荻洼真也;木村宏一;望月文彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明公开了微机电装置及阵列、光调制装置及阵列和图像形成设备。过渡时间是从可移动部分沿第一方向旋转移位且停止的状态开始到驱动部分向可移动部分施加物理作用力来沿不同于第一方向的第二方向旋转移位可移动部分并且可移动部分到达最终位移位置的状态的时间。弹性支持部分的弹性力值和过渡时间具有的关系是，当弹性支持部分的弹性力值等于特定值时，过渡时间取局部最大值。弹性支持部分的弹性力值等于或者小于过渡时间取局部最大值时的所述特定值。
微机装置阵列调制图像形成设备

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