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[发明专利]功率放大电路-CN201811128026.9有效
发明人： 曾我高志 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种在宽频带可抑制增益的线性劣化的功率放大电路，功率放大电路具备：第1晶体管，放大第1信号而输出第2信号；第2晶体管，放大与第2信号相应的信号而输出第3信号；第3晶体管，向第1晶体管的基极提供第1偏置电流或者电压；和第4晶体管，向第2晶体管的基极提供第2偏置电流或者电压，第3晶体管的发射极面积相对于第1晶体管的发射极面积的比例大于第4晶体管的发射极面积相对于第2晶体管的发射极面积的比例。
功率放大电路

[发明专利]功率放大电路-CN202210714732.1在审
发明人： 曾我高志;大奈路勉 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高输出功率的控制性的功率放大电路。功率放大电路(10)具有：晶体管(101)，在基极被供给偏置电流(IB1)，将输入信号(RFin)放大并输出电流(I1)；晶体管(102)，基极与晶体管(101)的基极连接，在集电极被输入与电流(I1)相应的电流(I2)；以及晶体管(103)，输出对偏置电流(IB1)的供给进行控制的偏置控制信号，功率放大电路(10)还具备：控制电路(104)，与晶体管(102)的集电极以及晶体管(103)的栅极连接，并根据基于参照信号(Vramp)的参照电流(I3)以及电流(I2)对偏置控制信号进行控制。
功率放大电路

[发明专利]偏置电路-CN202010656170.0有效
发明人： 曾我高志 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：提供一种能够提高信号放大的线性度的偏置电路。偏置电路具备第1至第4晶体管和相位补偿电路，在第1晶体管中，基准电流或电压被供给到第1端子，第1端子和第2端子连接，在第2晶体管中，第1端子与第1晶体管的第3端子连接，第3端子连接于接地，在第3晶体管中，电源电压被供给到第1端子，第2端子与第1晶体管的第1端子连接，从第3端子向放大晶体管供给偏置电流或电压，在第4晶体管中，第1端子与第3晶体管的第3端子连接，第2端子与第2晶体管的第2端子连接，第3端子连接于接地，相位补偿电路设置在从第4晶体管经由第2和第1晶体管到达第3晶体管的路径上。
偏置电路

[发明专利]功率放大模块-CN201610548247.6有效
发明人：石原翔太;岛宗祐介;曾我高志;森泽文雅;小野生幸;安达徹朗 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明提供进行发送信号的斜率控制的功率放大模块，对电路规模的增大进行抑制。功率放大模块包括：放大用晶体管，将恒定的电源电压提供给该放大用晶体管的集电极，并将偏置电流提供给该放大用晶体管的基极，所述放大用晶体管将输入基极的输入信号进行放大并从集电极输出放大信号；第一电流源，该第一电流源输出与用于控制放大信号的信号电平的电平控制电压相应的第一电流；以及偏置用晶体管，将第一电流提供给该偏置用晶体管的集电极，将偏置控制电压连接至该偏置用晶体管的基极，并从该偏置用晶体管的发射极输出偏置电流。
功率放大模块

[发明专利]功率放大电路-CN202010583567.1在审
发明人： 曾我高志 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：提供一种功率放大电路，能够对伴随着输入功率的增大的线性劣化进行抑制。功率放大电路，具备：放大晶体管，其对输入信号进行放大；电阻元件，其与放大晶体管的基极串联连接；偏置晶体管，其从发射极或者源极经过电阻元件将偏置电流供给到放大晶体管的基极；以及反馈电路，其使偏置晶体管的基极电压或者栅极电压变动，以便追随于被供给到放大晶体管的基极的偏置电流的变动。
功率放大电路

[发明专利]功率放大电路-CN201710872537.0有效
发明人：田中聪;长谷昌俊;本多悠里;渡边一雄;曾我高志 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制电路规模的增大，并且实现最大输出功率的增大的功率放大电路。本发明的功率放大电路包括：第一晶体管；第二晶体管；第一偏置电路，其提供第一偏置电流或电压；第二偏置电路，其提供第二偏置电流或电压；第一电感器；以及第一电容器，对第一晶体管的集电极提供电源电压，第一晶体管的发射极接地，对第一晶体管的基极提供无线频率信号以及第一偏置电流或电压，对第二晶体管的集电极提供电源电压，第二晶体管的发射极通过第一电容器与第一晶体管的集电极连接，并且通过第一电感器接地，对第二晶体管的基极提供第二偏置电流或电压，从第二晶体管的集电极输出将无线频率信号放大后的放大信号。
晶体管功率放大电路偏置电流无线频率信号第一电容器电源电压偏置电路电感器集电极最大输出功率发射极接地集电极连接集电极输出放大信号抑制电路发射极增大的接地放大

[发明专利]功率放大模块-CN201480002450.2有效
发明人：石本一彦;曾我高志 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-07-04 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：本发明不依赖用于向功率放大电路供电的结构，限制流过功率放大电路的电流。功率放大模块，包括第一放大晶体管，该第一放大晶体管放大并输出无线频率信号；第二放大晶体管，该第二放大晶体管与第一放大晶体管并联连接，且比第一放大晶体管的尺寸小；偏置电路，该偏置电路向第一放大晶体管以及第二放大晶体管提供偏置电压或偏置电流；电流检测电路，该电流检测电路检测流过第二放大晶体管的电流；以及偏置控制电路，该偏置控制电路根据电流检测电路的检测结果，对从偏置电路提供至第一放大晶体管以及第二放大晶体管的偏置电压或偏置电流进行控制。
功率放大模块

[发明专利]RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块-CN201210270190.X有效
发明人：长谷昌俊;伊藤雅广;曾我高志;田中聪 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前后级放大器的无功电流和增益分别按第一连续函数(2ndAmp)、第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。
rf 功率放大电路使用模块

[发明专利]RF功率放大电路和使用该电路的RF功率模块-CN201010148514.3无效
发明人：长谷昌俊;伊藤雅广;曾我高志;田中聪 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H03F3/24 文献下载
摘要：一种RF功率放大电路。RF功率放大电路(313)具备前级放大器(310)、后级放大器(311)、控制部(312)。前级放大器响应于RF发送输入信号(Pin)，后级放大器响应于前级放大器输出的放大信号。控制部响应于输出功率控制电压(Vapc)对前级放大器和后级放大器的无功电流进行控制，从而控制前级放大器和后级放大器的增益。响应于输出功率控制电压，前级放大器的无功电流和增益按第一连续函数(2ndAmp)连续变化，后级放大器的无功电流和增益按第二连续函数(3rdAmp)连续变化。第二连续函数比第一连续函数高一次以上的函数。减轻包含多级放大级的RF功率放大电路的低功率和中间功率时的功率附加效率(PAE)的降低。
rf 功率放大电路使用模块

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