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[发明专利]一种黄花白芨的鉴别方法-CN201710986339.7有效
发明人：刘红美;张洁;刘显义;张婷婷;曾丽娜 -专利权人：贵州医科大学
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： C12Q1/6895 文献下载
摘要：本发明公开了一种黄花白芨的鉴别方法，属于中药材鉴别技术领域，该方法包括以下步骤：挑选一批不同种类的黄花白芨和紫花白芨，采用CTAB方法分别抽提白芨个体基因组DNA，然后设计引物对白芨核糖体大亚基基因的D1‑D3区DNA序列进行扩增、克隆、测序和序列比对，确定待测SNP位点；进而针对待测SNP位点设计特异性的PCR扩增引物进行PCR扩增，验证SNP位点，得出标准数据；最后采用PCR扩增引物对待测样本的DNA进行扩增，并根据扩增产物在PCR扩增电泳图中目的条带的有无确定待测样本的SNP位点基因型，与标准数据相比较，从而判定待测样品是黄花白芨还是紫花白芨。
一种黄花白芨鉴别方法

[发明专利]一种装夹整个半导体激光芯片的解离bar条镀膜夹具-CN202011066859.4在审
发明人：李再金;陈浩;赵志斌;李林;曲轶;曾丽娜;乔忠良;刘国军;张铁民;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-10-03 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种装夹整个半导体激光芯片的解离bar条镀膜夹具，包括：底板1，固定板2，固定板3，顶板4；底板1包括：定位孔1‑1、定位孔1‑2、定位孔1‑3和定位孔1‑4；顶板4包括：定位孔4‑1、定位孔4‑2、定位孔4‑3、定位孔4‑4、固定孔4‑5和固定孔4‑6；在底板1上装夹有两个夹持条辅助装夹的不同长度的整个半导体激光芯片的解离半导体激光bar条，装夹后将固定板2和固定板3放在恰当位置，通过固定孔4‑5和固定孔4‑6将其固定，最后通过定位孔4‑1和定位孔1‑1、定位孔4‑2和定位孔1‑2、定位孔4‑3和定位孔1‑3、定位孔4‑4和定位孔1‑4两两匹配将顶板4固定在底板1上；装夹完毕，准备镀膜。
一种整个半导体激光芯片解离 bar 镀膜夹具

[发明专利]一种装夹三种不同长度的半导体激光bar条镀膜夹具-CN202011066845.2在审
发明人：李再金;陈浩;赵志斌;李林;曲轶;曾丽娜;乔忠良;刘国军;张铁民;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-10-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种装夹三种不同长度的半导体激光bar条镀膜夹具，包括：定位板1，固定滑板2，固定滑板3，盖板4；定位板1包括：定位孔1‑1、定位孔1‑2、定位孔1‑3和定位孔1‑4；盖板4包括：定位孔4‑1、定位孔4‑2、定位孔4‑3、定位孔4‑4、固定孔4‑5、固定孔4‑6、固定孔4‑7和固定孔4‑8；在定位板1上装夹三种不同长度的半导体激光bar条，装夹后将固定滑板2和固定滑板3放在恰当位置，通过固定孔4‑5、固定孔4‑6、固定孔4‑7和固定孔4‑8将其固定，最后通过定位孔4‑1和定位孔1‑1、定位孔4‑2和定位孔1‑2、定位孔4‑3和定位孔1‑3、定位孔4‑4和定位孔1‑4两两匹配将盖板4固定在定位板1上；装夹完毕，准备镀膜。
一种装夹三种不同长度半导体激光 bar 镀膜夹具

[发明专利]一种装夹相同长度不同腔长半导体激光bar条镀膜夹具-CN202011066861.1在审
发明人：李再金;陈浩;赵志斌;李林;曲轶;曾丽娜;乔忠良;刘国军;张铁民;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-10-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种装夹相同长度不同腔长半导体激光bar条镀膜夹具，包括：滑道板1，滑道2，固定板3，若干夹持条4；滑道板1包括：固定孔1‑1、1‑2、1‑3和1‑4，滑道2和中间裸露的镀膜区；滑道2包括：八对两两对称的相同尺寸的滑道；固定板3包括：固定孔3‑1、3‑2、3‑3和3‑4，以及中间裸露的镀膜区；若干夹持条4为长度等于bar条长度、宽度为1mm和高度等于bar条腔长的长方体，每个bar条需要两个夹持条。在滑道2里装夹用两个相匹配的夹持条夹持的“相同长度不同腔长半导体激光bar条”，装夹bar条的最大腔长等于滑道的长度。装夹后通过固定孔1‑1和固定孔3‑1、固定孔1‑2和固定孔3‑2、固定孔1‑3和固定孔3‑3、固定孔1‑4和固定孔3‑4固定，装夹完毕，以备镀膜。
一种相同长度不同半导体激光 bar 镀膜夹具

[发明专利]一种装夹不同长度不同腔长半导体激光bar条镀膜夹具-CN202011066862.6在审
发明人：李再金;陈浩;赵志斌;李林;曲轶;曾丽娜;乔忠良;刘国军;张铁民;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-10-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种装夹不同长度不同腔长半导体激光bar条镀膜夹具，包括：台阶滑道板1，台阶板2，台阶滑道3，若干夹持条4；台阶滑道板1包括：定位孔1‑1、1‑2、1‑3和1‑4，台阶滑道3和中间裸露的镀膜区；台阶板2包括：定位孔2‑1、2‑2、2‑3和2‑4，以及中间裸露的镀膜区；台阶滑道3包括：十对两两对称的尺寸相同的台阶滑道；若干夹持条4为长度等于bar条长度、宽度为1mm和高度等于bar条腔长的长方体，每个bar条需要两个夹持条夹持。在台阶滑道3里装夹用两个相匹配的夹持条夹持的“不同长度不同腔长半导体激光bar条”。装夹后通过定位孔1‑1和定位孔2‑1、定位孔1‑2和定位孔2‑2、定位孔1‑3和定位孔2‑3、定位孔1‑4和定位孔2‑4固定，装夹完毕，以备镀膜。
一种不同长度半导体激光 bar 镀膜夹具

[实用新型]一种260nm紫外激光发射装置-CN202020880052.3有效
发明人：李再金;李林;曲轶;乔忠良;赵志斌;曾丽娜;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种260nm紫外激光发射装置。包括520nm半导体激光器；520nm聚焦镜，其前后表面镀112nm T/62nm S/97nm T/60nm S光学膜；CLBO倍频晶体，前表面镀28nm H/41nm S/39nm H/47nm S/28nm H/41nm S/39nm H/47nm S/28nm H/41nm S/39nm H/48nm S/28nm H/40nm S/39nm H/48nm S/28nm H/40nm S/39nm H/48nm S/27nm H和后表面镀76nm H/24nm S/39nm H/44nm S光学膜；体光栅，前表面镀74nm H/96nm S/62nm H/94nm S/64nm H/88nm S/69nm H/83nm S/73nm H/81nm S/74nm H/81nm S/73nm H/84nm S/69nm H/90nm S/59nm H/103nm S/50nm H/114nm S/73nm H和后表面镀77nm H/19nm S/41nm H/45nm S光学膜。该装置实现了260nm紫外激光发射。（注：T‑TiO2、S‑SiO2和H‑HfO2）。
一种 260 nm 紫外激光发射装置

[实用新型]一种发射波长228nm全固态激光装置-CN202020880181.2有效
发明人：李再金;曲轶;李林;乔忠良;赵志斌;曾丽娜;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01S3/0933 文献下载
摘要：本发明公开了一种发射波长228nm全固态激光装置，包括808nm半导体激光器；808nm聚焦镜；Nd:YVO4激光晶体；平面镜；LBO晶体；平凹镜A；BBO晶体；平凹镜B；228nm滤光片。808nm半导体激光器发射的808nm激光通过808nm聚焦镜将808nm激光聚焦到Nd:YVO4激光晶体中，Nd:YVO4激光晶体通过808nm激光泵浦发射914nm激光；914nm激光通过平面镜，再通过LBO倍频晶体倍频产生457nm激光；457nm激光通过平凹镜A反射，再通过BBO倍频晶体产生228nm激光；228nm激光通过平凹镜B反射，再依次通过BBO倍频晶体和平凹镜A，最后通过228nm滤光片发射228nm全固态激光。
一种发射波长 228 nm 固态激光装置

[实用新型]一种深紫外波长激光发射装置-CN202020880357.4有效
发明人：李再金;曲轶;李林;乔忠良;赵志斌;曾丽娜;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01S3/0933 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外波长激光发射装置，包括808nm半导体激光器；808nm聚焦镜；Nd:YVO4激光晶体；平面镜；LBO倍频；平凹镜A；CLBO倍频晶体；平凹镜B；228.5nm滤光片。808nm半导体激光器发射的808nm激光通过808nm聚焦镜将808nm激光聚焦到Nd:YVO4激光晶体中，Nd:YVO4激光晶体通过808nm激光泵浦发射914nm激光；914nm激光通过平面镜反射，再通过LBO倍频晶体倍频产生457nm激光；457nm激光通过平凹镜A反射，依次通过LBO倍频晶体和平面镜，再通过CLBO倍频晶体倍频产生新波长228.5nm激光；新波长228.5nm激光通过输出镜平凹镜B，最后通过228.5nm滤光片发射新波长228.5nm深紫外激光。
一种深紫波长激光发射装置

[实用新型]一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器-CN202020881623.5有效
发明人：李林;曾丽娜;李再金;乔忠良;李功捷;赵志斌;杨红;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-24 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种面发射半导体激光器。一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器结构，由蓝宝石衬底，缓冲层，第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结层，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层，第二底部DBR层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部DBR层，盖层，第三底部DBR层，第三下势垒层，第三有源层，第三上势垒层，第三顶部DBR层和窗口层组成。该结构由外延生长同质结DBR来实现高反射率的面发射激光器谐振腔，无需高反射率的谐振腔镀膜工艺，从而能够保证获得高质量的腔镜材料。
一种紧凑型波长垂直发射半导体激光器

[实用新型]一种多周期GaAs基线中点纳米线阵列-CN202020566613.2有效
发明人： 曾丽娜;李林;李再金;杨红;李功捷;李志波;乔忠良;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种多周期GaAs基线中点纳米线阵列结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B衬底材料；一掩膜层，为SiO2材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs量子点，与GaAs形成轴向异质结，为InxGa1‑xAs材料（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长，与InGaAs形成轴向异质结；一GaAs层，径向生长，与InGaAs形成径向异质结；一GaAs层，轴向生长；一InGaAs量子点，材料为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长；一GaAs层，径向生长；一GaAs层，轴向生长。以此类推，外延生长多周期的GaAs基线中点纳米线阵列。
一种周期 gaas 基线中点纳米阵列

[实用新型]一种多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线-CN202020567468.X有效
发明人： 曾丽娜;李林;李再金;杨红;李功捷;李志波;任永学;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B面的衬底材料，该衬底用于在其上外延生长纳米线各层材料；一掩膜层，用于形成图型衬底，为纳米线生长提供孔隙阵列并覆盖住相邻纳米线之间的间隙，为SiO2材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs纳米线，与GaAs形成径向异质结，为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）材料；一GaAs层；第一应变补偿层，材料为GaAsyP1‑y（0.01≤y≤1）；一GaAs层；一InGaAs纳米线层，材料为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层；第二应变补偿层，材料为GaAsyP1‑y（0.01≤y≤1）；一GaAs层。以此类推，外延生长多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线。
一种周期应变补偿 ingaas gaas 纳米

[实用新型]一种定位外延生长的壳塔形GaAs/InGaAs纳米线阵列-CN202020568787.2有效
发明人：李林;曾丽娜;李再金;赵志斌;乔忠良;李功捷;杨红;任永学;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种定位外延生长的壳塔形GaAs/InGaAs纳米线阵列结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B衬底材料，该衬底用于在其上外延生长纳米线各层材料；一掩膜层，用于形成图型衬底，为纳米线生长提供孔隙阵列并覆盖住相邻纳米线之间的间隙，为SiO2材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs纳米线，与GaAs形成轴向异质结，为InxGa1‑xAs材料（0.01≤x≤1）；一GaAs层，与InGaAs形成轴向异质结；一GaAs层，径向生长，与InGaAs形成径向异质结；一GaAs层，轴向生长；一InGaAs纳米线，材料为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长；一GaAs层，径向生长；一GaAs层，轴向生长。以此类推，外延生长多周期壳塔形GaAs/InGaAs纳米线阵列。
一种定位外延生长壳塔形 gaas ingaas 纳米阵列

[实用新型]一种硅光电二极管的光谱响应测量装置-CN201921911190.7有效
发明人：李林;曾丽娜;李再金;乔忠良;赵志斌;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅光电二极管的光谱响应测量装置,该装置包括白光光源、光学调制盘、准直透镜、可调离轴抛物镜、平面光栅、可调微透镜、可变光阑、准直透镜、热释电探测器、锁相放大器和计算机。本实用新型能对入射光波长为400nm至1050nm硅光电二极管的光谱响应曲线快速测量，能一次性得出准确硅光电二极管的光谱响应曲线。
一种光电二极管光谱响应测量装置

[实用新型]一种绿光垂直腔面发射半导体激光器-CN202020101107.6有效
发明人：李林;曾丽娜;李再金;乔忠良;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种绿光垂直腔面发射半导体激光器的技术方案，该方案包括有蓝宝石衬底，缓冲层，第一底部分布布拉格反射镜层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部分布布拉格反射镜层，欧姆接触层，第二底部分布布拉格反射镜层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部分布布拉格反射镜层和窗口层。本实用新型提出一种绿光垂直腔面发射半导体激光器结构，由一次外延生长来实现有源层、高反射率分布布拉格反射镜层在内的绿光垂直腔面发射半导体激光器完整外延结构，无需二次外延生长，从而能够保证获得高质量的绿光垂直腔面发射半导体激光器外延材料。
一种垂直发射半导体激光器

[发明专利]一种260nm紫外激光发射装置-CN202010444765.X在审
发明人：李再金;李林;曲轶;乔忠良;赵志斌;曾丽娜;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种260nm紫外激光发射装置。包括520nm半导体激光器；520nm聚焦镜，其前后表面镀112nm T/62nm S/97nm T/60nm S光学膜；CLBO倍频晶体，前表面镀28nm H/41nm S/39nm H/47nm S/28nm H/41nm S/39nm H/47nm S/28nm H/41nm S/39nm H/48nm S/28nm H/40nm S/39nm H/48nm S/28nm H/40nm S/39nm H/48nm S/27nm H和后表面镀76nm H/24nm S/39nm H/44nm S光学膜；体光栅，前表面镀74nm H/96nm S/62nm H/94nm S/64nm H/88nm S/69nm H/83nm S/73nm H/81nm S/74nm H/81nm S/73nm H/84nm S/69nm H/90nm S/59nm H/103nm S/50nm H/114nm S/73nm H和后表面镀77nm H/19nm S/41nm H/45nm S光学膜。该装置实现了260nm紫外激光发射。（注：T‑TiO2、S‑SiO2和H‑HfO2）。
一种 260 nm 紫外激光发射装置