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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN201810358928.5有效
发明人： 曹诚汉;姜信焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：提供了一种包括堆叠结构的半导体器件。包括多个栅电极的堆叠结构垂直地堆叠在衬底上并在第一方向上延伸。沟道结构包括穿透堆叠结构的垂直沟道以及连接垂直沟道的水平沟道。水平沟道被提供在堆叠结构下方。第一下布线图案设置在衬底与堆叠结构之间并电连接到沟道结构。每个第一下布线图案包括在第一方向上具有彼此不同宽度的第一部分和第二部分。每个第一下布线图案在交叉第一方向的第二方向上延伸并在第二方向上跨过堆叠结构。
半导体器件

[发明专利]三维半导体器件-CN201910461808.2在审
发明人：郑煐陈;印炯烈;曹诚汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种三维半导体器件包括经过第一沟道结构和第二沟道结构之间以及第一虚设沟道结构和第二虚设沟道结构之间的公共源极线，其中公共源极线和第一沟道结构之间在第一方向上的距离等于公共源极线和第二沟道结构之间在第一方向上的距离，并且公共源极线和第一虚设沟道结构之间在第一方向上的距离不同于公共源极线和第二虚设沟道结构之间在第一方向上的距离。
三维半导体器件

[发明专利]半导体存储器件-CN201910283785.0在审
发明人：郑煐陈;曹诚汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器件，其包括：基板，包括单元阵列区域和焊盘区域；堆叠结构，设置在基板的单元阵列区域和焊盘区域上，并包括栅电极；器件隔离层，与堆叠结构垂直地交叠并设置在基板的焊盘区域中；虚设垂直沟道部分，在基板的焊盘区域上穿进堆叠结构并设置在器件隔离层中；以及虚设半导体柱，设置在虚设垂直沟道部分和基板的与器件隔离层的一个侧壁接触的一部分之间。
基板焊盘区域器件隔离层堆叠结构半导体存储器件单元阵列区域虚设垂直沟道半导体柱侧壁接触垂直地栅电极交叠

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