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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202211222946.3在审
  • 朴圣根;曹明宽 - 爱思开海力士有限公司
  • 2022-10-08 - 2023-10-03 - G11C16/08
  • 本文提供了存储器设备及其操作方法。该存储器设备可以包括：存储器单元串，包括与多条字线耦合的多个存储器单元；外围电路，被配置为执行将操作电压施加到被选择的字线的操作，并且将通过电压施加到多条字线之中的未被选择的字线的操作；以及操作控制器，被配置为控制外围电路以在操作已被执行之后执行放电操作，该放电操作从相对于存储器单元串位于中心部分的至少一条中心字线，到多条字线之中相对于存储器单元串而位于最外部分、与选择线相邻的字线，依次降低多条字线的电压。
  • 存储器设备及其操作方法
  • [发明专利]半导体存储器装置及其制造方法-CN202111676107.4在审
  • 李南宰;曹明宽 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-10-18 - H01L27/11582
  • 本申请涉及半导体存储器装置及其制造方法。本文可以提供一种半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：具有互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的基板；栅极层叠体，其具有在垂直方向上交替地层叠在基板上的层间绝缘层和导电图案；多个沟道结构，其穿过栅极层叠体，每个沟道结构具有突出到栅极层叠体上方的第一端部；以及多个导电层，其设置在栅极层叠体上方。多个导电层中的每一个与所述沟道结构中的至少一个的第一端部接触。
  • 半导体存储器装置及其制造方法
  • [发明专利]集成电路器件及其制造方法-CN200410003216.X有效
  • 朴曾焕;曹明宽 - 三星电子株式会社
  • 2004-02-02 - 2004-08-11 - H01L27/02
  • 本发明提供一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：集成电路衬底；位于该衬底中的第一、第二和第三隔离绝缘区，其定义出第一和第二有源区；位于第一有源区上的第一栅极电极，该第一栅极电极具有位于第一有源区上的延伸到第一绝缘区上的第一部分和位于第一绝缘区上在该第一部分的端部处的第二部分；第二栅极电极，其位于第二有源区上；以及绝缘层，其位于第一、第二和第三绝缘区上，并定义了暴露第一栅极电极的第二部分的至少一部分的第一栅极接触孔、和位于第二有源区上的暴露第二栅极电极的至少一部分的第二栅极接触孔，该第一栅极电极不具有位于该第一部分上的栅极接触孔。该方法相应地制得该集成电路器件。
  • 集成电路器件及其制造方法
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  • 共 4 条
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