专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种贯穿式中通道总成结构和具有其的车辆-CN202110458395.X在审
  • 曹昆;李飞;魏春巍;张守宝 - 北京汽车集团越野车有限公司
  • 2021-04-27 - 2021-06-29 - B62D25/20
  • 本发明提供一种贯穿式中通道总成结构和具有其的车辆,其中,贯穿式中通道总成结构,包括通过焊接方式连接在一起的前中通道、后中通道、左地板和右地板,所述后中通道焊接在所述前中通道的尾部,所述左地板焊接在所述前中通道和所述后中通道的左侧,所述右地板焊接在所述前中通道和所述后中通道的右侧,所述左地板和所述右地板均为折弯成型的板件,所述前中通道和所述后中通道均为呈倒U形的板件。本发明摒弃了现有的整体平直地板结构,而采用前中通道、后中通道、左地板和右地板焊接在一起的结构,前中通道和后中通道共同构成前后贯通式的中通道,不仅优化了结构,而且节约用料,有利于实现轻量化设计。
  • 一种贯穿通道总成结构具有车辆
  • [发明专利]多谱段光轴平行性测试装置及测试方法-CN202010435713.6有效
  • 田留德;周艳;王涛;赵建科;曹昆 - 中国科学院西安光学精密机械研究所
  • 2020-05-21 - 2021-05-14 - G01M11/02
  • 为了解决当前光轴平行性测试装置不能满足多谱段光电设备各光学分系统光轴平行性的测试问题,本发明提出了一种多谱段光轴平行性测试装置及测试方法。本发明采用离轴抛物面反射镜、分光镜、短波红外相机、宽谱段光源、目标靶和激光光源实现了宽谱段无穷远目标的模拟,根据模拟目标在各光学分系统中成像的位置、各光学分系统参数和平行光管焦距,计算各光学分系统之间光轴的一致性,能够完成多谱段光电设备中可见光成像系统、红外成像系统、激光发射系统、激光接收系统、目视瞄准系统及设备机械基准之间的光轴平行性的测试,能实现当前光电设备光轴一致性的全部要求。
  • 多谱段光轴平行测试装置方法
  • [发明专利]直接转换X射线探测材料的制备方法-CN201910696261.4有效
  • 汪雅伟;查钢强;周策;曹昆;李阳;张文玉;李易伟 - 西北工业大学
  • 2019-07-30 - 2021-04-20 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种直接转换X射线探测材料的制备方法,用于解决现有方法难以直接在TFT直接沉积CdZnTe多晶薄膜的技术问题。技术方案是采用布里奇曼法生长Cd1‑xZnxTe多晶锭切片作为生长源。将TFT衬底和生长源放入生长腔室,通过石英柱子调整好生长源与衬底之间的距离,关闭炉门,先开启机械泵抽真空,使腔室内真空度小于10pa,开启分子泵调节室内气压。开启水冷和温度控制系统,缓慢升温到设定温度,低温形核,采取重复生长方式,防止TFT衬底损坏,生长结束后,缓慢降温到一定温度然后自然冷却,由于采用了低温形核和重复生长方式,解决了背景技术方法难以直接在TFT衬底上真空沉积CdZnTe多晶薄膜问题。
  • 直接转换射线探测材料制备方法
  • [发明专利]用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制作方法-CN202011145437.6在审
  • 李易伟;查钢强;张文玉;李阳;曹昆 - 西北工业大学
  • 2020-10-23 - 2021-01-29 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种用于生长半导体薄膜的低温型衬底加热台及其制造方法,该衬底加热台的结构包括加热部分、水冷部分、热电偶和掩膜板。加热部分位于加热台下部四周,可插红外灯管,实现对衬底的直接加热;水冷部分位于加热台内部腔体,腔体内部设有三个水路挡板用于实现内部水流的“S”型走位,提高水流的速度,提高对衬底的散热效率;热电偶位于加热台的中部,其底部与加热台底部平齐,可实现对衬底的精确测温;掩膜板位于加热台的下部,与加热台是两个独立的部件,可通过加热台下部的螺纹洞,用螺丝将掩膜板栓在加热台上,使衬底背部与加热台底部平齐。本发明设计的这款低温型衬底加热台可实现衬底温度在25℃到300℃的范围内温度可调。
  • 用于生长半导体薄膜低温衬底加热及其制作方法

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