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[实用新型]一种装夹不同长度不同腔长半导体激光bar条镀膜夹具-CN202022211546.5有效
发明人：李再金;陈浩;赵志斌;李林;曲轶;曾丽娜;乔忠良;刘国军;张铁民;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-10-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种装夹不同长度不同腔长半导体激光bar条镀膜夹具，包括：台阶滑道板1，台阶板2，台阶滑道3，若干夹持条4；台阶滑道板1包括：定位孔1‑1、1‑2、1‑3和1‑4，台阶滑道3和中间裸露的镀膜区；台阶板2包括：定位孔2‑1、2‑2、2‑3和2‑4，以及中间裸露的镀膜区；台阶滑道3包括：十对两两对称的尺寸相同的台阶滑道；若干夹持条4为长度等于bar条长度、宽度为1mm和高度等于bar条腔长的长方体，每个bar条需要两个夹持条夹持。在台阶滑道3里装夹用两个相匹配的夹持条夹持的“不同长度不同腔长半导体激光bar条”。装夹后通过定位孔1‑1和定位孔2‑1、定位孔1‑2和定位孔2‑2、定位孔1‑3和定位孔2‑3、定位孔1‑4和定位孔2‑4固定，装夹完毕，以备镀膜。
一种不同长度半导体激光 bar 镀膜夹具

[实用新型]基于V型腔和环形腔的全固态准三能级228.5nm激光器-CN202020959056.0有效
发明人：赵志斌;曲轶;彭鸿雁;谢琼涛;徐东昕;沈振江;刘国军 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-30 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于V型腔和环形腔结构的全固态准三能级228.5nm激光器，该激光器沿光路方向依次包括：泵浦源、第一耦合光学系统、V型腔以及环形腔；其中：所述V型腔包括：第一分臂、第二分臂以及第一分臂与第二分臂相交处的镜片M；所述第一分臂上设有激光晶体；所述第二分臂上依次设有镜片M2和LBO倍频晶体。该激光器利用V型腔对基频光进行腔内二倍频，提高了基频光的功率密度和倍频效率，同时利用环形腔对二倍频光进行腔内谐振四倍频，提高了二倍频光在倍频晶体内的功率密度和倍频效率，同时环形腔为行波腔，利于单频激光在腔内谐振提高了倍频效率，最终获得了高功率228.5nm深紫外激光。
基于环形固态能级 228.5 nm 激光器

[实用新型]一种带有V型腔的全固态准三能级228.5nm脉冲激光器-CN202020959060.7有效
发明人：赵志斌;曲轶;彭鸿雁;谢琼涛;乔忠良;李再金;李林 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-30 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01S3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种带有V型腔的全固态准三能级228.5nm脉冲激光器，沿光路方向依次包括：半导体激光器、耦合光学系统、V型腔及非线性晶体；其中：所述V型腔包括：第一分臂、第二分臂、第一分臂与第二分臂相交处的镜片M；所述第一分臂依次设有激光晶体和声光调Q器；所述第二分臂依次设有镜片M2和LBO倍频晶体；所述半导体激光器发出泵浦光，经所述耦合光学系统进行整形；入射到激光晶体的M1面产生光谱线；所述光谱线在所述V型腔内得到二倍频脉冲激光；所述二倍频脉冲激光经所述非线性晶体输出获得228.5nm脉冲激光。该激光器可提高基频光输出功率及其二倍频和四倍频的效率。
一种带有固态能级 228.5 nm 脉冲激光器

[实用新型]一种带有阶梯型量子阱结构的发光二极管-CN202020964686.7有效
发明人：赵志斌;曲轶;谢琼涛;乔忠良;徐东昕;陈劲松;刘国军 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-30 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有阶梯型量子阱结构的发光二极管，包括：N型电极、P型电极、衬底、以及依次层叠于衬底上的N型导电层、量子阱有源区、P型电子阻挡层和P型导电层；其中，N型电极与N型导电层电连接；P型电极与P型导电层电连接；量子阱有源区包括依次层叠于所述N型导电层上的量子阱层和Al0.6Ga0.4N量子垒层；量子阱层为阶梯型量子阱，且其厚度为2nm。本实用新型通过设置量子阱有源区，不会造成极强的极化电场，进而改善了由极化效应导致能带弯曲，并提高了电子和空穴波函数重叠率，最终提高了二极管的辐射复合效率和发光效率。
一种带有阶梯量子结构发光二极管

[发明专利]一种装夹整个半导体激光芯片的解离bar条镀膜夹具-CN202011066859.4在审
发明人：李再金;陈浩;赵志斌;李林;曲轶;曾丽娜;乔忠良;刘国军;张铁民;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-10-03 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种装夹整个半导体激光芯片的解离bar条镀膜夹具，包括：底板1，固定板2，固定板3，顶板4；底板1包括：定位孔1‑1、定位孔1‑2、定位孔1‑3和定位孔1‑4；顶板4包括：定位孔4‑1、定位孔4‑2、定位孔4‑3、定位孔4‑4、固定孔4‑5和固定孔4‑6；在底板1上装夹有两个夹持条辅助装夹的不同长度的整个半导体激光芯片的解离半导体激光bar条，装夹后将固定板2和固定板3放在恰当位置，通过固定孔4‑5和固定孔4‑6将其固定，最后通过定位孔4‑1和定位孔1‑1、定位孔4‑2和定位孔1‑2、定位孔4‑3和定位孔1‑3、定位孔4‑4和定位孔1‑4两两匹配将顶板4固定在底板1上；装夹完毕，准备镀膜。
一种整个半导体激光芯片解离 bar 镀膜夹具

[发明专利]一种装夹三种不同长度的半导体激光bar条镀膜夹具-CN202011066845.2在审
发明人：李再金;陈浩;赵志斌;李林;曲轶;曾丽娜;乔忠良;刘国军;张铁民;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-10-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种装夹三种不同长度的半导体激光bar条镀膜夹具，包括：定位板1，固定滑板2，固定滑板3，盖板4；定位板1包括：定位孔1‑1、定位孔1‑2、定位孔1‑3和定位孔1‑4；盖板4包括：定位孔4‑1、定位孔4‑2、定位孔4‑3、定位孔4‑4、固定孔4‑5、固定孔4‑6、固定孔4‑7和固定孔4‑8；在定位板1上装夹三种不同长度的半导体激光bar条，装夹后将固定滑板2和固定滑板3放在恰当位置，通过固定孔4‑5、固定孔4‑6、固定孔4‑7和固定孔4‑8将其固定，最后通过定位孔4‑1和定位孔1‑1、定位孔4‑2和定位孔1‑2、定位孔4‑3和定位孔1‑3、定位孔4‑4和定位孔1‑4两两匹配将盖板4固定在定位板1上；装夹完毕，准备镀膜。
一种装夹三种不同长度半导体激光 bar 镀膜夹具

[发明专利]一种装夹相同长度不同腔长半导体激光bar条镀膜夹具-CN202011066861.1在审
发明人：李再金;陈浩;赵志斌;李林;曲轶;曾丽娜;乔忠良;刘国军;张铁民;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-10-03 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种装夹相同长度不同腔长半导体激光bar条镀膜夹具，包括：滑道板1，滑道2，固定板3，若干夹持条4；滑道板1包括：固定孔1‑1、1‑2、1‑3和1‑4，滑道2和中间裸露的镀膜区；滑道2包括：八对两两对称的相同尺寸的滑道；固定板3包括：固定孔3‑1、3‑2、3‑3和3‑4，以及中间裸露的镀膜区；若干夹持条4为长度等于bar条长度、宽度为1mm和高度等于bar条腔长的长方体，每个bar条需要两个夹持条。在滑道2里装夹用两个相匹配的夹持条夹持的“相同长度不同腔长半导体激光bar条”，装夹bar条的最大腔长等于滑道的长度。装夹后通过固定孔1‑1和固定孔3‑1、固定孔1‑2和固定孔3‑2、固定孔1‑3和固定孔3‑3、固定孔1‑4和固定孔3‑4固定，装夹完毕，以备镀膜。
一种相同长度不同半导体激光 bar 镀膜夹具

[发明专利]一种装夹不同长度不同腔长半导体激光bar条镀膜夹具-CN202011066862.6在审
发明人：李再金;陈浩;赵志斌;李林;曲轶;曾丽娜;乔忠良;刘国军;张铁民;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-10-03 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种装夹不同长度不同腔长半导体激光bar条镀膜夹具，包括：台阶滑道板1，台阶板2，台阶滑道3，若干夹持条4；台阶滑道板1包括：定位孔1‑1、1‑2、1‑3和1‑4，台阶滑道3和中间裸露的镀膜区；台阶板2包括：定位孔2‑1、2‑2、2‑3和2‑4，以及中间裸露的镀膜区；台阶滑道3包括：十对两两对称的尺寸相同的台阶滑道；若干夹持条4为长度等于bar条长度、宽度为1mm和高度等于bar条腔长的长方体，每个bar条需要两个夹持条夹持。在台阶滑道3里装夹用两个相匹配的夹持条夹持的“不同长度不同腔长半导体激光bar条”。装夹后通过定位孔1‑1和定位孔2‑1、定位孔1‑2和定位孔2‑2、定位孔1‑3和定位孔2‑3、定位孔1‑4和定位孔2‑4固定，装夹完毕，以备镀膜。
一种不同长度半导体激光 bar 镀膜夹具

[发明专利]一种能产生波长为228.5nm深紫外全固态激光装置-CN201810821095.1有效
发明人：曲轶;任永学;赵波 -专利权人：前海盛德技术（深圳）有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种能产生波长为228.5nm深紫外全固态激光装置，包括安装架，所述安装架的一侧固定安装有安装板，所述安装架的一侧螺纹连接有全固态激光器，所述全固态激光器的底部固定安装有滑轨，所述滑轨的内壁滑动连接有滑块，所述滑块的底部固定连接有撑板，所述撑板的底部固定连接有支撑装置，所述支撑装置的底部固定连接有滑动板，所述滑动板与安装板滑动连接，所述滑动板的顶部固定连接有电动推杆。本发明在实际应用中，全固态激光器大多与安装板之间存在间隙，因此全固态激光器处于悬空装置，长时间使用后，在自身重力的影响下，会使全固态激光器向下倾斜，从而影响全固态激光器的正常使用的问题。
一种产生波长 228.5 nm 深紫固态激光装置

[实用新型]一种260nm紫外激光发射装置-CN202020880052.3有效
发明人：李再金;李林;曲轶;乔忠良;赵志斌;曾丽娜;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种260nm紫外激光发射装置。包括520nm半导体激光器；520nm聚焦镜，其前后表面镀112nm T/62nm S/97nm T/60nm S光学膜；CLBO倍频晶体，前表面镀28nm H/41nm S/39nm H/47nm S/28nm H/41nm S/39nm H/47nm S/28nm H/41nm S/39nm H/48nm S/28nm H/40nm S/39nm H/48nm S/28nm H/40nm S/39nm H/48nm S/27nm H和后表面镀76nm H/24nm S/39nm H/44nm S光学膜；体光栅，前表面镀74nm H/96nm S/62nm H/94nm S/64nm H/88nm S/69nm H/83nm S/73nm H/81nm S/74nm H/81nm S/73nm H/84nm S/69nm H/90nm S/59nm H/103nm S/50nm H/114nm S/73nm H和后表面镀77nm H/19nm S/41nm H/45nm S光学膜。该装置实现了260nm紫外激光发射。（注：T‑TiO2、S‑SiO2和H‑HfO2）。
一种 260 nm 紫外激光发射装置

[实用新型]一种发射波长228nm全固态激光装置-CN202020880181.2有效
发明人：李再金;曲轶;李林;乔忠良;赵志斌;曾丽娜;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01S3/0933 文献下载
摘要：本发明公开了一种发射波长228nm全固态激光装置，包括808nm半导体激光器；808nm聚焦镜；Nd:YVO4激光晶体；平面镜；LBO晶体；平凹镜A；BBO晶体；平凹镜B；228nm滤光片。808nm半导体激光器发射的808nm激光通过808nm聚焦镜将808nm激光聚焦到Nd:YVO4激光晶体中，Nd:YVO4激光晶体通过808nm激光泵浦发射914nm激光；914nm激光通过平面镜，再通过LBO倍频晶体倍频产生457nm激光；457nm激光通过平凹镜A反射，再通过BBO倍频晶体产生228nm激光；228nm激光通过平凹镜B反射，再依次通过BBO倍频晶体和平凹镜A，最后通过228nm滤光片发射228nm全固态激光。
一种发射波长 228 nm 固态激光装置

[实用新型]一种深紫外波长激光发射装置-CN202020880357.4有效
发明人：李再金;曲轶;李林;乔忠良;赵志斌;曾丽娜;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-23 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01S3/0933 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外波长激光发射装置，包括808nm半导体激光器；808nm聚焦镜；Nd:YVO4激光晶体；平面镜；LBO倍频；平凹镜A；CLBO倍频晶体；平凹镜B；228.5nm滤光片。808nm半导体激光器发射的808nm激光通过808nm聚焦镜将808nm激光聚焦到Nd:YVO4激光晶体中，Nd:YVO4激光晶体通过808nm激光泵浦发射914nm激光；914nm激光通过平面镜反射，再通过LBO倍频晶体倍频产生457nm激光；457nm激光通过平凹镜A反射，依次通过LBO倍频晶体和平面镜，再通过CLBO倍频晶体倍频产生新波长228.5nm激光；新波长228.5nm激光通过输出镜平凹镜B，最后通过228.5nm滤光片发射新波长228.5nm深紫外激光。
一种深紫波长激光发射装置

[实用新型]一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器-CN202020881623.5有效
发明人：李林;曾丽娜;李再金;乔忠良;李功捷;赵志斌;杨红;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-05-24 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种面发射半导体激光器。一种紧凑型多波长垂直腔面发射半导体激光器结构，由蓝宝石衬底，缓冲层，第一底部DBR层，第一下势垒层，第一有源层，隧道结层，电流注入层，第一上势垒层，第一顶部DBR层，欧姆接触层，第二底部DBR层，第二下势垒层，第二有源层，第二上势垒层，第二顶部DBR层，盖层，第三底部DBR层，第三下势垒层，第三有源层，第三上势垒层，第三顶部DBR层和窗口层组成。该结构由外延生长同质结DBR来实现高反射率的面发射激光器谐振腔，无需高反射率的谐振腔镀膜工艺，从而能够保证获得高质量的腔镜材料。
一种紧凑型波长垂直发射半导体激光器

[实用新型]一种多周期GaAs基线中点纳米线阵列-CN202020566613.2有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;杨红;李功捷;李志波;乔忠良;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种多周期GaAs基线中点纳米线阵列结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B衬底材料；一掩膜层，为SiO2材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs量子点，与GaAs形成轴向异质结，为InxGa1‑xAs材料（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长，与InGaAs形成轴向异质结；一GaAs层，径向生长，与InGaAs形成径向异质结；一GaAs层，轴向生长；一InGaAs量子点，材料为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层，轴向生长；一GaAs层，径向生长；一GaAs层，轴向生长。以此类推，外延生长多周期的GaAs基线中点纳米线阵列。
一种周期 gaas 基线中点纳米阵列

[实用新型]一种多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线-CN202020567468.X有效
发明人：曾丽娜;李林;李再金;杨红;李功捷;李志波;任永学;刘国军;曲轶;彭鸿雁 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体光电子技术领域，涉及一种多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线结构，在衬底层上由下至上依次包括：一GaAs（111）B面的衬底材料，该衬底用于在其上外延生长纳米线各层材料；一掩膜层，用于形成图型衬底，为纳米线生长提供孔隙阵列并覆盖住相邻纳米线之间的间隙，为SiO2材料；一GaAs纳米线层；一InGaAs纳米线，与GaAs形成径向异质结，为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）材料；一GaAs层；第一应变补偿层，材料为GaAsyP1‑y（0.01≤y≤1）；一GaAs层；一InGaAs纳米线层，材料为InxGa1‑xAs（0.01≤x≤1）；一GaAs层；第二应变补偿层，材料为GaAsyP1‑y（0.01≤y≤1）；一GaAs层。以此类推，外延生长多周期应变补偿型InGaAs/GaAs纳米线。
一种周期应变补偿 ingaas gaas 纳米