“智盛全球股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]复合式太阳能电池的多晶硅基板及其太阳能电池-CN201110351002.1无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种复合式太阳能电池的多晶硅基板，包括：一第一基材层，该第一基材层的纯度介于2N至3N之间；以及一成型于该第一基材层上的第二基材层，该第二基材层的纯度介于6N至9N之间。本发明具有以下有益的效果：本发明利用半导体方法在一般纯度较低的基板上制作高质量的高纯度外延层或高纯度溅射层，以作为太阳能电池的主动层，故可减少高纯度的硅原料的使用，以取代传统块材硅的太阳能电池，借以降低整体成本。
复合太阳能电池多晶硅基板及其

[发明专利]复合式太阳能电池的多晶硅基板的制作方法-CN201110351039.4无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种复合式太阳能电池的多晶硅基板的制作方法，包括以下步骤：提供一第一基材层，该第一基材层的纯度介于2N至3N之间；以及成型一第二基材层于该第一基材层上，该第二基材层的纯度介于6N至9N之间。本发明利用半导体方法等成型方法在一般纯度较低的基板上制作高质量的高纯度外延层或高纯度溅射层，以作为太阳能电池的主动层，故可减少高纯度的硅原料的使用，以取代传统块材硅的太阳能电池，借以降低整体成本。
复合太阳能电池多晶硅基板制作方法

[发明专利]导电薄膜-CN201110133935.3无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明为一种导电薄膜，导电薄膜包括基板、第一硬涂层、第二硬涂层、第一折射层、第二折射层以及透明导电层。所述第一、第二硬涂层依序设置于基板之上，且第二硬涂层的组成材料包括硅。所述第一折射层、第二折射层以及透明导电层依序设置于第二硬涂层之上，且透明导电层覆盖部分的第二折射层。当透明导电层受一光线以一入射角射入时，透明导电层以一第一反射率反射所述光线，当第二折射层受所述光线以所述入射角射入时，第二折射层以一第二反射率反射所述光线，第一反射率与第二反射率的差值小于一第一阈值。由此，本发明的导电薄膜可消除受蚀刻与未受蚀刻区域之间的显色差异。
导电薄膜

[发明专利]导电薄膜-CN201110133943.8无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明为一种导电薄膜，导电薄膜包括基板、硬涂层、第一折射层、第二折射层以及透明导电层。所述硬涂层设置于基板之上，且硬涂层的组成材料包括硅。所述第一折射层、第二折射层以及透明导电层依序设置于硬涂层之上，且透明导电层覆盖部分的第二折射层。当透明导电层受一光线以一入射角射入时，透明导电层以一第一反射率反射所述光线，当第二折射层受所述光线以所述入射角射入时，第二折射层以一第二反射率反射所述光线，第一反射率与第二反射率的差值小于一第一阀值。由此，本发明的导电薄膜可消除受蚀刻与未受蚀刻区域之间的显色差异。
导电薄膜

[发明专利]导电性膜层结构及其触控面板-CN201110133951.2无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明为一种导电性膜层结构，包括：一基材，具有相对的一第一表面及一第二表面，其中该基材中混掺有无机粉粒，且该基材的厚度介于100至125微米；一成型于该第一表面的透明导电膜；一成型于该第二表面的硬涂层；以及一成型于该硬涂层上的保护层。
导电性结构及其面板

[发明专利]导电薄膜-CN201110133945.7无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： B32B5/00 文献下载
摘要：本发明为一种导电薄膜，导电薄膜包括基板、反射率调整结构以及透明导电层。所述反射率调整结构设置于基板之上，所述透明导电层设置于反射率调整结构之上，使得反射率调整结构位于透明导电层与基板之间，且透明导电层覆盖部分的反射率调整结构。当透明导电层受一光线以一入射角射入时，透明导电层以一第一反射率反射所述光线，当反射率调整结构受所述光线以所述入射角射入时，反射率调整结构以一第二反射率反射所述光线，第一反射率与第二反射率的差值小于一第一阀值。由此，本发明的导电薄膜可消除受蚀刻与未受蚀刻区域之间的显色差异。
导电薄膜

[发明专利]应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法-CN201110062482.X无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法，该应用于触控面板的透明导电结构包括：一基板单元、一第一被覆单元、一透明导电单元及一第二被覆单元。基板单元具有至少一透明基板。第一被覆单元具有至少一成形于上述至少一透明基板的上表面的第一被覆层。透明导电单元具有至少一成形于上述至少一第一被覆层的上表面的透明导电层，上述至少一透明导电层具有多个排列成一特定电路图案的导电线路。第二被覆单元具有至少一成形于上述至少一透明导电层的上表面的第二被覆层，上述至少一第二被覆层的顶端具有一用于提供外物触碰的触碰表面，且上述至少一第二被覆层可由氧化硅、氧化铝、氧化锂与铁氟龙相互混合所组成。
应用于面板透明导电结构及其制作方法

[发明专利]应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法-CN201110062484.9无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法，该应用于触控面板的透明导电结构包括：一基板单元、一第一被覆单元、一透明导电单元及一第二被覆单元。基板单元具有至少一透明基板。第一被覆单元具有至少一成形于上述至少一透明基板的上表面的第一被覆层。透明导电单元具有至少一成形于上述至少一第一被覆层的上表面的透明导电层，且上述至少一透明导电层具有至少两层相互堆叠在一起的透明导电膜及多个成形于上述至少两层透明导电膜之间的内嵌式导电线路。第二被覆单元具有至少一成形于上述至少一透明导电层的上表面的第二被覆层，上述至少一第二被覆层的顶端具有一用于提供外物触碰的触碰表面。
应用于面板透明导电结构及其制作方法

[发明专利]应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法-CN201110062471.1无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法，该应用于触控面板的透明导电结构包括：一基板单元、一第一被覆单元、一透明导电单元及一第二被覆单元。基板单元具有至少一透明基板。第一被覆单元具有至少一成形于上述至少一透明基板的上表面的第一被覆层。透明导电单元具有至少一成形于上述至少一第一被覆层的上表面的透明导电层，上述至少一透明导电层具有多个导电线路，上述多个导电线路被布局排列以形成一特定的电路图案。第二被覆单元具有至少一成形于上述至少一透明导电层的上表面且覆盖上述多个导电线路的第二被覆层，上述至少一第二被覆层的顶端具有一用于提供外物(例如使用者的手指或任何的触控笔)触碰的触碰表面。
应用于面板透明导电结构及其制作方法

[发明专利]应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法-CN201110062469.4无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法，该应用于触控面板的透明导电结构包括：一基板单元、一第一被覆单元、一透明导电单元及一第二被覆单元。基板单元具有至少一透明基板。第一被覆单元具有至少一成形于上述至少一透明基板的上表面的第一被覆层。透明导电单元具有至少一成形于上述至少一第一被覆层的上表面的透明导电层，且上述至少一透明导电层具有多个内嵌于上述至少一第一披覆层内的内嵌式导电线路。第二被覆单元具有至少一成形于上述至少一透明导电层的上表面的第二被覆层，且上述至少一第二被覆层的顶端具有一用于提供外物触碰的触碰表面。
应用于面板透明导电结构及其制作方法

[发明专利]应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法-CN201110062466.0无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2011-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：一种应用于触控面板的透明导电结构及其制作方法，该应用于触控面板的透明导电结构包括：一基板单元、一第一被覆单元、一透明导电单元及一第二被覆单元。基板单元具有至少一透明基板。第一被覆单元具有至少一成形于上述至少一透明基板的上表面的第一被覆层。透明导电单元具有至少一成形于上述至少一第一被覆层的上表面的透明导电层，上述至少一透明导电层的内部具有多个内嵌式导电线路，上述多个内嵌式导电线路被布局排列以形成一特定的内埋式电路图案。第二被覆单元具有至少一成形于上述至少一透明导电层的上表面且覆盖上述多个内嵌式导电线路的第二被覆层，上述至少一第二被覆层的顶端具有一用于提供外物触碰的触碰表面。
应用于面板透明导电结构及其制作方法

[发明专利]扩散阻碍结构、透明导电结构及其制作方法-CN201010540998.6无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种透明导电结构，其包括：基板单元、第一涂层单元、扩散阻碍结构、第二涂层单元、第三涂层单元及导电单元。基板单元具有塑料基板。第一涂层单元具有一成形于塑料基板上的第一涂层。扩散阻碍结构成形于第一涂层上，扩散阻碍结构具有第一氧化单元及第二氧化单元，第一氧化单元具有多个第一氧化层，第二氧化单元具有多个第二氧化层，且上述多个第一氧化层与上述多个第二氧化层彼此交替堆栈在一起。第二涂层单元具有一成形于扩散阻碍结构上的第二涂层。第三涂层单元具有一成形于第二涂层上的第三涂层。导电单元具有一成形于第三涂层上的透明导电薄膜。
扩散阻碍结构透明导电及其制作方法

[发明专利]具有纳米级导电混合物的透明导电结构及其制作方法-CN201010537750.4无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2010-11-08 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种具有纳米级导电混合物的透明导电结构，其包括：一基板单元及一导电单元。基板单元具有至少一塑胶基板。导电单元具有同时成形的至少一透明导电薄膜及至少一纳米导电群组，其中上述至少一透明导电薄膜成形于上述至少一塑胶基板上，且上述至少一纳米导电群组为多个混入或嵌入上述至少一透明导电薄膜内的纳米导电线丝。因此，本发明可同时通过两种不同的成形方法分别成形至少一透明导电薄膜及至少一纳米导电群组，且上述至少一纳米导电群组为多个混入或嵌入上述至少一透明导电薄膜内的纳米导电线丝。
具有纳米导电混合物透明结构及其制作方法

[发明专利]触控面板的金属线路的制造方法及其触控面板-CN201010246178.6无效
发明人：朱兆杰 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控面板的金属线路的制造方法及其触控面板，该制造方法包括以下步骤：步骤一：提供一基板，其具有一导线区域；步骤二：在基板的导线区域提供至少一硬镀层；步骤三：在该硬镀层上制作多个沟槽；步骤四：在该硬镀层的表面与这些沟槽中成型一金属层；以及步骤五：进行一加热步骤，该金属层利用表面张力而聚集于这些沟槽中，从而形成多条金属线路。
面板金属线路制造方法及其

[发明专利]用于增加蓝光透光率的抗反射涂层结构及其制作方法-CN200810096128.7无效
发明人：张正杰;刘秀凤;郭璧瑞 -专利权人： 智盛全球股份有限公司
申请日： 2008-04-29 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于增加蓝光透光率的低电阻光衰减抗反射涂层结构，其包括有：一基板及一涂层模块。该涂层模块形成于该基板的一前表面上，并且该涂层模块由多层预定涂层、多层含铝氧化物涂层、与多层金属涂层彼此相互交替相叠而组成。
用于增加透光率反射涂层结构及其制作方法

1
2
下一页»
尾页
共 17 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top