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[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202111444094.8在审
发明人：程亚杰;方慧风;施森华;徐静静 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：衬底，该衬底包括主体区和漂移区，该漂移区包括间隔区；位于该衬底上的栅介质层，该栅介质层从该主体区延伸至该漂移区，且与该间隔区边缘邻接；位于该栅介质层上且延伸至该间隔区上方的栅极结构，该栅极结构中形成有至少一个开口，该开口的位置与该间隔区的邻接边缘对应，且沿该栅极结构的厚度方向贯穿该栅极结构，从而能较好地缓解漂移区内邻接边缘处耗尽电场的负电荷集中现象，有效解决了耗尽电场中局部电压过大的问题，有利于提高击穿电压。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211456134.5在审
发明人：宋思德;刘杰;方慧风;庞浩 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，具有隔离LDMOS区和存储器件区的第一沟槽隔离结构；栅极层，包括相连接的栅极横向部和栅极纵向部，栅极横向部从LDMOS区延伸至存储器件区，栅极纵向部位于LDMOS区的第一沟槽隔离结构中，栅极横向部与存储器件区的衬底之间夹有隧穿氧化层，栅极纵向部与LDMOS区的衬底之间夹有栅氧层；第二源极区和第二漏极区分别形成于存储器件区的栅极横向部两侧的衬底中，第二漏极区与栅极横向部之间夹有部分隧穿氧化层。本发明的技术方案使得无需在栅极层上连接栅极驱动电路来控制LDMOS器件的开和关，从而使得对LDMOS器件的开和关操作的复杂度降低，且使得DC‑DC转换器等中的电路设计的复杂度降低。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]单光子雪崩二极管及其形成方法-CN202111476922.6在审
发明人：魏丹清;朱健;方慧风 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种单光子雪崩二极管及其形成方法。所述单光子雪崩二极管中，第一阱区和周围的衬底区域构成二极管结构，并且，在所述衬底内还形成有与所述第一阱区隔离的耗尽厚度调节区，所述耗尽厚度调节区与所述第一阱区的掺杂类型相同，且在所述衬底内的深度大于所述第一阱区的掺杂离子在所述衬底内的最大注入深度，当所述单光子雪崩二极管工作时，该二极管结构被反向偏置，耗尽层在第一阱区一侧的少子向下漂移，耗尽厚度调节区内的多子随着第一阱区下方的少子的漂移运动朝着第一阱区的方向漂移，使得耗尽层的厚度增加，有助于增强器件的光子探测效率，并且，对单光子雪崩二极管的电学性能的影响较小。
光子雪崩二极管及其形成方法

[实用新型]基于表面等离激元的光控晶闸管及电子设备-CN201921882237.1有效
发明人： 方慧风;和巍巍;汪之涵;张振中;孙军 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种基于表面等离激元的光控晶闸管及电子设备。所述光控晶闸管包括光控端；所述光控端设有第一结构；所述第一结构用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用；所述第一结构为可通过衍射对入射光进行波矢补偿的结构。所述电子设备包括所述光控晶闸管。本申请实施例可有效提高光控晶闸管的输出电流和开启速率，可使用于光控晶闸管的光源不再受紫外波段约束，能有效拓宽光源的可选择性。
基于表面离激元光控晶闸管电子设备

[发明专利]基于表面等离激元的光控晶闸管、制作方法及电子设备-CN201911067701.6在审
发明人： 方慧风;和巍巍;汪之涵;张振中;孙军 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种基于表面等离激元的光控晶闸管、制作方法及电子设备。所述光控晶闸管包括光控端；所述光控端设有第一结构；所述第一结构用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用。所述制作方法包括：在光控晶闸管的光控端形成一个表面；在所述表面制作用于使入射光与表面等离激元形成共振耦合作用的第一结构。所述电子设备包括所述光控晶闸管。本申请实施例可有效提高光控晶闸管的输出电流和开启速率，可使用于光控晶闸管的光源不再受紫外波段约束，能有效拓宽光源的可选择性。
光控晶闸管表面等离激元光控电子设备共振耦合入射光光源制作输出电流紫外波段申请