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- [发明专利]在硅基片上形成通孔或凹陷的方法-CN02146233.X有效
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真篠直宽
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新光电气工业株式会社
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2002-10-15
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2003-04-23
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H01L21/302
- 通过向硅基片照射激光束而在其一面上形成有导电图形的硅基片中形成通孔或凹陷的方法，该方法包括以下步骤，在硅基片的一侧形成用于保护导电图形的防护膜，在包括防护膜顶部硅基片的整个表面上形成附着在防护膜上的金属电镀膜，向由防护膜及金属电镀膜覆盖的硅基片预定位置照射激光束，以便在硅基片中形成通孔或凹陷，剥离金属电镀膜并清除围绕通孔或凹陷开口周边金属电镀膜上的碎片，这些碎片是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的，并使用不损坏防护膜的清除溶液，清除通孔或凹陷内壁上的沉积物，它们是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的。
- 硅基片上形成凹陷方法
- [发明专利]可嵌入铸模的散热器、用该散热器的半导体器件及制造方法-CN02105310.3无效
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米持雅弘
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新光电气工业株式会社
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2002-02-22
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2002-10-02
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H01L23/34
- 一种散热器,适于用树脂嵌入铸模在装有半导体芯片的电路板的表面上,以便散热器覆盖电路板的表面,包括电路板的上表面,当用树脂嵌入铸模时,散热器覆盖面积的范围与模制树脂所覆盖的面积基本相同。散热器具有一个主要部分和一个分部分,当用树脂嵌入铸模时,该主要部分相对于电路板外表面限定一较大的间隙,而当用树脂嵌入铸模时,分部分相对于电路板的表面限定一较小的间隙。当用树脂嵌入铸模时,分部分埋置在模制树脂中,以便散热器牢固地粘合到树脂上。
- 嵌入铸模散热器半导体器件制造方法
- [发明专利]制造半导体装置的方法及半导体装置-CN02100245.2有效
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真条直宽
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新光电气工业株式会社
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2002-01-10
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2002-08-21
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H01L21/48
- 为了提高产量,制造半导体装置的方法包含如下步骤形成第一组孔101a,不穿透支持侧硅晶片101;形成底层绝缘膜102;在第一组孔101a中填充铜,从而形成基本连接插脚105a;通过中间绝缘膜109,在支持侧硅晶片101的一个表面一侧上形成半导体膜108;在半导体膜108上形成元件;通过研磨支持侧硅晶片101的另一表面使基本连接插脚105a的底面暴露出来;形成从半导体膜108的元件形成表面延伸到基本连接插脚105的第二组孔111;以及通过在第二组孔中填入第二金属形成辅助连接插脚112a,用于元件与基本连接插脚105a的电连接。
- 制造半导体装置方法
- [发明专利]半导体装置用引线框架-CN00800926.0有效
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关和光;吉江崇;佐藤晴信
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新光电气工业株式会社
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2000-03-24
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2001-08-01
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H01L23/50
- 一种在树脂密封式半导体装置中使用的由铜或铜合金构成的半导体装置用引线框架,具备由铜或铜合金构成的引线框架本体;在该引线框架本体上边形成,用由锌或铜-锌合金构成的下层和由厚度0.02～0.4的铜构成的上层构成的2层的基底电镀皮膜;和在由该基底电镀皮膜的该铜构成的上层的至少内部引线的金属丝键合部分上边形成的贵金属电镀皮膜。该引线框架与密封树脂之间的贴紧性优良,也没有贵金属电镀液(特别是银电镀液)的污染、贵金属电镀皮膜的外观也好、耐蚀性和耐湿性都优良、外装镀锡皮膜的外观和贴紧性也好。
- 半导体装置引线框架
- [发明专利]IC卡及IC卡框架-CN99800134.1无效
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池田孝;赤川雅俊;伊藤大介
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新光电气工业株式会社
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1999-02-10
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2000-06-14
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G06K19/00
- 一种能够低成本大批量生产的IC卡,包括通过穿孔或蚀刻方式形成的平面线圈,在平面线圈10中,导线11在基本相同的平面内环绕多次,平面线圈10具有在线圈外部和内部分别形成的外部端子和内部端子,半导体元件12的电极端子12a、12b的形成表面或与形成表面相反的平面与平面线圈10的导线11相对,且该电极端子12a、12b分别位于邻近平面线圈10的外部和内部端子10a和10b的位置,电极端子12a、12b与平面线圈10的端子10a、10b电连接。
- ic框架
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