“成岩”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果59个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种新型移液管架-CN201620250942.X有效
发明人：成岩 -专利权人：内蒙古民族大学
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： B01L9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型移液管架，目前在分子生物学、微生物学、医学等学科的实验中，常会涉及活菌实验，要求每种试剂都配备单独的移液管，且在实验过程中，要保证不同试剂瓶和移液管之间设置隔离，以避免相互污染。本实用新型包括底座、转轴、托盘、隔板、夹子、外罩、顶盖、盖板、弧形门；托盘和盖板之间设置有隔板，转轴上设置夹子，外罩沿顶盖和底座环绕包围，弧形门与外罩两边贴合。本实用新型所述移液管架最大程度地减小了试剂瓶间、移液管间交叉污染的可能性，同时所述移液管架还具有放置试剂瓶、集液、标识功能，实现一物多用，所述移液管架通过感应装置控制弧形门的开合及托盘的转动，极大地方便了人员操作。
一种新型移液管架

[发明专利]一种新型移液管架-CN201610187741.4在审
发明人：成岩 -专利权人：成岩
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： B01L9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型移液管架，目前在分子生物学、微生物学、医学等学科的实验中，常会涉及活菌实验，要求每种试剂都配备单独的移液管，且在实验过程中，要保证不同试剂瓶和移液管之间设置隔离，以避免相互污染。本发明包括底座、转轴、托盘、隔板、夹子、外罩、顶盖、盖板、弧形门；托盘和盖板之间设置有隔板，转轴上设置夹子，外罩沿顶盖和底座环绕包围，弧形门与外罩两边贴合。本发明所述移液管架最大程度地减小了试剂瓶间、移液管间交叉污染的可能性，同时所述移液管架还具有放置试剂瓶、集液、标识功能，实现一物多用，所述移液管架通过感应装置控制弧形门的开合及托盘的转动，极大地方便了人员操作。
一种新型移液管架

[发明专利]一种FeCo/ZnO复合吸波材料的制备方法-CN201410619186.9有效
发明人：姬广斌;吕华良;成岩;梁小会 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种FeCo/ZnO复合吸波材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1，称取一定量的FeSO4和CoCl2溶入蒸馏水中，对混合物料机械搅拌后往其中依次加入所需量的NaOH溶液、水合肼和ZnCl2，得到混合溶液；步骤2，在密封条件下，将步骤1的混合溶液置于反应釜中进行加热反应，其中，所述加热的温度为120～200℃，所述加热的时间为12～15h；步骤3，对经过步骤2反应后得到的产物进行磁性分离、洗涤、干燥处理即可。本发明采用一步水热合成法制备FeCo/ZnO复合材料，该方法用料简单，制备工艺简单，后续处理简单，无需复杂的合成设备，因此本发明方法制备成本低，适合工业大规模生产。
一种 feco zno 复合材料制备方法

[实用新型]一种粉曲设备-CN201420148032.1有效
发明人：袁明权;龙村;吴云东;景峰;张杰;陈昭华;成岩;董云 -专利权人：贵州茅台酒股份有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种粉曲设备，所述粉曲设备包括风力输送系统及与风力输送系统相连的粉碎机构、曲粉缓存仓和布袋除尘器，所述风力输送系统包括引风机、送料风管、吸尘风管、尘气风管及净气风管，其中送料风管一端与粉碎机构连接，另一端通过三通切换阀与曲粉缓存仓连通，所述曲粉缓存仓的上端与尘气风管相连，所述吸尘风管与尘气风管并联后与粉碎机构连接形成闭合管路，所述三通切换阀上还连接有综合控制仪；所述制备曲粉的方法步骤包括曲块破碎、曲粉风力输送、曲粉收集及环境除尘；本实用新型通过在全负压状态下破碎曲块及输送曲粉，可以实时监控破碎质量，有效控制破碎机工作温度，大大提高输送效率。
一种设备

[发明专利]一种神经元器件及神经网络-CN201310533049.9在审
发明人：宋三年;宋志棠;张中华;成岩;蔡道林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G06N3/08 文献下载
摘要：本发明提供一种神经元器件及神经网络，所述神经元器件包括：下加热电极；相变材料；上电极；以及周围介质材料；其中，所述神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态，而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。该神经元器件由正常态转变为兴奋态只需要几十个纳米的时间，在由兴奋态转化为正常态只需要很小的能量消耗。同时该神经元器件具有对刺激脉冲的幅度、宽度及个数的综合响应，提供权重部分和运算部分的功能。该神经元器件结构简单，与CMOS工艺兼容，便于大量集成。所述神经网络由包含多个神经元器件的阶层神经元阵列组成，可实现信息的多通道传输与存储，而且具有学习功能，将来有望在认知计算机等领域得到应用。
一种神经元器件神经网络

[发明专利]三维电阻转换存储芯片制备方法-CN201010579606.7有效
发明人：刘旭焱;张挺;刘卫丽;宋志棠;杜小峰;顾怡峰;成岩 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维电阻转换存储芯片制备方法。该方法利用电阻转换材料与含有电极阵列的绝缘介质层的直接键合以及改进型智能剥离技术突破了存储单元三维堆叠的温度难题。该方法中采用低温等离子体活化键合技术将包含电极阵列的第一半导体晶圆与包含电阻转换材料和选通管层材料的第二半导体晶圆进行键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，同时实现低温电阻转换材料转移，即将具有电阻转换材料和选通管层材料的薄膜转移到第一半导体晶圆上，随后在第一半导体晶圆结构上通过半导体工艺，制备存储和选通单元。
三维电阻转换存储芯片制备方法

[发明专利]三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片-CN201010572456.7无效
发明人：刘旭焱;张挺;刘卫丽;宋志棠;杜小峰;顾怡峰;成岩 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本发明涉及到一种三维立体结构电阻转换存储芯片的制备方法及芯片。该方法中采用室温等离子体活化键合技术将已含有外围电路层、或者同时含有外围电路和平面存储结构层的基片与包含用作选通管的薄膜材料层的SOI片键合；利用不高于400℃低温退火增强键合强度，并使用机械减薄和化学腐蚀的方法实现低温下薄膜材料层转移；然后沉积电阻转换存储材料和导电薄膜，再经过光刻、刻蚀以及化学机械抛光等工艺，获得立体的选通管-电阻存储单元阵列。重复实施上述过程即可实现立体多层结构的电阻存储阵列，本发明中利用等离子体活化室温键合技术可以避免已有电路结构以及下层电阻存储单元因高温而产生的性能退化，因而该工艺适用于高速高密度存储芯片的开发。
三维立体结构电阻转换存储芯片制备方法

[发明专利]制备复合材料的可组装靶材、其制造、修复和改装方法-CN201010237976.2无效
发明人：张挺;宋志棠;刘波;吴关平;成岩;封松林 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于制备复合材料的可组装靶材，其特征在于具有第一材料基底，基底上方具有多个凹槽，凹槽中填充有至少一种非第一材料。制造上述靶材的步骤如下：在第一材料基底靶材上形成槽结构，填充至少一种非第一材料的粉末或者熔液，经烧结、冷却和平坦化得到。在靶材部分消耗后，还可通过对靶材的消耗部分的修复实现靶材的重复充分利用，提高利用率。本发明可方便地制备复合材料薄膜，并且降低薄膜制备的成本，提升靶材的利用率。
制备复合材料组装制造修复改装方法

[发明专利]一种用于信息存储的(GeTe)_a(Sb₂Te₃)_b基稀磁半导体材料-CN200910088519.9无效
发明人：韩晓东;成岩;戴亚南;张泽 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：一种用于信息存储的(GeTe)_a(Sb₂Te₃)_b基稀磁半导体材料，其特征在于对(GeTe)_a(Sb₂Te₃)_b合金进行掺杂，掺杂剂量原子百分含量大于0并且小于40％，掺杂元素为磁性元素铁、钴、镍、锰或稀土元素中的一种，或为几种的混合掺杂。本发明是在外部能量的作用下可实现晶态与非晶态之间可逆转变的材料。该材料在发生可逆转变的前后可以实现电阻值在2倍至几个数量级范围内的变化；同时，该材料在可逆转变前后的光反射率不同；进一步，该材料在可逆转变前后的会发生磁性的变化或两者的磁化强度有着一定的差别，当磁探测器扫描过时，非晶相和晶体相这两个不同区域中记录的不同磁信号就被探测出来或被转换成电信号探测出来，并分别被表达为0和1，可应用于相变存储、光存储和磁存储。
一种用于信息存储 gete sub sb te 基稀磁半导体材料

[实用新型]一种相变存储器单元结构-CN200820122450.8无效
发明人：张泽;王珂;成岩;刘攀;韩晓东 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器单元结构，使用于微电子学中的纳米材料制造工艺中。该结构包括：在绝缘衬底上依次沉积的底电极、过渡层、绝热层、相变材料层、过渡层和顶电极，特征在于：所述的相变材料层下方设置了具有中空槽的中空槽状钨电极，中空槽内填充有绝热材料SiO₂，以减少发热部分接触面从而减少结晶区域体积，所述中空槽状钨电极的内半径为钨电极外半径的0.4倍以上，当单元两端的电流超过阈值电流后相变材料产生由非晶相到晶体相的转变。钨电极由于采用了中空结构，从而提高了初始晶化与完全晶化状态之间的电阻差，两种稳定晶化状态之间可以通过不同的操作电流实现更多的中间电阻状态，提高了相变存储器的存储能力。
一种相变存储器单元结构

[发明专利]一种相变存储器单元的结构及其实现方法-CN200810119691.1无效
发明人：张泽;王珂;成岩;刘攀;韩晓东 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变存储器的单元结构及实现方法，包括：衬底、层底电极、过渡层、绝热层、相变材料层、过渡层、钨电极和顶电极；其特征在于：所述的相变材料层下方的钨电极中设置了利用曝光刻蚀技术刻蚀出的中空槽，中空槽内填充有绝热材料SiO₂，以减少发热部分接触面从而减少结晶区域体积；所述中空槽状钨电极的所述中空槽状钨电极的内半径为中空槽状钨电极外半径的0.4倍以上，当相变材料层的电流超过阈值电流后，该相变材料产生由非晶体相到晶体相的转变。钨电极采用了中空结构，从而提高了初始晶化与完全晶化状态之间的电阻差，所以两种稳定晶化状态之间可以通过不同的操作电流实现更多的中间电阻状态，提高了相变存储器的存储能力。
一种相变存储器单元结构及其实现方法

[发明专利]相变材料信息存储方法-CN200810119688.X无效
发明人：张泽;王珂;刘攀;成岩;韩晓东 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变材料信息存储方法，在电子显微镜中，通过控制位置及停留时间的电子束，在相变材料薄膜上辐照形成排列结晶点，并对其排列结晶点进行信息的读取。包括非晶相变材料薄膜以及支持部分，非晶相变材料薄膜沉积于支持部分上，薄膜均匀且平整，通过在透射电镜或者扫描电镜下，聚焦电子束的轰击，非晶相变薄膜上被轰击的点区域经历一定长的时间会形成晶化点，通过控制电子束位置，可以在小范围内获得晶化点的阵列，通过阵列中晶化点的排布变化实现信息的存储，其具有高密度及可反复擦写等特性。
相变材料信息存储方法

[发明专利]在透射电镜样品上制备小间距电极的方法-CN200810119690.7无效
发明人：张泽;王珂;成岩;韩晓东 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在透射电镜样品上制备小间距电极的方法，包括掩板的制备步骤和电极制备步骤以及电学测量步骤三部分；掩板制备步骤是将金属板材制成金属网状结构，利用光刻掩板将中空部分腐蚀去除得到；电学测量步骤，为利用两探针触压两相邻电极或者用导电胶将透射电镜薄膜通电样品杆专用导线粘接在两相邻电极上进行原位电学测量；其中电极制备步骤是利用网状掩膜的方法在透射电镜样品上制备多个电极，电极间距小于1μm。本发明提供了一种新的纳米线或薄膜的原位电学测试方法，具有性能可靠，安装方便，结构简单的特点，拓展了透射电镜的功能，并可以实现同一样品的多次电学测量，且每次测量之间互不影响。
透射样品制备间距电极方法

[发明专利]用于相变存储器的Si－Te－Sb系列相变薄膜材料-CN200810103803.4无效
发明人：韩晓东;成岩;王珂;张泽;宋志棠;刘波;张挺;封松林 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：用于相变存储器的Si－Te－Sb系列相变薄膜材料属于微电子技术领域。目前Ge₂Te₅Sb₂材料的结晶温度较低(约为165度)面临着数据丢失的危险。本发明提供的一种用于相变存储器的硅－碲－锑存储材料，组成通式为Si_aTe_bSb_100－(a+b)，其中20≤a≤60，20≤b＜48。该材料具有相对较高的结晶温度、较好的热稳定性以及更强的数据保持能力，同时还具有均匀的晶体相结构和纳米级的晶粒尺寸，在改善了疲劳特性的同时又具有较好的可逆相变能力。
用于相变存储器 si te sb 系列薄膜材料

首页
«上一页
1
2
3
4
共 59 条