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[发明专利]电极走线结构、图像传感器系统-CN202310713694.2在审
发明人： 徐新楠 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H04N25/71 文献下载
摘要：一种电极走线结构、图像传感器系统，所述电极走线结构包括：M根电极线和N组信号连接单元，M和N均为正整数。所述M根电极线沿第一方向延伸。第m组信号连接单元包括：M个信号端和M条信号连接线，1≤m≤N。所述M根电极线与所述M条信号连接线一一对应，所述M个信号端通过所述M条信号连接线与所述M根电极线连接于M个连接点，所述M条信号连接线沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直。在第m组信号连接单元中，所述M个信号端包括：至少一个传输门控制信号端。所述传输门控制信号端对应的连接点位于其所在电极线的中间。
电极结构图像传感器系统

[发明专利]一种电催化剂及其制备方法-CN202310269975.3在审
发明人：程煜;钱涛;何学龙;徐新楠 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C25B11/095 文献下载
摘要：本申请涉及纳米材料应用技术领域，尤其涉及一种电催化剂及其制备方法，所述电催化剂包括500‑600重量份的固体有机物，以及10‑400重量份的金属盐类化合物，其中，所述金属盐类化合物为含镧化合物和/或含铁化合物。制备方法包括：称取固体有机物分散于有机溶剂中，放置搅拌台搅拌均匀，以得到有机溶液；称取金属盐类化合物分散于有机溶剂中，超声搅拌后得到混合溶液，将混合溶液倒入有机物溶液中，搅拌均匀；将集流体放入搅拌均匀的混合溶液中，以使固体有机物与金属盐类化合物进行充分反应；反应结束后，将反应得到的样品取出，清洗、真空烘干得到可再生双活性位点膜电极电催化材料。本发明解决了现有技术中催化工艺过程复杂，催化效率较低的问题。
一种催化剂及其制备方法

[发明专利]像素阵列的输出电路和图像传感器-CN202110663085.1有效
发明人： 徐新楠;王方梅 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：一种像素阵列的输出电路，一列像素单元对应耦接一个模数转换单元，一个模数转换单元对应耦接K列像素单元；量化信号输入端和参考信号输入端连接至所述控制单元，所述第一斜坡信号输入端和第二斜坡信号输入适于输入一对差分斜坡信号；所述模数转换单元基于所述量化信号输入端、参考信号输入端、第一斜坡信号输入端和第二斜坡信号输入端接收到的信号进行量化处理，以输出量化结果；所述控制单元，适于在耦接至同一个模数转换单元的多列像素单元中任选两列，将位于其中一列上的一个像素单元提供的复位电压或信号电压输出至该模数转换单元的量化信号输入端，将位于另一列上的另一像素单元提供的复位电压输出至该模数转换单元的参考信号输入端。
像素阵列输出电路图像传感器

[发明专利]存储单元阵列、量化电路阵列及其读取控制方法-CN202010049523.0有效
发明人： 徐新楠;吕涛;付园园 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：一种存储单元阵列、量化电路阵列及其读取控制方法，存储单元阵列包括：呈行和列排列的多个像素单元组，每一像素单元组包括单列4n行像素单元，n为大于等于1的正整数；像素信号线，每一像素单元组耦接2n条像素信号线，所述2n条像素信号线分别依次耦接所述像素单元组中各行像素单元，包括同一列像素单元的像素单元组耦接相同的2n条像素信号线；每一像素单元组包括：2n个合并控制开关，每一合并控制开关耦接所述像素单元组中第2x行像素单元的存储节点和第2x+1行像素单元的存储节点，x为大于等于0且小于2n的整数。本发明技术方案能够实现像素信号的合并读出。
存储单元阵列量化电路及其读取控制方法

[发明专利]读出电路及图像传感器-CN202111000521.3在审
发明人： 徐新楠 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种读出电路及图像传感器，所述读出电路包括：像素阵列，包括多行和多列的像素单元；列计数器，适于获取所述像素阵列中特定列上多行像素单元的对应像素信号；所述列计数器在获取特定列上多行像素单元的对应像素信号的行合并像素信号之后进行复位。所述读出电路在对获取到的图像信息进行像素信号合并读出的过程中，无需提前缓存至少一行像素信号，可以有效减少图像传感器中用来进行像素信号存储的芯片面积。
读出电路图像传感器

[发明专利]CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器-CN201911357219.6有效
发明人：吕涛;徐新楠;付园园;任张强 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器像素电路及CMOS图像传感器，包括第一复位电路，输出端与光电二极管的负极耦接，适于在一个曝光周期内开启关闭两次；光电二极管，正极与地耦接；第一传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第一存储节点耦接，控制端输入第一控制信号；第二传输晶体管，输入端与光电二极管的负极耦接，输出端与第二存储节点耦接，控制端输入第二控制信号；第一存储节点，与第一传输晶体管的输出端耦接；第二存储节点，与第二传输晶体管的输出端耦接。上述方案能够减少CMOS图像传感器拍摄LED灯光时产生图像伪影，提高CMOS图像传感器的动态范围。
cmos 图像传感器像素电路

[发明专利]像素读出电路及图像传感器-CN201811462074.1有效
发明人： 徐新楠 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：一种像素读出电路及图像传感器，像素读出电路包括：至少一个噪声反相放大电路，分别输出补偿电压，在像素单元由于光电效应引起像素电压变化时，补偿电压的变化电压为位线噪声电压的反相电压，且补偿电压的变化电压的电压值为位线噪声电压的电压值的K倍；列模数转换器，包括：反相电容，反相电容的第一端接入补偿电压；比较器，其负输入端耦接反相电容的第二端；电流源，其第一端接地，其第二端作为像素读出电路的输入端；采样电容，其第一端耦接电流源，其第二端耦接比较器的负输入端，其电容值为反相电容的电容值的K倍。本发明技术方案能够消除像素电源噪声，从而降低行噪声，提高图像传感器的图像质量。
像素读出电路图像传感器

[发明专利]补偿电路和图像传感器-CN201410765708.6在审
发明人： 徐新楠;任张强;付园园 -专利权人：昆山锐芯微电子有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H04N5/357 文献下载
摘要：一种补偿电路和图像传感器，补偿电路包括：比较器、计数器和信号产生单元；比较器的负相输入端适于输入斜坡信号，比较器的输出端连接所述计数器的输入端；所述计数器的输出端连接所述信号产生单元；所述信号产生单元适于输出所述斜坡信号，所述斜坡信号的起始电压与所述计数器的计数结果和预设值的差异大小相关，所述斜坡信号的终止电压与所述计数器的计数结果和预设值的差异大小相关。
补偿电路图像传感器

[发明专利]补偿电路及其控制方法和图像传感器电路-CN201410766264.8在审
发明人：付园园;任张强;徐新楠 -专利权人：昆山锐芯微电子有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H04N5/361 文献下载
摘要：一种补偿电路及其控制方法和图像传感器电路，补偿电路包括放大器、第一电容、第二电容、第三电容、第一开关、比较器和计数器；所述放大器的负相输入端连接所述第一电容的第一端、第二电容的第一端、第三电容的第一端和第一开关的第一端，所述放大器的输出端连接所述第一电容的第二端、第一开关的第二端和比较器的负相输入端；所述比较器的输出端连接所述计数器的输入端。本发明技术方案既能补偿图像偏亮的问题也能补偿图像偏暗的问题，提供了一种双向黑电平补偿技术，结构简单，节省了芯片面积和功耗。
补偿电路及其控制方法图像传感器

[发明专利]对电容失配和采样信号共模不敏感的2倍开关电容放大器-CN201210094316.2有效
发明人：姚素英;徐新楠;徐江涛;高静;史再峰;高岑;聂凯明 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明涉及数模混合集成电路设计领域。为消除开关电容放大器结构中电容失配对放大倍数的影响；调整电路结构，使运放工作在稳定的共模电压下，消除对采样信号共模电平的要求，本发明采取的技术方案是，对电容失配和采样信号共模不敏感的2倍开关电容放大器，电容放大器结构是：由4个电容C11、C12、C21、C22及运放构成，在采样阶段：电容C11、电容C21相连，电容C11另一端连接运放的负输出端，同时接运放输出共模电压Vocom，电容C21另一端连接运放的正输入端；在放大阶段：电容C21与电容C12串联后接到运放正输入端与负输出端之间。本发明主要应用于开关电容放大器的设计制造。
电容失配采样信号共模不敏感开关放大器

[发明专利]CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器-CN201210068724.0有效
发明人：姚素英;聂凯明;徐江涛;高静;史再峰;王彬;徐新楠 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H04N5/365 文献下载
摘要：本发明涉及模拟集成电路设计领域。为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，扩大TDI技术的应用范围，本发明采取的技术方案是，CMOS图像传感器内部实现TDI功能的模拟累加器，包括：两个差分采样电容Cs+和Cs-、全差分运放、两条输入总线、两条输出总线、n+1组积分器，CMOS-TDI图像传感器采用过采样率为(n+1)/n的滚筒式曝光，采样电容Cs+和Cs-的左极板分别连接到像素阵列的列总线上和某个参考电压Vref上，采样电容Cs+和Cs-的右极板分别连接到全差分运放的正、负输入端。本发明主要应用于半导体图像传感器的设计制造。
cmos 图像传感器内部实现 tdi 功能模拟累加器

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