“张骐智”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种编码脉冲输出的阻变型传感构架-CN202110714948.3有效
发明人：韩传余;方胜利;韩峥嵘;张骐智;刘卫华;李昕;王小力 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种编码脉冲输出的阻变型传感构架，包括编码脉冲输出单元和频率计算单元，所述编码脉冲输出单元包括阻变型传感器及MIT忆阻器；所述频率计算单元包括电压比较器及MCU模块；电压源经阻变型传感器与MIT忆阻器的一端及电压比较器的输入端相连接，MIT忆阻器的另一端接地，电压比较器的输出端与MCU模块的输入端相连接，该构架能够有效解决系统硬件结构复杂、功耗大，传递数据量大及效率低的问题。
一种编码脉冲输出变型传感构架

[发明专利]一种基于电极堆栈的界面型多态阻变存储器及其制备方法-CN202010641523.X有效
发明人：韩传余;张骐智;韩峥嵘;方胜利;王小力 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明属于多态存储领域，公开了一种基于电极堆栈的界面型多态阻变存储器及其制备方法，所述多态阻变存储器包括衬底和衬底上自下而上依次沉积的底部电极、氧离子存储层、活性电极堆栈层和顶部电极；活性电极堆栈层包括自下而上依次设置的若干电极层，若干电极层分别采用活性不同的活性金属材料制作，最下方的电极层与氧离子存储层接触，最上方的电极层与顶部电极接触。在外加电压的作用下，能够通过氧离子存储层中的氧离子逐级氧化活性电极堆栈层，改变活性电极堆栈层的氧化厚度，进而改变活性电极堆栈层的界面势垒高度，产生不同的导电状态，实现多个电阻状态的阻变存储器。
一种基于电极堆栈界面型多态阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种柔性仿神经元电路及基于其的脉冲神经网络-CN202010163292.6有效
发明人：韩传余;韩峥嵘;方胜利;张骐智;王小力 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H03K19/0948 文献下载
摘要：本发明属于人工神经网络领域，公开了一种柔性仿神经元电路及基于其的脉冲神经网络，柔性仿神经元电路包括第一薄膜晶体管、第一CMOS反相器、第二CMOS反相器、第一偏置电阻、第二偏置电阻和突变型忆阻器；脉冲神经网络包括仿突触阵列和若干上述的柔性仿神经元电路；仿突触阵列一端用于信号的输入，另一端与若干柔性仿神经元电路均连接，所述仿突触阵列和若干柔性仿神经元电路集成制备。解决了现有技术中柔性仿神经元电路的结构复杂，电路功耗高，且不能与忆阻器仿突触阵列集成制备的缺点，提供了一种结构十分简单，需要的晶体管数目很少的柔性仿神经元电路，并且其功耗低，降低了生产和使用成本，实现了柔性仿神经元电路与仿突触阵列的集成制备。
一种柔性神经元电路基于脉冲神经网络

[发明专利]一种基于莫特绝缘体忆阻器的电容型传感架构-CN202110714883.2在审
发明人：韩传余;韩峥嵘;方胜利;张骐智;刘卫华;王小力;李昕 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G01D5/241 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于莫特绝缘体忆阻器的电容型传感架构，包括电流源、输出电压信号端、脉冲产生单元及感受器；脉冲产生单元包括莫特绝缘体忆阻器，莫特绝缘体忆阻器的一端与电流源及输出电压信号端相连接，莫特绝缘体忆阻器的另一端接地；感受器包括电容型传感器；电容型传感器与莫特绝缘体忆阻器并联连接，该架构结构简单，功耗较低。
一种基于绝缘体忆阻器电容传感架构

[发明专利]基于串联结构的高稳定多阻态忆阻器及其制备方法-CN202011357101.6在审
发明人：韩传余;方胜利;安磊;刘卫华;韩峥嵘;张骐智;王小力 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提出基于串联结构的高稳定多阻态忆阻器及其制备方法，以解决现有多阻态忆阻器性能不稳定、阻变机理不明晰、可重复性不高的技术问题。该多阻态忆阻器包括上电极、阻变层及下电极，其中，阻变层包括2‑8层单忆阻器堆叠结构，层间采用惰性金属材料作为阻挡层；基于导电细丝型忆阻器堆叠结构采用导电细丝型阻变材料，基于氧化还原反应型忆阻器堆叠结构采用富氧层阻变材料和活性金属材料。多阻态忆阻器中，导电细丝型阻变材料采用HfO2、Al2O3、TaOx、TiO2、SiO2及钙钛矿中的一种或多种；富氧层材料为TaOx、MoOx及TiOx中的一种或多种；活性金属材料采用Mg、Hf、Ni、Ti、Al、Fe及Zn中的一种或两种。本发明还提出了两种忆阻器堆叠结构的制备方法。
基于串联结构稳定多阻态忆阻器及其制备方法