专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高纯α-Si3-CN201811399979.9有效
  • 李斌;陈俊红;冯玉岩;李广奇;沈周洲;门佳瑶;李经纬;张志教 - 北京科技大学
  • 2018-11-22 - 2021-01-26 - C04B35/584
  • 一种高纯α‑Si3N4纳米粉体的制备方法,属于纳米材料领域。将含SiO2的原料磨细后加入盛有HNO3、CO(NH2)2、C6H12O6·H2O溶液的容器中,使Si:C摩尔比为2~4。将容器置于马弗炉中,加热到250~450℃,并保温15~45分钟,得到前驱体。将前驱体碾碎,置于刚玉坩埚中,放入气氛炉内,以600~2000ml/min的气体流量通入氮气,以3~5℃/min的升温速率升温至1450~1600℃保温0.5~3小时,再自然冷却。将烧结后的样品置于马弗炉中,在500~700℃空气气氛下保温1~4小时,得到高纯α‑Si3N4纳米粉体。所制备的α‑Si3N4纳米粉体纯度高、粒度均匀,未检测到β‑Si3N4相及其他杂相,其晶粒呈絮状、片状等,氧含量约为1.93at%,粒度为50nm~700nm,比表面积约为4.8m2/g。该方法成本低、产品纯度高、工艺简单,适合工业化生产。
  • 一种高纯sibasesub
  • [发明专利]一种高纯一维SiC纳米材料的制备方法-CN201811330531.1有效
  • 沈周洲;陈俊红;李斌;李广奇;门佳瑶;李经纬;张志教 - 北京科技大学
  • 2018-11-09 - 2020-07-31 - C01B32/97
  • 一种高纯的一维SiC纳米材料的制备方法。属于无机非金属材料领域。制备方法包括原料处理、原料混合、碳热还原和杂质处理四个步骤。其中碳热还原过程,在惰性气体保护下是将混好的原料于1500~1600℃烧结并保温4~6小时,再迅速降温至1250~1350℃保温2~4小时,随炉冷却得到白色棉花状样品。杂质处理是将得到的样品放入马弗炉内,空气气氛下升温至500~700℃保温2~4小时,得到浅绿色棉花状的高纯一维SiC纳米材料。本发明制备出的一维SiC纳米材料具有形貌均一、纯度高、长径比大、尺寸可控等结构优点;具有高强度、耐腐蚀、耐高温、出色的光致发光性能、吸波性能和介电性能等性能优势;且制备工艺简单、成本低、成品率高,可用于工业化生产。
  • 一种纯一sic纳米材料制备方法
  • [实用新型]旋转通道等径角平行挤压模具-CN201621085616.4有效
  • 王晖云;何敏;陈映锟;张志教;马振;祝文兴 - 徐州工程学院
  • 2016-09-27 - 2017-04-19 - B21C25/08
  • 本实用新型涉及一种旋转通道等径角平行挤压模具,包括凹模和模具底座,凹模固定在模具底座上,在凹模的顶部开设有进料口,凹模的一侧设有出料口,所述的凹模呈楔形形状设置,宽度由上至下逐渐变大,其重心位于凹模的下部,凹模由前模和后模构成,且前模型腔和后模型腔相对应设置,其中,前模型腔和后模型腔内形成挤压通道,本实用新型能够使金属块体材料在一次装料过程中进行剪切方向和剪切角度的旋转,实现Bc加工路径,使得晶粒细化变得均匀,并在平行的上下等径角挤压通道中经历多次纯剪切大变形,从而实现在单道次的装料挤压过程中获得均匀而大的塑性变形量,进而制得具有超细晶粒结构的金属块体材料。
  • 旋转通道平行挤压模具

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