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- [发明专利]存储器元件及其操作方法-CN201510242137.2有效
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吕函庭;张国彬
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旺宏电子股份有限公司
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2015-05-13
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2019-11-05
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G11C16/06
- 本发明提供了一种操作包含多个存储单元区块的NAND阵列的方法,其中每一个存储单元区块包括多个NAND串行,每一个NAND串行具有通道线位于第一串行选择开关和第二串行选择开关之间,这些NAND串行共享位于第一串行选择开关和第二串行选择开关之间的一组字线,此方法包括:通过第一选择开关施加通道侧向抹除偏压于NAND串行的通道线;施加字线侧向抹除电压于该组字线中的被选择子集,藉以在耦接至被选择子集的多个存储单元中诱发隧穿;以及抑制耦接至位于该组字线中未被选择子集的多个存储单元中的隧穿;其中被选择子集和未被选择子集分别具有大于一的多条字线。
- 存储器元件及其操作方法
- [发明专利]存储器及其操作方法-CN201510211698.6有效
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张国彬;吕函庭;叶文玮
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旺宏电子股份有限公司
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2015-04-29
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2019-08-23
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G11C16/14
- 本发明公开了一种存储器及其操作方法,该存储器是一与非门阵列,操作存储器的方法即操作与非门阵列的方法。与非门阵列包括由存储单元所组成的数个区块。一区块包括数个与非门串行。与非门串行具有位于数的第一串行选择开关及第二串行选择开关之间的通道线。与非门串行共享位于第一串行选择线及第二串行选择线之间的一组字线。于以一选择区块,一通道侧擦除电压透过第一串行选择开关施加于通道线。字线侧擦除电压施加于已选择区块的字线的已选择子集合,以诱发隧穿作用于耦接至已选择子集合的存储单元。字线侧抑制电压施加于已选择区块的字线是未选择子集合,以抑制耦接于未选择集合的隧穿作用。
- 存储器及其操作方法
- [发明专利]存储器阵列及其操作方法-CN201510001861.6有效
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谢志昌;张国彬;吕函庭
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旺宏电子股份有限公司
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2015-01-04
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2019-06-14
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G11C16/06
- 本发明公开了一种存储器阵列及其操作方法。存储器阵列包含排列成多个列与行的多个存储单元(cell),其中多个平行记忆字符串(memory string)对应至此些行的各自的行,多个字线是排列而垂直于此些记忆字符串,各字线被连接至该存储单元的此些列的一个对应列的多个栅电极。此方法包括:执行编程操作,编程操作编程在多个边(edge)字线上的所有存储单元,边字线位于存储器阵列的对面边上,且编程操作依据待被储存在存储器阵列之中的输入数据编程存储器阵列之中的多个选择存储单元,此些选择存储单元位于这些边字线之间。各编程后存储单元的阈值电压位于编程验证电平。
- 存储器阵列及其操作方法
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