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[实用新型]一种锂电池控制电路及LED显示屏-CN202322533052.2有效
发明人： 席光义;郭文平;刘志刚;梁家菠;边鹏;罗会杰;许凌远;许春林 -专利权人：元旭半导体科技股份有限公司;元旭半导体科技（北京）有限公司;元旭半导体科技（天津）有限公司
申请日： 2023-09-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及显示屏技术领域，提供一种锂电池控制电路及LED显示屏，该锂电池控制电路包括主控MCU、开关机单元、锂电池运行状态参数采集单元以及液晶显示单元；主控MCU通过锂电池运行状态参数采集单元采集电压、电流以及温度参数，并将检测到的锂电池运行状态参数通过串口输送至液晶显示单元，实时状态显示以及可视化管理。
一种锂电池控制电路 led 显示屏

[实用新型]一种磁场发生装置及ICP刻蚀机-CN202322510906.5有效
发明人：刘志刚;席光义;席庆男;郭文平;于瑞冬;玄成帅;许春林;王岳恒 -专利权人：元旭半导体科技股份有限公司;元旭半导体科技（北京）有限公司;元旭半导体科技（天津）有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01F5/00 文献下载
摘要：本实用新型属于干法刻蚀技术领域，提供了一种磁场发生装置及ICP刻蚀机，磁场发生装置包括绝缘安装板，绝缘安装板上安装有若干匝感应线圈，感应线圈为环形且均位于绝缘安装板的下方，若干匝感应线圈呈环环相套状并由内而外依次排列设置，且感应线圈间具有高度差。ICP刻蚀机包括机体，还包括如上述所述的磁场发生装置，绝缘安装板利用支撑柱固定安装于机体内，且位于机体的腔室上方。本实用新型可以改变ICP刻蚀机刻蚀腔室内各区域等离子体的分布情况，使得刻蚀腔室内各区域的等离子体分布均匀性好，进而使得刻蚀腔室内各区域的刻蚀速率趋于一致，保证了对晶圆的刻蚀深度一致，刻蚀均匀性好，产品因刻蚀均匀性差而报废的比例大大降低。
一种磁场发生装置 icp 刻蚀

[实用新型]一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘-CN202322441842.8有效
发明人： 席光义;刘志刚;席庆男;郭文平;赵京武;许春林;娄文海;玄成帅;高宁波 -专利权人：元旭半导体科技股份有限公司;元旭半导体科技（北京）有限公司;元旭半导体科技（天津）有限公司
申请日： 2023-09-08 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于晶圆加工技术领域，提供了一种平边朝外铝盘下盖及晶圆料盘，平边朝外铝盘下盖包括盖体，盖体上具有若干均匀排列设置的小岛以及分别环绕小岛的晶圆限位环，小岛和晶圆限位环间形成胶圈放置槽，小岛和晶圆限位环的平边结构均靠近盖体的边缘设置；晶圆料盘包括如上述所述的平边朝外铝盘下盖，还包括铝盘上盖，铝盘上盖开设有若干分别与小岛对应设置的晶圆刻蚀口，铝盘上盖上沿晶圆刻蚀口的周向设有若干压爪。本实用新型在不改变腔室内刻蚀环境、保障刻蚀稳定性的前提下，改善了片内均匀性的问题，使得刻蚀产品片内均匀性大大提升，刻蚀加工后的产品，片内区域性问题得到有效消除，STD值及产品因均匀性差而报废的比例均大大降低。
一种平边朝外铝盘下盖晶圆料盘

[实用新型]一种铝盘下盖及包括该铝盘下盖的晶圆料盘-CN202321229645.3有效
发明人： 席光义;刘志刚;娄文海;席庆男;于瑞冬;玄成帅;何帅;王岳恒 -专利权人：元旭半导体科技股份有限公司;元旭半导体科技（北京）有限公司;元旭半导体科技（天津）有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于晶圆加工技术领域，提供了一种铝盘下盖及包括该铝盘下盖的晶圆料盘，铝盘下盖包括盖体，盖体上具有若干均匀排列设置的晶圆限位环，晶圆限位环围设成晶圆放置槽，盖体上设有至少一个嵌入式定位块，嵌入式定位块包括一体成型的嵌装部和定位部，且嵌入式定位块上开设有一沉孔，盖体上开设有与嵌装部相适配的定位块安装槽，嵌入式定位块通过嵌装部和定位块安装槽嵌装于盖体上，并利用紧固螺栓固定。晶圆料盘包括如上述所述的铝盘下盖，还包括铝盘上盖，铝盘上盖开设有与嵌入式定位块对应设置的定位孔。本实用新型在不改变腔室刻蚀环境、保障刻蚀稳定性的前提下，通过对嵌入式定位块进行更换的方式，大大延长了铝盘下盖的使用寿命。
一种铝盘下盖包括晶圆料盘

[发明专利]一种防裂纹蓝宝石衬底的制备方法及防裂纹蓝宝石衬底-CN202211527537.4有效
发明人： 席光义;席庆男;刘志刚;于瑞冬;许春林 -专利权人：元旭半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及蓝宝石衬底技术领域，提供了一种防裂纹蓝宝石衬底的制备方法及防裂纹蓝宝石衬底，其中，制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上设置压印胶层；在压印胶层表面形成周期排布的凹坑结构；利用边缘处理液对压印胶层进行边缘处理，使压印胶层的边缘减薄并形成第一台阶结构；通过等离子体干法刻蚀技术，使压印胶层上的凹坑结构及第一台阶结构转移到蓝宝石衬底上，并在蓝宝石衬底表面形成周期排布的倒锥形凹坑，且蓝宝石衬底边缘处的倒锥形凹坑靠近蓝宝石衬底中心的一侧形成第二台阶结构；对得到的蓝宝石衬底进行清洗。本发明解决了外延生长边缘裂纹的问题，同时，提高了外延晶体的质量。
一种裂纹蓝宝石衬底制备方法

[发明专利]一种图形化衬底结构的制备方法-CN202211070998.3有效
发明人：刘志刚;席光义;席庆男;许南发;于瑞冬 -专利权人：元旭半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电技术领域，提供了一种图形化衬底结构的制备方法，通过该制备方法制得的图形化衬底结构包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的表面具有若干一体成型的椎体结构，若干椎体结构呈周期排列设置，且椎体结构的底部为圆形，椎体结构的侧壁与底边的夹角为45‑65°，椎体结构的侧壁还具有若干棱面，棱面沿椎体结构侧壁的周向排列设置。本发明制得的图形化衬底结构，图形的形貌可控、精准度高、均匀性好，结构表面的损伤较小，衬底质量好，利于下游外延生长，进而能够进一步改善GaN外延薄膜的晶体质量，此外，该图形化衬底结构，图形结构的占空比高，出光效率高，进而能够提高LED的光提取效率，使得PSS上生长的LED的出射光亮度进一步得到提高。
一种图形衬底结构制备方法

[发明专利]一种高亮度的纳米图形衬底结构的制备方法-CN202211072067.7有效
发明人： 席光义;刘志刚;席庆男;许南发;李志 -专利权人：元旭半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明属于LED紫外消杀技术领域，提供了一种高亮度的纳米图形衬底结构及其制备方法,高亮度的纳米图形衬底结构包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的表面具有若干圆台状结构，若干圆台状结构呈周期排列设置，且圆台状结构的高度为350nm‑700nm，顶部直径为400nm‑600nm，侧壁与底边间的夹角为40‑60°。本发明纳米级的图形结构能够弥补AlN横向生长迁移能力的不足，利于紫外光生长材料的生长，更加适用于UVC‑LED芯片的制备；此外，该纳米图形衬底结构，均匀性好，改善了传统PSS表面晶体结构损伤的缺陷，晶体质量得到有效提高，且具有的图形结构侧壁光滑、倾斜角度恒定并大于全反射角角度，能够有效的提高发光效率，利用该纳米图形衬底结构进行UVC芯片的制备，能够大大提高UVC芯片的亮度。
一种亮度纳米图形衬底结构制备方法

[发明专利]一种新型蓝宝石复合衬底的制作方法及蓝宝石复合衬底-CN202211250181.4在审
发明人： 席光义;席庆男;于瑞冬;李志 -专利权人：元旭半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及蓝宝石复合衬底技术领域，提供了一种新型蓝宝石复合衬底的制作方法及蓝宝石复合衬底，其中，制作方法包括以下步骤：在蓝宝石平片上设置一层光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理；之后进行显影，在光刻胶层上形成孔洞；在得到的结构上沉积一层薄膜层，制成第一胚体；去除第一胚体上的光刻胶层，得到柱状结构的薄膜层，制成第二胚体；对第二胚体进行刻蚀，将柱状结构的薄膜层的顶部刻蚀成半球形结构，制成蓝宝石复合衬底；最后进行清洗。本发明解决了现有制备方法在沉积的过程中，衬底边缘的沉积层厚度均匀性不一，会在一定程度上造成后续外延生长缺陷的问题，同时解决了由于沉积颗粒物导致的产品表面图形缺失较多的问题。
一种新型蓝宝石复合衬底制作方法

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