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- [发明专利]绝热耦合的光学系统-CN201780037322.5有效
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丹尼尔·马哈格里夫特;布赖恩·帕克
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菲尼萨公司
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2017-05-16
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2020-07-10
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G02B6/122
- 一种光学系统，包括硅(Si)衬底(102)、形成在衬底(102)上的隐埋氧化物(BOX)层(104)，形成在BOX层上方的氮化硅(SiN)层(112)，以及形成在SiN层(112)中的SiN波导(114)。在一些实施例中，光学系统可以另外包括绝热耦合到SiN波导(114)的中介层波导(116)，以形成SiN‑中介层绝热耦合器，其至少包括SiN波导的锥形部分，该光学系统还包括以下中的至少一个：至少在SiN‑中介层绝热耦合器下方形成在Si衬底中的空腔(402)或在SiN波导的SiN核心的顶部和中介层波导的底部之间形成的氧化物覆盖层(822)。可替换地或另外地，光学系统可以另外包括多模Si‑SiN绝热耦合器，其包括SiN波导的SiN锥形(1008)和Si波导的Si锥形(1006)。
- 绝热耦合光学系统
- [发明专利]偏振分离器旋转器-CN201880053336.0在审
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布赖恩·帕克
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菲尼萨公司
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2018-07-18
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2020-04-10
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G02B6/27
- 在示例中，一种光子系统包括基于Si PIC的偏振分离器旋转器(PSR)，PSR包括：形成在Si PIC的第一层中的第一SiN波导和第二SiN波导，第一SiN波导和第二SiN波导中的每一个都具有耦合器部分。PSR还包括形成在Si PIC的第二层中的Si波导，第二层在第一层的上方或下方。Si波导包括：第一锥形端，该第一锥形端在第一SiN波导的耦合器部分附近并且绝热地耦合至第一SiN波导的耦合器部分；第二锥形端，该第二锥形端在第二SiN波导的耦合器部分附近并且绝热地耦合至第二SiN波导的耦合器部分；以及在第一锥形端与第二锥形端之间的第一s弯，第一s弯与第一SiN波导协作，以形成用于在第一SiN波导中传播的光的偏振旋转器。
- 偏振分离器旋转
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