专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]原位生长二硼化锆晶须增韧陶瓷刀具材料及其一体化制备工艺-CN201110361931.0有效
  • 黄传真;徐亮;刘含莲;邹斌;崇学文;朱洪涛;刘战强 - 山东大学
  • 2011-11-15 - 2012-06-20 - C04B35/81
  • 本发明涉及复相陶瓷材料及其制备工艺,尤其是涉及一种用于制备原位生长二硼化锆(ZrB2)晶须增韧陶瓷刀具材料及其一体化制备工艺。其前驱体材料组分质量配比为%:Zr36.4-89.2%;B4C  7.3-16.8%;Ni 0-2.0%;Al2O3 0-56.3%;Si3N4 0-52.7%。制备工艺为:(1)将按比例配制的前驱体组分在酒精介质中超声分散15min-25min;(2)装入缸式球磨机中湿混球磨48小时;(3)在真空干燥箱中经120℃-130℃干燥,过100目筛;(4)在真空炉以100℃/min的升温速率升至自蔓延燃烧反应的点火温度950-1200℃,反应延时5-15s加16MPa压力,保温5min;(5)以80℃/min的升温速率升至1650-1750℃,在35MPa压力下保温10-60min热压成型。该发明通过将自蔓延燃烧合成工艺与热压工艺相结合,在一步法烧结过程中合成了较高综合力学性能的原位生长ZrB2晶须增韧的陶瓷刀具材料。其设备及工艺简单,易于产业化。
  • 原位生长二硼化锆晶须增韧陶瓷刀具材料及其一体化制备工艺
  • [发明专利]原位生长碳化钽晶须增韧氧化铝基陶瓷刀具材料及其制备工艺-CN201110401147.8有效
  • 黄传真;赵国龙;刘含莲;邹斌;崇学文;徐亮;朱洪涛;刘战强 - 山东大学
  • 2011-12-06 - 2012-06-13 - C04B35/81
  • 本发明涉及陶瓷基复合材料及其制备工艺,尤其是一种用于制备原位生长碳化钽晶须增韧氧化铝基陶瓷刀具材料及其制备工艺。材料成分质量比为%:Ta2O5 25.4%-38.0%;C 4.8%-7.2%;NaCl 1.7%-2.5%;Ni 1.7%-2.5%;Al2O3 49.8%-66.4%。制备工艺为:将按比例配制的原材料装入缸式球磨机中,用氧化铝球湿磨24h;混合料在100-120℃下真空干燥后用100目过筛;将粉料装入端部有盖、下方封闭、中间有多孔的石墨容器中,在高温炉内进行原位生长晶须培养;在升温速率为100℃/min、氩气气氛保护、温度为1350-1500℃下保温50-80min并以20℃/min的速率冷却至室温合成复相粉末;去除残留杂质,在真空氛围和1600-1800℃温度下加压至32MPa保温15-45min烧结成型。本发明用两步工艺制备的陶瓷刀具材料,晶须分散均匀、工艺简单、材料的综合力学性能优良,成本低廉、环保、安全。
  • 原位生长碳化钽晶须增韧氧化铝陶瓷刀具材料及其制备工艺
  • [发明专利]原位生长碳化钽晶须材料及其制备方法-CN201010525690.4有效
  • 黄传真;赵国龙;刘含莲;邹斌;崇学文;徐亮;刘战强;朱洪涛 - 山东大学
  • 2010-10-29 - 2011-05-11 - C30B27/00
  • 本发明涉及新材料技术领域,尤其是一种用于增韧补强结构陶瓷、高分子及金属基材料的原位生长碳化钽晶须材料及其制备方法。晶须生长的前驱体组份配比(重量比%)为:Ta2O575.6%-79.2%;C 14.4%-15.1%;NaCl 5.0%-5.2%;Ni 0.5%-5.0%;制备工艺为:按照比例配制晶须生长所需前驱体粉末,装入缸式球磨机中,用氧化铝球干球磨6小时,采用100目筛筛选粉料。将筛选后的粉料装入特制的石墨反应容器中,在升温速率为100℃/min、氩气气氛保护、温度为1350℃-1500℃下保温50min-80min并以20℃/min的冷却速率冷却至室温条件下原位合成碳化钽晶须材料;制备的晶须直径为0.5μm-1μm,长度为5μm-15μm,长径比为5-30。该晶须质量好、纯度高,生产设备及工艺简单、安全可靠,可用于高温结构陶瓷、高分子及金属基材料的增韧补强,具有较好的应用前景。
  • 原位生长碳化钽晶须材料及其制备方法
  • [发明专利]二硼化锆晶须材料及其制备方法-CN201010253990.1有效
  • 黄传真;徐亮;刘含莲;邹斌;崇学文;刘战强;朱洪涛;艾兴 - 山东大学
  • 2010-08-16 - 2010-12-15 - C30B29/10
  • 本发明涉及新材料领域,尤其是一种用于增韧补强陶瓷基复合材料、高分子及金属基材料的二硼化锆(ZrB2)晶须材料及其制备方法。其前驱体组份重量比为:ZrO2 40.77%-45.02%;B2O3 23.16%-25.58%;C 19.85%-21.92%;NaCl 5.34%-9.94%或KCl 6.71%-12.33%;Ni 2.12%-3.99%。制备方法:(1)将按比例配制的二硼化锆晶须前驱体组份装入缸式球磨机中,以氧化铝球干球磨8小时后采用100目筛筛选粉料;(2)将筛选后的粉料装入端部有盖、下方封闭、中间有多孔的石墨反应容器中,并将此反应容器放入高温烧结炉内进行晶须培养;(3)在升温速率为100℃/min、氩气气氛保护、温度为1400℃-1700℃下保温60min并以10℃/min的冷却速率冷却至室温后合成二硼化锆晶须材料。该工艺制备的材料成本低、质量好、效率高、设备及工艺简单易于产业化,应用前景好。
  • 二硼化锆晶须材料及其制备方法
  • [发明专利]二硼化钛晶须材料及其制备方法-CN200910017364.X有效
  • 黄传真;徐亮;崇学文;刘含莲;邹斌;朱洪涛;艾兴;赵军 - 山东大学
  • 2009-08-03 - 2010-04-07 - C30B29/10
  • 本发明涉及新材料技术领域,尤其是用于增韧补强结构陶瓷、高分子及金属基材料的二硼化钛晶须材料及其制备方法。晶须生长的前驱体组份配比(重量比%)为:TiO224.0%-34.7%;B2O3 26.3%-30.4%;C 18.0%-26.0%;NaCl 6.3%-26.3%;Ni 2.6%-3.0%或NiCl2 4.3%-5.4%。制备工艺为:(1)将按比例配制的晶须前驱体组份装入缸式球磨机中,以氧化铝球干球磨8小时后用100目筛筛选粉料;(2)将筛选后的粉料装入石墨反应容器中,再放入高温烧结炉内进行晶须培养;(3)在升温速率为100℃/min、氩气气氛保护、温度为1300℃-1500℃下保温30min-90min并以10℃/min的冷却速率冷却至室温后合成二硼化钛晶须。晶须纯度高,直径为0.5μm-2μm,长度为10μm-40μm,长径比为5-80,其质量高、成本低、设备及工艺简,易于产业化,可用于高温结构陶瓷、高分子及金属基材料的增韧补强,应用前景好。
  • 二硼化钛晶须材料及其制备方法
  • [发明专利]原位生长碳氮化钛系晶须材料及其制备方法-CN200910014461.3有效
  • 黄传真;崇学文;徐亮;刘含莲;邹斌;艾兴 - 山东大学
  • 2009-02-27 - 2009-08-26 - C30B29/38
  • 本发明涉及增韧补强陶瓷材料及其制备方法,尤其是用于增韧补强高温结构陶瓷、金属等材料的原位生长碳氮化钛系晶须材料及其制备方法。晶须先驱体各成分(重量比%)为:TiO2 36.4%-38.5%;C 11.5%-16.4%;NaCl 22.7%-24.0%;KCl 22.7%-24.0%;NiCI1.8%-2.0%。制备工艺为:将按比例配制的碳氮化钛晶须先驱体混料装入缸式球磨机中,用氧化铝球干磨12小时和用100目筛过筛后,装入石墨容器,在升温速率50℃/min、N2流速0.1-0.4Nm3/h、温度1250℃-1500℃、保温60min-120min条件下合成。其合成晶须纯度高,呈细圆柱状,直径0.5μm-1μm,长度5μm-40μm,长径比5-80。本方法利用碳氮化钛晶须非化学计量等特点,能原位生长碳氮化钛多品种晶须,生长晶须质量高,成本低,设备及工艺简单,易于产业化。
  • 原位生长氮化钛系晶须材料及其制备方法

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