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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备-CN202310457124.1在审
发明人：小平新志;冈部刚士;世森光裕;远藤信之;手塚智之;庄山敏弘;岩田纯 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
光电转换装置及其制造方法包括设备

[发明专利]光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备-CN201810757489.5有效
发明人：小平新志;冈部刚士;世森光裕;远藤信之;手塚智之;庄山敏弘;岩田纯 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了光电转换装置及其制造方法和包括光电转换装置的设备。光电转换装置包括：半导体基板，包括光电转换部分；金属含有部分，被设置在半导体基板上；层间绝缘膜，被布置在半导体基板上以覆盖金属含有部分；第一氮化硅层，被布置在光电转换部分上以包括位于层间绝缘膜和半导体基板之间的部分；氧化硅膜，包括布置在第一氮化硅层和光电转换部分之间的部分以及布置在层间绝缘膜和金属含有部分之间的部分；第二氮化硅层，被布置在氧化硅膜和金属含有部分之间。
光电转换装置及其制造方法包括设备

[发明专利]光掩模、光学元件阵列的制造方法、光学元件阵列-CN201510300461.5在审
发明人：关根康弘;古田真梨子;岩田纯;渡边杏平 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模、光学元件阵列的制造方法、光学元件阵列。用于包含第一光学元件和第二光学元件的光学元件阵列的光掩模。光透射率分布包含要形成第一光学元件的第一区域、要形成第二光学元件的第二区域、以及第一区域与第二区域之间的第三区域，在第一区域的端部处具有第一光透射率。第二光透射率在另一端部处比第一光透射率高。端部处的第三光透射率与第二区域和第三区域之间的边界对应。第四光透射率在第二区域的另一端部处比第三光透射率高。在第三区域中，沿第一方向的光透射率分布比连接第二光透射率和第三光透射率的线段高。
光掩模光学元件阵列制造方法

[发明专利]半导体器件和电子器件-CN03102341.X有效
发明人： 岩田纯;谷口章二;黑岩功一;山田良和 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-01-30 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： G06F9/40 文献下载
摘要：一种将存于一个被间断地供电的区域内的数据快速地存储的半导体器件。电源被间断地提供给第一区。电源被连续地提供给第二区。一个存储器位于第二区内。一个存储电路用于在停止供电之前在存储器中存储第一电路中使用的数据。一个恢复电路用于将已经存于存储器内的数据恢复至第一区的一个预定电路中。如果数据已经存于存储器内，则电源控制电路向存储器供电。否则电源控制电路停止向存储器供电。
半导体器件电子器件

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