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[发明专利]运算处理装置以及运算处理方法-CN201810052679.7有效
发明人： 山田裕 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供实时地进行对周期性地输入的数据的实际的运算处理和该实际的运算处理是否产生了差错的判断的运算处理装置以及运算处理方法。ISP(2)具备：进行对从摄像装置(10)按每帧输入的动画的图像数据的图像运算处理的运算处理电路(3)及与运算处理电路(3)连接的备份控制电路(4)以及诊断处理电路(5)。ISP(2)通过这些构成要素，按动画的图像数据的每帧，实时地进行对图像数据的图像运算处理及图像运算处理中的差错的检测。
运算处理装置以及方法

[发明专利]吡唑-4-甲酰胺衍生物的制备方法-CN201880046294.8在审
发明人：栗原悠辅;佐藤孝纪;和须津绚濑;山田裕 -专利权人：日本凡凯姆股份有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C07D231/14 文献下载
摘要：吡唑‑4‑甲酰胺衍生物的制备方法，其特征在于：使吡唑‑4‑甲酸酯与胺在溶剂中、在碱的存在下进行氨解反应而得到吡唑‑4‑甲酰胺衍生物时，无需从系统中除去副产的醇或酚即可完成反应。本发明提供与现有方法相比能够简便地且以高收率、高纯度得到可用作农业用杀菌剂的吡唑‑4‑甲酰胺衍生物的工业上的制备方法。
吡唑甲酰胺衍生物制备方法

[其他]冷却装置-CN201390000854.9有效
发明人：伊势村将和;冈本刚;山田裕;小西和弘;佐野将树 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： F28D15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种冷却装置，该装置通过在受热体附近的热导管的弯曲部也配置散热片，并使散热片整体上均等地受到风吹，从而使冷却能力得到提高。冷却装置(10)具有：与构成发热体的电子器件(H1、H2)热连接的受热体(2)、立设于受热体(2)的表面并从受热体(2)受热后进行热传递的热导管(3)、设置于热导管(3)的多个翅片(4)。翅片(4)由设置于热导管(3)的直线部(34)的第1翅片组(41)和设置于弯曲部(33)的第2翅片组(42)构成。
冷却装置

[其他]冷却装置-CN201390000853.4有效
发明人： 山田裕;冈本刚;伊势村将和;桥本信行 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： F28D15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种冷却装置，其能够将通风阻力抑制为较小，并且可充分地确保翅片和热导管的接触面积，提高冷却能力和耐振动性。冷却装置(1)包括：与构成发热体的电子器件热连接的受热体(2)，从受热体(2)受热并进行热传递的热导管(3)，和多个翅片(4)。热导管(3)以U字型的U字面垂直于风向方向的方式配置，从而立设于受热体(2)，并且，相邻的热导管彼此在风向方向上重叠地配置。
冷却装置

[其他]冷却装置-CN201390000855.3有效
发明人： 山田裕;冈本刚;伊势村将和;桥本信行 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：提供一种可以防止设置空间、电力消耗的增大，增大下游的冷却能力的冷却装置。本实用新型的冷却装置(1)包括：与发热元件(10-1～10-8)热连接的受热体(11)，与该受热体热连接的热导管组(12)，和与多个热导管热连接的散热片组(13)。热导管组(12)具有：配置于冷却风的上游、由大致垂直于冷却风的流动方向(F)配置的多个热导管(12A)构成的热导管单元(12-1)，配置于冷却风(F)的下游、由大致平行于冷却风的流动方向(F)配置的多个热导管(12B)构成的热导管单元(12-2)。
冷却装置

[发明专利]功能控制装置和功能添加装置-CN201380011112.0在审
发明人： 山田裕;德永将之 -专利权人：株式会社东芝;东芝生活电器株式会社
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H04N21/426 文献下载
摘要：实施方式的功能控制装置具备接口部、获取部和控制部。接口部能与多个种类的功能添加装置中的任一个以上连接。获取部从通过接口部连接的功能添加装置，获取表示由功能添加装置执行的功能的功能信息。控制部在控制通过获取部获取到的功能信息表示的功能的情况下，对通过接口部连接的功能添加装置具备的存储部，访问根据在功能信息识别的功能通用而被确定的地址。
功能控制装置添加

[发明专利]具有多个翅片间距的冷却装置-CN201180023141.X有效
发明人：深井宽之;桥本信行;山田裕;池田匡视;岛田守 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：以提供在不增加散热翅片的设置个数或冷却风的风量的情况下提高下风侧冷却能力的冷却装置为目的。一种冷却装置，其特征在于，包含热连接于发热元件的受热块、和具有多个热连接于所述受热块的翅片的散热翅片群，设定冷却风的流动为与所述受热块平行的方向，沿着所述冷却风的流向纵列配置有多个所述散热翅片群，所述多个散热翅片群中，配置于所述冷却风上风侧的散热翅片群的翅片间距比配置于所述冷却风下风侧的散热翅片群的翅片间距大。
具有多个翅片间距冷却装置

[发明专利]收纳有平面型显示装置的包装体和平面型显示装置的包装体-CN201010533872.6有效
发明人：田中哲平;山田裕;加藤修二 -专利权人：日立民用电子株式会社
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： B65D81/05 文献下载
摘要：本发明提供一种收纳有平面型显示装置的包装体和平面型显示装置的包装体。在将平面型显示装置的显示部(201)从下部包装箱(203)内取出时，为了能够在距抬起显示部(201)的操作者的身体近的部分保持显示部(201)，在从下方支承显示部(201)的下部缓冲材料(205)上设置手插入部(217)。此时，为了防止由强度降低产生的下部缓冲材料(205)的破损，在下部缓冲材料(205)的前表面侧设置加强用的棱(220)。并且为了防止在取出显示部(201)时将下部缓冲材料(205)与显示部(201)一起取出，在下部缓冲材料(205)上设置凹部(223)，在取出显示部(201)时，下部包装箱(203)的折弯部卡住该凹部(223)。根据本发明，在平面型显示装置的包装体中，能够易于进行从包装箱取出平面型显示装置时的操作。
收纳平面显示装置包装

[发明专利]显示装置-CN200910130779.8有效
发明人：久保田秀直;西中祐三;山田裕 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-02-27 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置，在壁挂设置显示装置时，抑制装置的温度上升，提高显示装置的可靠性。为此，设置在显示装置(1)上的壁挂开关(4)检测在显示装置(1)的背面上安装了壁挂部件(3)。由壁挂开关(4)检测到显示装置(1)的设置状态为壁挂状态时，功率控制部(14)将供给至显示部(11)的显示功率降低得低于正常值。从而抑制壁挂状态下装置的温度上升。
显示装置

[发明专利]图像显示装置-CN200810190332.5无效
发明人：矶岛宣之;三好浩平;李美花;关口诚一;山田裕 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明的目的是提供能抑制风扇噪音的增加、促进显示板组件上侧的高温部、各种基板、图像处理用电子零件的冷却、实现高亮度/高精细且可靠性高的图像显示装置。本发明的图像显示装置备有平面型的显示板组件(1)、设置在显示板组件的显示面侧的显示面侧罩(11)、设置在非显示面侧的非显示面侧罩(12)、显示驱动基板(22)、电源基板(7)、冷却风扇(9)。冷却风扇(9)的箱体(16)比冷却风扇设置部处的显示板组件(1)与非显示面侧罩(12)之间的间隔大，靠近非显示面侧罩(12)侧的一端相对于靠近显示板组件(1)侧的另一端位于上侧。
图像显示装置

[发明专利]半导体器件-CN200780004702.5无效
发明人：山崎贤司;山田裕;森田纹子;松本幸子 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：在上表面形成有第一电极焊盘的第一半导体芯片；设置在第一半导体芯片的上方且在上表面形成有第二电极焊盘的第二半导体芯片；设置在第一半导体芯片和上述第二半导体芯片的外侧的导电膜；以及导线。第一电极焊盘和第二电极焊盘通过导电膜由导线电连接。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN200680033174.1有效
发明人： 山田裕;岸田武;田村义一;曾川泰生;广藤政则 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其在将焊盘交互错开配置来作为与LSI上的外部封装连接的焊盘配置的交错焊盘配置中，可消除产生组装时的金属丝短路、避免金属丝短路引起的芯片尺寸增加、由于使IO单元间隔紧凑引起的电源、GND噪声的传播、由于焊盘位置错开引起的信号传达延迟差等。在该半导体装置中，沿半导体元件的周边配置有2列与所述半导体元件上的外部封装的功能端子连接的多个焊盘，其中，半导体元件上的多个焊盘的排列顺序和所述外部封装中的所述功能端子的排列顺序不同。
半导体装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810002638.3有效
发明人：稻叶裕一;山田裕;森川成洋 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，防止存储区域的配线层的露出，且防止配线电阻的变动及可靠性劣化。在焊盘电极(20)及层间绝缘膜(2C)上形成SiO₂膜(21)作为使紫外线透过的蚀刻阻止膜。之后，将焊盘电极(20)上的SiO₂膜(21)选择性蚀刻除去，在EPROM区域上残留SiO₂膜(21)。之后，在SiO₂膜(21)上及除去了SiO₂膜(21)的焊盘电极(20)上形成氮化硅膜(23)及聚酰亚胺膜(24)作为紫外线不能透过的保护膜。之后，将焊盘电极(20)上及EPROM区域上的氮化硅膜(23)及聚酰亚胺膜(24)选择性地蚀刻除去。此时，由于SiO₂膜(21)作为蚀刻阻止膜起作用，因此，可防止SiO₂膜(21)下层的层间绝缘膜(2C)被消去而导致控制栅线金属层(19)露出。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200710126642.6无效
发明人：高桥秀一;山田裕;金井胜 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2007-05-29 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明的目的是提供可靠性高的电阻。此外，本发明的目的是实现在同一半导体基板上混载有MOS晶体管和电阻的半导体装置的小型化。在P型半导体基板(10)的表面上形成N型阱区域(11)，在该阱区域11的表面上形成P－型电阻层(20)。并且，在阱区域(11)上环状地围绕电阻层(20)形成导电层(30)。在通常动作中，向导电层(30)施加规定的电压，没有在导电层(30)的下部形成沟道，从而将其他元件(例如P沟道型MOS晶体管1)与下拉电阻(2)分离。电阻层(20)与元件分离绝缘膜不接触。在由元件分离绝缘膜围绕的一个区域内形成PMOS(1)和下拉电阻(2)这两者。
半导体装置

[发明专利]有机电致发光元件-CN200480044478.9无效
发明人：吉武修;宫崎浩;山本敏浩;须崎大辅;山田裕;上村定夫 -专利权人：新日铁化学株式会社
申请日： 2004-11-25 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：本发明提供比使用了来自单重态发光的有机EL元件的发光效率高，驱动稳定性得到改善，适用于全色或多色的屏的有机EL元件。在基板1上层合阳极2、有机层及阴极8而形成的有机电致发光元件中，至少一层的有机层是含有主体剂和掺杂剂的发光层5，该主体剂使用同一分子中具有2～4个用式I表示的吡唑结构的化合物。(式中，Ar₄～Ar₆各自独立地表示氢或可以具有取代基的芳香族烃环基或芳香族杂环基)。
有机电致发光元件

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