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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造方法-CN201880071922.8在审
发明人： 山本文寿 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：不使截止耐压降低而制造碳化硅半导体装置。碳化硅半导体装置具备：在第1导电类型的碳化硅半导体层(2、3、7)的表层部分地形成的第2导电类型的第2扩散层(9)、至少在第2扩散层的表层的一部分形成的第2导电类型的第3扩散层(19)以及在第3扩散层的表层部分地形成的第1导电类型的第4扩散层(11)，第3扩散层比第2扩散层更浅地形成，在剖面视时，第4扩散层形成于第3扩散层内，第3扩散层相对第2扩散层成为非对称。
碳化硅半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体器件、驱动电路以及半导体器件的制造方法-CN200610009028.7无效
发明人：新田哲也;山下泰典;柳振一郎;山本文寿 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供一种半导体器件、驱动电路以及半导体器件的制造方法，可以抑制晶体管的阈值电压的上升且提高其耐压。其中，在SOI衬底(4)中的n－型的半导体层(3)上形成p沟道型的MOS晶体管(20)的源区(5)和漏区(6)。在半导体层(3)内形成n型的杂质区(9)。杂质区(9)在源区(5)的正下方在其底部的全部区域上形成，且在源区(5)和漏区(6)之间的半导体层(3)的正下方形成。在源区(5)和漏区(6)之间的半导体层(3)的上表面的正下方，杂质区(9)中的杂质浓度的峰值的位置(9a)设定在源区(5)的最下端(5a)的下方。
半导体器件驱动电路以及制造方法

[发明专利]设有浪涌保护电路的半导体装置-CN200410028642.9无效
发明人： 山本文寿;上西明夫 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-03-01 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明的半导体装置(51)中设有与信号输入端子(21)电连接的、含有二极管(22)和晶体管(23)的浪涌保护电路，其中，二极管(22)的阴极区由n⁺扩散层(8c)、n^－外延层(4)、n型扩散层(5)及n⁺扩散层(8b)构成。n⁺扩散层(8c)在半导体衬底(41)的主表面上形成，与布线(12b)电连接。n⁺扩散层(8b)和p型扩散层(6b)构成发生齐纳击穿的pn结，发生齐纳击穿的pn结与场氧化膜(7)相离。从而，能够获得设有无电流泄漏、能正常工作的浪涌保护电路的半导体装置。
设有浪涌保护电路半导体装置

[发明专利]横向晶体管-CN03132730.3无效
发明人： 山本文寿;榎原敏之 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明的目的在于：即使在长时间持续使用的情况下，也能够提供电流放大系数的变化较小的横向晶体管。本发明的横向晶体管在LOCOS氧化膜(场绝缘膜)12上形成多晶硅层14，多晶硅层14从集电极区5朝向发射极区6，覆盖集电极区5和基极区4。进而，为了使该多晶硅层14与发射极区6电连接，用布线15将多晶硅层14与发射极区6联结起来。
横向晶体管

[发明专利]设有冲击电压保护电路的半导体装置-CN200310103604.0无效
发明人： 山本文寿;村井保文;古谷启一 -专利权人：株式会社瑞萨科技;协荣产业株式会社
申请日： 2003-10-30 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明的设有冲击电压保护电路的半导体装置，是一种设有与信号输入端子34电连接且包括npn晶体管32和npn晶体管33的冲击电压保护电路51的半导体装置，在该半导体装置中，npn晶体管32的基极的最窄区域的宽度与npn晶体管33的基极的最窄区域的宽度不同，通过这种结构，使npn晶体管32比npn晶体管33更容易被击穿。
设有冲击电压保护电路半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN02143169.8无效
发明人：古谷启一;山本文寿;寺岛知秀 -专利权人：三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社
申请日： 2002-09-16 - 公布日： 2003-08-13 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明的课题是抑制因具有电感L的分量的负载的反电动势而引起的器件的误工作。半导体装置包括：在P型硅衬底上形成的外延层；将外延层分为元件形成区的N－外延层4和无效区的N－外延层2的P+扩散层3；以及将无效区的N－外延层2与P+扩散层3进行电连接的铝布线6。由于可将无效区的N－外延层2与P+扩散层3形成为相同的电位，故即使在电感L的负载的反电动势的作用下将电子注入到元件形成区时，也可抑制从P+扩散层3向无效区供给电子。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN02132184.1无效
发明人： 山本文寿 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2002-08-27 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明旨在减少包含耗尽型N沟道晶体管的半导体装置中噪声的发生。耗尽型N沟道晶体管，具有以圆形形成的漏区7，并以将漏区包围的方式设置外周为圆形的栅区5。再以将漏区包围的方式在栅区的外侧设置源区71，源区跟元件分离用氧化膜3以预定的距离隔开。例如，在源区的外侧形成P+扩散层8，通过该P+扩散层仅以预定的距离将源区和元件分离用氧化膜隔开。并且，在P+扩散层形成和源区共用的接触孔10，栅区与漏区设置成同心圆。
半导体装置

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