“山口康介”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]静电吸盘-CN201911099608.3有效
发明人： 山口康介;穴田和辉;古贺达也;松井宏树 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘，其能够降低等离子对粘接剂的损伤。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面、从第2主面设置到第1主面的穿通孔；金属制基座板，支撑陶瓷电介体基板且具有与穿通孔连通的气体导入路；及接合层，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间且包含树脂材料，接合层具有设置在第2主面上的穿通孔的开口部与气体导入路之间的与开口部相比水平方向上更大的空间，空间侧的接合层的端面与第2主面相交的第1区域比不同于第1区域的端面的另外的第2区域还要从开口部后退。
静电吸盘

[发明专利]静电吸盘-CN201910149763.5有效
发明人：片山宝;山口康介;板仓郁夫;籾山大;白石纯;西愿修一郎 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种静电吸盘，在设置有多孔质部的静电吸盘中，能够提高强度。提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、所述第1主面相反侧的第2主面、在从所述第2主面到所述第1主面的跨度上设置的穿通孔；基座板，支撑所述陶瓷电介体基板且具有连通于所述穿通孔的气体导入路；及第1多孔质部，设置于所述穿通孔，其特征为，所述第1多孔质部具有位于所述陶瓷电介体基板侧的第1区域，所述陶瓷电介体基板具有位于所述第1区域侧的第1基板区域，所述第1区域与所述第1基板区域被设置成接触，所述第1区域中的平均粒径不同于所述第1基板区域中的平均粒径。
静电吸盘

[发明专利]静电吸盘-CN202310336113.8在审
发明人： 山口康介;白石纯;板仓郁夫;籾山大;西愿修一郎 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种静电吸盘，在设置有多孔质部的静电吸盘中，能够确保对电弧放电的抗性及流动的气体流量，同时能够提高多孔质部的机械强度(刚性)。提供一种静电吸盘，其特征为，第1多孔质部具有：疏松部分，具有多个孔；及紧密部分，具有比疏松部分的密度更高的密度，多个疏松部分分别在从基座板朝向陶瓷电介体基板的第1方向上延伸，紧密部分位于多个疏松部分的彼此之间，疏松部分具有设置在孔与孔之间的壁部，在与第1方向大致正交的第2方向上，壁部的尺寸的最小值比紧密部分的尺寸的最小值更小。
静电吸盘

[发明专利]静电吸盘-CN201910149165.8有效
发明人： 山口康介;白石纯;板仓郁夫;籾山大;西愿修一郎 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种静电吸盘，在设置有多孔质部的静电吸盘中，能够实现电弧放电的降低及气体流动的顺畅化。提供一种静电吸盘，其特征为，陶瓷电介体基板具有位于第1主面与第1多孔质部之间的第1孔部，陶瓷电介体基板及第1多孔质部中的至少任意一个具有位于第1孔部与第1多孔质部之间的第2孔部，在与从基座板朝向陶瓷电介体基板的第1方向大致正交的第2方向上，第2孔部的尺寸比第1多孔质部的尺寸更小，比第1孔部的尺寸更大。
静电吸盘

[发明专利]静电吸盘-CN201780044701.7有效
发明人： 山口康介;佐佐木均;前畑健吾;近藤俊平;吉井雄一 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，放置处理对象物；基座板，支撑陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间，加热器板具有：第1、2支撑板；加热器元件，设置在第1支撑板与第2支撑板之间；第1树脂层，设置在第1支撑板与加热器元件之间；及第2树脂层，设置在第2支撑板与加热器元件之间，当在层叠方向上观察时，第1支撑板的第2支撑板侧的面具有：第1区域，重叠于加热器元件；及第2区域，并不重叠于加热器元件，第2区域比第1区域更向第2支撑板侧突出。
静电吸盘

[发明专利]静电吸盘-CN201780009357.8有效
发明人：上藤淳平;佐佐木均;山口康介;前畑健吾;吉井雄一 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，放置处理对象物；基座板；及加热器板，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间，其特征为，加热器板具有：第1、第2支撑板，包含金属；第1、第2树脂层，设置在第1支撑板与第2支撑板之间；及第1、第2导电部，设置在第1树脂层与第2树脂层之间且在面内方向上离开，具有：加热器元件，因电流的流动而发热；及空间部，被在第1导电部的面内方向上的侧端部、第1树脂层、第2树脂层所划分，第1树脂层在第1导电部与第2导电部之间连接于第2树脂层。
静电吸盘

[发明专利]静电吸盘-CN201780017182.5有效
发明人： 山口康介;吉井雄一;佐佐木均;前畑健吾 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面与所述第1主面的相反侧的第2主面；及基座板，设置于所述第2主面侧，支撑所述陶瓷电介体基板，其特征为，所述基座板具有调整所述处理对象物的温度的介质通过的第1连通路，所述第1连通路具有上面、侧面及下面，相对于所述第1连通路的高度，在所述上面上的最大高度Sz的偏差之比为1％以下。
静电吸盘

[发明专利]静电吸盘-CN201680005123.1有效
发明人：前畑健吾;近藤俊平;佐佐木均;山口康介;吉井雄一 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面；基座板，设置在远离陶瓷电介体基板的位置，支撑陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间，其特征为，加热器板具有：第1支撑板，包含金属；第2支撑板，包含金属；加热器元件，设置在第1支撑板与第2支撑板之间，通过流电而发热；第1树脂层，设置在第1支撑板与加热器元件之间；及第2树脂层，设置在第2支撑板与加热器元件之间。
静电吸盘

[发明专利]静电吸盘-CN201510105529.4有效
发明人： 山口康介;穴田和辉;古贺达也;松井宏树 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘，其能够降低等离子对粘接剂的损伤。具体而言，其特征为，具备：陶瓷电介体基板，具有放置吸附对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面、从第2主面设置到第1主面的穿通孔；金属制基座板，支撑陶瓷电介体基板且具有与穿通孔连通的气体导入路；及接合层，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间且包含树脂材料，接合层具有设置在第2主面上的穿通孔的开口部与气体导入路之间的与开口部相比水平方向上更大的空间，空间侧的接合层的端面与第2主面相交的第1区域比不同于第1区域的端面的另外的第2区域还要从开口部后退。
静电吸盘

[发明专利]静电吸盘-CN201910149338.6在审
发明人： 山口康介;白石纯;板仓郁夫;籾山大;西愿修一郎 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种静电吸盘，在设置有多孔质部的静电吸盘中，能够确保对电弧放电的抗性及流动的气体流量，同时能够提高多孔质部的机械强度(刚性)。提供一种静电吸盘，其特征为，第1多孔质部具有：疏松部分，具有多个孔；及紧密部分，具有比疏松部分的密度更高的密度，多个疏松部分分别在从基座板朝向陶瓷电介体基板的第1方向上延伸，紧密部分位于多个疏松部分的彼此之间，疏松部分具有设置在孔与孔之间的壁部，在与第1方向大致正交的第2方向上，壁部的尺寸的最小值比紧密部分的尺寸的最小值更小。
疏松静电吸盘多孔质部壁部陶瓷电介体电弧放电气体流量基座板正交的抗性基板延伸流动

[发明专利]静电吸盘-CN201780044740.7在审
发明人： 山口康介;佐佐木均;前畑健吾;近藤俊平;吉井雄一 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面、第1主面相反侧的第2主面；基座板，设置在离开陶瓷电介体基板的位置，支撑陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在陶瓷电介体基板与基座板之间，其特征为，加热器板具有：第1支撑板，包含金属；加热器元件，设置成与第1支撑板重叠，因电流的流动而发热；及第1树脂层，设置在第1支撑板与加热器元件之间，加热器元件具有：第1面，与第1树脂层相对；及第2面，朝向第1面的相反侧，第1面的宽度不同于第2面的宽度。
陶瓷电介体基板加热器元件支撑板加热器板静电吸盘基座板树脂层主面处理对象物相反侧主面相发热金属流动支撑

[发明专利]静电吸盘-CN201810270110.8在审
发明人：上藤淳平;佐佐木均;山口康介;前畑健吾;吉井雄一;糸山哲朗 -专利权人： TOTO株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种静电吸盘，其能够提高处理对象物的面内温度分布的均匀性。具体而言，具备：陶瓷电介体基板，具有放置处理对象物的第1主面；电极层，设置于陶瓷电介体基板；基座板，支撑陶瓷电介体基板；及加热器板，设置在基座板与第1主面之间，其特征为，加热器板具有：第1加热器元件，因电流的流动而发热；及第2加热器元件，因电流的流动而发热，当在垂直于第1主面的方向上观察时，第1加热器元件比第2加热器元件折曲更多，第1加热器元件具有位于第2加热器元件的间隙的部分。
加热器元件陶瓷电介体基板处理对象物加热器板静电吸盘基座板主面发热温度分布电极层均匀性折曲流动垂直观察支撑

[发明专利]光学玻璃、加压成型用玻璃原材料、光学元件及其制造方法-CN201510155024.9有效
发明人： 山口康介;蜂谷洋一 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： C03C3/068 文献下载
摘要：本发明涉及光学玻璃、加压成型用玻璃原材料、光学元件及其制造方法。本发明提供在抑制Ta2O5含量的同时耐失透性优异的高折射率低分散光学玻璃，其特征在于，以质量％表示含有B2O31～30％，SiO20.1～20％，La2O3、Gd2O3、Y2O3和Yb2O3共计55～75％(但La2O3的含量为15～55％，Gd2O3含量与La2O3、Gd2O3、Y2O3和Yb2O3总含量的质量比(Gd2O3/(La2O3+Gd2O3+Y2O3+Yb2O3))为0.17～0.65)，Ta2O50～13％(但不包括13％)，Nb2O5、TiO2、WO3和ZrO2共计0～25％(但Nb2O5的含量小于10％)，折射率nd为1.83～1.92，阿贝数vd为36～45。
光学玻璃加压成型玻璃原材料光学元件及其制造方法

[发明专利]光学玻璃、压制成型用玻璃材料、光学元件-CN201380065790.5在审
发明人： 山口康介 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： C03C3/064 文献下载
摘要：本发明提供熔融状态下的耐失透性和再加热时的耐失透性均优秀的高折射率的光学玻璃、由所述光学玻璃构成的压制成型用玻璃材料及光学元件。一种光学玻璃，用质量％表示，包含：合计为15～37％的B₂O₃和Si O₂；合计为15～45％的TiO₂、Nb₂O₅和ZrO₂；以及合计为12～40％的BaO、S rO、CaO、MgO、K₂O、Na₂O和Li₂O，质量比(B₂O₃/(B₂O₃+SiO₂))为0.15以上，质量比(TiO₂/(TiO₂+Nb₂O₅+ZrO₂))为0.01～0.8，质量比((Ba O+SrO+CaO)/(BaO+SrO+CaO+MgO+K₂O+Na₂O+Li₂O))为0.4以上，质量比((K₂O+Na₂O+Li₂O)/(BaO+SrO+CaO+MgO+K₂O+Na₂O+Li₂O))为0.1以上，实质上不包含PbO，折射率nd为1.78～1.84，阿贝数νd为26～32。
光学玻璃压制成型玻璃材料光学元件

[发明专利]光学玻璃、压制成型用玻璃材料、光学元件及其制造方法、以及接合光学元件-CN201280076363.2在审
发明人： 山口康介;松本奈绪美 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： C03C3/064 文献下载
摘要：本发明的一个方式涉及一种光学玻璃，其中，用质量％表示，包含：2～37％的SiO2；0～25％的B2O3；0～10％的GeO2；合计为18～55％的Li2O、Na2O、K2O、CaO、SrO和BaO；以及合计为27～55％的TiO2、Nb2O5和WO3，SiO2含量相对于SiO2和B2O3的合计含量的质量比为0.1～1的范围，Li2O含量相对于Li2O、Na2O、K2O、CaO、SrO和BaO的合计含量的质量比为0～0.4的范围，TiO2含量相对于TiO2、Nb2O5和WO3的合计含量的质量比为0.35～1的范围，折射率nd为1.860～1.990的范围，且阿贝数νd为21～29的范围。
光学玻璃压制成型玻璃材料光学元件及其制造方法以及接合

1
2
下一页»
尾页
共 16 条