“山下富生”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]III族氮化物晶体的制造方法及制造装置-CN201510617566.3有效
发明人：森勇介;今出完;山下富生;桑原凉;冈山芳央 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制含氮元素气体的热分解、提高了生产率的III族氮化物晶体制造方法。III族氮化物晶体制造装置具备：腔室、用于向腔室内导入含氮元素气体的含氮元素气体导入管、用于保持III族氧化物的保持部、加热保持部的第一加热器、向III族氧化物供给还原性气体的还原性气体导入管、将利用还原性气体还原了的III族氧化物的还原物气体向腔室内供给的还原物气体供给口、将III族氧化物的还原物气体和含氮元素气体向腔室外排出的排出口、以及加热腔室内的种基板的第二加热器，保持部与所述第一加热器的距离比含氮元素气体导入管与第一加热器的距离近。
iii 氮化物晶体制造方法装置

[发明专利]III族氮化物晶体的制造装置及制造方法-CN201510617542.8有效
发明人：冈山芳央;桑原凉;山下富生;森勇介;今出完 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供制造高品质的III族氮化物晶体的制造装置及制造方法。本发明提供一种III族氮化物晶体制造装置，其具备：腔室；向所述腔室内供给含氮元素气体的含氮元素气体供给口；将III族元素的化合物气体向所述腔室内供给以使其与所述含氮元素气体混合的化合物气体供给口；将混合后的所述化合物气体和所述含氮元素气体向所述腔室外排出的排出口；用于在所述化合物气体与所述含氮元素气体的混合点的下游侧、并且在所述排出口的上游侧保持种基板的支持物；加热所述种基板的第一加热器；和对从所述混合点到所述种基板的空间以比所述第一加热器高的温度进行加热的第二加热器。
iii 氮化物晶体制造装置方法

[发明专利]半导体装置-CN200910127749.1有效
发明人：藤田和范;山下富生;米田阳树;笹田一弘 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的半导体装置，具有：外延层；包括在外延层上形成的沟道区域的本体层；以与本体层重叠的方式形成的源极层；包围源极层，而在外延层上形成的环状的栅极绝缘膜；隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极；包围本体层，而在外延层上以环状形成的漂移层；和与源极层对置，而在外延层表面形成的漏极层。本体层以在栅极宽度方向端部，其边界面与上述栅极绝缘膜的下面相接的方式进行设置。另外，栅极绝缘膜在与栅极宽度方向端部的本体层的边界面相接的至少一部分，具有膜厚比栅极长度方向的沟道区域上部更厚的厚膜部。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02126473.2有效
发明人： 山下富生;冈山芳央 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2002-07-18 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：公开了一种能够准确识别对准标记的位置和最佳形成掩埋布线的半导体器件的制造方法。该方法包括在半导体器件(11)上淀积绝缘膜(12)，然后刻蚀绝缘膜以便在绝缘膜中形成掩埋布线孔(13)和对准标记凹槽(14)。接着，在包括掩埋布线孔和对准标记凹槽的绝缘膜表面上淀积导电膜(15)。该导电膜被淀积成以使导电膜的厚度(T15)小于对准标记凹槽的深度(T12)并小于对准标记凹槽的最小开口宽度(Wa)的一半。
半导体器件及其制造方法

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top