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[发明专利]半导体发光元件-CN200880121885.3无效
发明人： 尺田幸男 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01S5/323 文献下载
摘要：提供一种氮化物半导体发光元件，其即使具有脊条状结构，也能够防止元件的驱动电压的上升及内部发热而导致的元件寿命降低，从而使激光特性均匀。在GaN基板(1)上依次迭层有n型GaN层(2)、n型AlGaN层(3)、活化层(4)、p型AlGaN层(5)、p型GaN层(6)。在p型GaN层(6)上形成有绝缘膜(7)与透明电极(8)。透明电极(8)的局部形成为与p型GaN层(6)连接。用于形成波导路的脊条状部D由透明膜(9)构成。透明电极(8)与p型GaN层(6)接触的区域成为条状电流注入区域。
半导体发光元件

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200780024519.1有效
发明人： 尺田幸男 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2007-07-03 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。半导体发光元件(A)包括n型半导体层(2)、p型半导体层(4)和该半导体层(2，4)包夹的活性层(3)。并且，半导体发光元件(A)包括与n型半导体层(2)相接的n侧电极(5)和与p型半导体层(4)相接的p侧电极(6)。n型半导体层(2)和p型半导体层(4)被绝缘层(7)覆盖。另外，绝缘层(7)部分覆盖n侧电极(5)和p侧电极(6)，使各电极(5，6)的一部分露出。n侧电极(5)由以下部分构成：由Al构成并且与上述n型半导体层(2)相接的第一层(51)；和在该第一层(51)上形成、且由Ni、W、Zr和Pt中的任意一种构成的第二层(52)。p侧电极(6)由以下部分构成：由Au构成且与上述p型半导体层(4)相接的第一层(61)；和在该第一层(61)上形成、且由Ni、W、Zr和Pt中的任意一种构成的第二层(62)。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光装置-CN200780012074.5无效
发明人： 尺田幸男 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：在基板上，多个晶体管排列为多列而形成。各晶体管具有第一导电类型区以及在该列方向的两侧的第二导电类型区，并且在各第二导电类型区的基板一侧具有活性层。在彼此相邻的2列间，通过第一布线，电连接在一列上配置的所述晶体管的列方向的一侧的所述第二导电类型区、相对于该晶体管与列方向的一侧相邻的晶体管的列方向的另一侧的第二导电类型区和在另一列上配置的晶体管的第一导电类型区。此外，通过第二布线，电连接在另一列上配置的晶体管的列方向的一侧的第二导电类型区、相对于该晶体管与列方向的一侧相邻的晶体管的列方向的另一侧的第二导电类型区和在一列上配置的晶体管的第一导电类型区。
半导体发光装置

[发明专利]发光元件和该发光元件的制造方法-CN200780007438.0无效
发明人： 尺田幸男 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2007-03-01 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件和该发光元件的制造方法，该发光元件包括：以具有相互正交的解理方向的面作为主面的生长用基板；在上述生长用基板的上述主面上形成的第一氮化物半导体层；在上述第一氮化物半导体层上形成的活性层；和在上述活性层上形成的第二氮化物半导体层，其中，上述主面的上述生长用基板的侧边与上述解理方向的一方所形成的角度在约30～60°的范围内。
发光元件制造方法

[发明专利]发光装置以及照明器具-CN200680048868.2无效
发明人： 尺田幸男 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种能够应对不同的电压的发光装置以及照明器具。照明器具(1)包括切换控制部件(2)和发光装置(3)。发光装置(3)包括两个发光阵列(21a、21b)、和三个电压输入端子(22a、22b、22c)。切换控制部件(2)构成为，根据所提供的电源电压，切换电压输入端子(22a～22c)的连接，通过将发光阵列(21a、21b)并联连接以及串联连接，从而对发光阵列(21a、21b)施加规定电压。
发光装置以及照明器具

[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法-CN200680038980.8无效
发明人： 尺田幸男;园部雅之;伊藤范和 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-10-19 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种高特性的氮化物半导体元件，该氮化物半导体元件以Mg_xZn_1－xO(0≤x≤0.5)这样的氧化锌类化合物作为基板，在其上部生长的氮化物半导体层的结晶性良好，并且能够防止膜的脱落和裂纹的发生，漏电电流小。当在基板(1)上叠层氮化物半导体层而形成氮化物半导体元件时，基板(1)由Mg_xZn_1－xO(0≤x≤0.5)这样的氧化锌类化合物构成，在该基板(1)上相接设置有由Al_yGa_1－yN(0.05≤y≤0.2)构成的第一氮化物半导体层(2)，在该第一氮化物半导体层(2)上叠层有氮化物半导体层(3)～(5)，使得形成半导体元件。
氮化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件阵列及使用它的照明器-CN200710102289.8有效
发明人：园部雅之;尺田幸男 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件阵列，其包括由SiC制成并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基板。该阵列还包括由基板的第一表面支撑的多个半导体发光元件。每个发光元件包括n－型半导体层、活性层和p－型半导体层。基板的第二表面充当发光表面，由发光元件产生的光从该发光表面被发射出。
半导体发光元件阵列使用明器