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[发明专利]异常探测装置-CN201711104606.X在审
发明人： 小山典昭;庄司和史;宫崎太克 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供一种能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常的异常探测装置。一个实施方式的异常探测装置具有：收集部，其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息；保存部，其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志；运算部，其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带；以及判定部，其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。
半导体制造装置异常探测装置监视日志周期收集短期间判定部运算部保存判定检测

[发明专利]信息处理装置及其处理方法和半导体制造系统-CN201010601253.6有效
发明人： 小山典昭;小幡穣;王文凌 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种信息处理装置(100)，处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行与作为设定处理条件的值的设定值相应的处理的半导体制造装置(200)的处理时状态取得的值的取得值，包括：接受设定值的设定值接受部(101)、接受取得值的状态值接受部(102)、与作为表示设定值和取得值关系的函数的校正函数相应地算出取得值的校正量的校正量算出部(103)、利用校正量算出部(103)算出的校正量校正状态值接受部(102)接受的取得值的校正部(104)、和输出校正部(104)已校正的结果的输出部(105)。能够解决现有的信息处理装置中关于用不同的设定值进行的处理，难以容易地监视从各个半导体制造装置取得的值的问题。
信息处理装置及其处理方法半导体制造系统

[发明专利]服务器装置及程序-CN200780028213.3有效
发明人：高桥礼;小幡穣;小山典昭 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-09 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：以往的服务器装置存在无法有选择地输出与子配方对应的选择信息的问题。本发明提供一种服务器装置，具备：测定信息保存部(1201)，其可保存多个测定信息，该测定信息是具有由制造装置(11)执行规定配方时的测定值和表示时刻的时刻信息的信息；指示接收部(1205)，其接收测定信息的输出指示；测定信息取得部，其从测定信息保存部中取得由输出指示指定的测定信息；输出信息构成部(1206)，其构成使用了所取得的测定信息的输出信息；以及输出部，其输出输出信息构成部(1206)所构成的输出信息；输出指示具有指定在配方中被执行多次的子配方当中、在1个以上的期望次中被执行的子配方的指示，测定信息取得部(1203)取得与由输出指示指定的子配方对应的测定信息。
服务器装置程序

[发明专利]服务器装置及程序-CN200780028185.5有效
发明人：高桥礼;小幡穣;小山典昭 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-09 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：以往的服务器装置中，存在无法恰当地指定使测定信息成为输出对象的期间的问题。本发明提供一种服务器装置，是构成具备对被处理基板进行规定处理的一个以上制造装置(11)的群管理系统的服务器装置(12)，其具备：测定信息保存部(1201)，其能够保存多个测定信息，该测定信息是具有由一个以上制造装置(11)执行了规定处理时的测定值和表示时刻的时刻信息的时间序列的信息；指示接收部(1205)，其接收包括确定规定起点的信息和有效时间的信息的测定信息的输出指示；测定信息取得部(1203)，其从测定信息保存部(1201)中取得从规定起点起在有效时间内的测定信息；输出信息构成部(1206)，其构成使用了所取得的测定信息的输出信息；输出部(1207)，其输出输出信息构成部(1206)所构成的输出信息。
服务器装置程序

[发明专利]服务器装置和程序-CN200780016753.X有效
发明人：猪川匠;小山典昭 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：在以往的服务器装置中存在无法容易且有效地进行异常分析的问题。通过如下的服务器装置能够容易且有效地进行异常分析，该服务器装置保存多个测量信息，该测量信息是关于由多个制造装置测量出的信息的时间序列的信息，是具有识别制造装置的装置标识符和表示时刻的时刻信息的信息，保存作为表示异常的信息的异常信息与一个以上的测量信息的一个以上的对应，具备：异常信息输出部，其输出一个以上的异常信息；图表构成部，其在接受了对于异常信息输出部输出的一个以上的异常信息中的一个以上的异常信息的指示、即异常信息指示的情况下，由与对应于异常信息指示的一个以上的异常信息成对的一个以上的测量信息构成一个以上的图表；以及输出部，其输出图表构成部构成的一个以上的图表。
服务器装置程序

[发明专利]服务器装置及程序-CN200780016476.2有效
发明人：猪川匠;小山典昭 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：以往，无法过滤利用产品晶片片数测定的信息来构成图表。利用本发明的服务器装置，可过滤用产品晶片片数测定的信息来构成图表，该服务器装置保存有多个测定信息，该测定信息是关于由多个制造装置测定的信息的时间系列信息，是具有产品晶片片数和时刻信息的信息，其具备：指示接收部，接收包括产品晶片片数的图表的输出指示；异常检测部，在指示接收部接收到输出指示的情况下，读出符合该输出指示所包含的产品晶片片数条件的多个测定信息，判断所读出的该多个测定信息是否符合条件信息；输出信息构成部，构成与异常检测部的判断结果对应的输出信息；输出部，输出所述输出信息构成部所构成的输出信息。
服务器装置程序

[发明专利]群管理系统、半导体制造装置以及信息处理方法-CN200810129124.4有效
发明人：的川建史;小山典昭;高桥礼 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-06-30 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：提供一种群管理系统、半导体制造装置以及信息处理方法。在现有的群管理系统等中，存在不能在短时间内正确地进行能源检查的问题。群管理系统具备：一个以上半导体制造装置、以及与该一个以上半导体制造装置连接的服务器装置，半导体制造装置具备：能源信息获取部，其获取能源信息，该能源信息是表示在半导体制造工艺中使用的一个以上能源的值的信息；以及发送部，其将能源信息获取部获取的能源信息发送到上述服务器，服务器装置具备：接收部，其接收从半导体制造装置发送的能源信息；服务器侧判断部，其判断接收部接收的能源信息所表示的能源值是否是规定值；以及服务器侧输出部，其进行与服务器侧判断部的判断结果相应的输出。
管理系统半导体制造装置以及信息处理方法

[发明专利]加热器线材寿命预测法和处理系统、热处理装置、记录介质-CN200810091489.2有效
发明人：寺泽伸俊;小幡穣;小山典昭 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-04-17 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H05B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种加热器线材的寿命预测方法，在应用于热处理装置的加热器线材断线之前对其寿命事先进行预测时，通过利用加热器线材的断线的征兆容易显现的期间(例如升温期间)的数据，能够比现有技术更准确地预测加热器线材的寿命。在对晶片进行热处理之前，在向加热器线材供给电力直至使其升温至热处理温度的升温期间，对供向加热器线材的电力的大小的最大值进行检测，并且求取表示电力的振幅的大小的指标，当这些电力的大小和表示电力的振幅的大小的指标超过各自的阈值时通知加热器线材的寿命将结束。
加热器线材寿命预测处理系统热处理装置记录介质

[发明专利]热处理系统、热处理方法和程序-CN200810095169.4有效
发明人： 小山典昭;王文凌 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-02-29 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易地调整处理温度的热处理系统、热处理方法和程序。热处理系统的温度计算用计算机(4)具有装置DB(42)。在装置DB(42)中，针对各热处理装置，按该热处理装置内部的每一温度(处理温度)存储有表示附着在装置内部的附着物的累积膜厚与温度修正量之间的关系的温度修正表。根据该温度修正表、处理温度、和累积膜厚确定温度修正量，然后根据确定的温度修正量计算最佳值。
热处理系统方法程序

[发明专利]半导体制造装置、该半导体制造装置进行异常检测、异常原因的确定或异常预测的方法、和记录有用于实施该方法的计算机程序的存储介质-CN200580045356.6有效
发明人：坂本浩一;小幡穣;小山典昭 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：为了检测半导体制造装置的异常，准备了从表示半导体制造装置的状态的多个装置状态参数选择两个监视对象参数分别作为第一轴和第二轴而成的二轴坐标系。选择例如在成膜装置中实施的过去的成膜处理的累积膜厚和用于控制反应容器内的压力而设置在真空排气线路上的压力调整阀的开度作为监视对象参数。将过去在半导体制造装置正常运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出。在标绘点组的周围设定正常状态和异常状态。将半导体制造装置当前运行时取得的监视对象参数的数值在二轴坐标系上标绘出，基于该标绘点和所述边界的位置关系，确定有无异常的发生以及异常的种类。
半导体制造装置进行异常检测原因确定预测方法记录用于实施计算机程序存储

[发明专利]信息处理装置及其处理方法、半导体制造系统和存储介质-CN200710108521.9有效
发明人： 小山典昭;小幡穣;王文凌 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-05-31 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种信息处理装置(100)，处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行与作为设定处理条件的值的设定值相应的处理的半导体制造装置(200)的处理时状态取得的值的取得值，包括：接受设定值的设定值接受部(101)、接受取得值的状态值接受部(102)、与作为表示设定值和取得值关系的函数的校正函数相应地算出取得值的校正量的校正量算出部(103)、利用校正量算出部(103)算出的校正量校正状态值接受部(102)接受的取得值的校正部(104)、和输出校正部(104)已校正的结果的输出部(105)。能够解决现有的信息处理装置中关于用不同的设定值进行的处理，难以容易地监视从各个半导体制造装置取得的值的问题。
信息处理装置及其处理方法半导体制造系统存储介质

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