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[发明专利]半导体器件-CN201010135849.1有效
发明人：内田慎一;富留宫正之;榊原宽;岩垂史;佐藤启之;江口真;泷雅人;森下英俊;加藤孝三;森本淳 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;丰田自动车株式会社
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。第一半导体芯片包括第一电感器和第二电感器，并且第二半导体芯片包括第三电感器和第四电感器。第一电感器连接至第一半导体芯片的第一接收电路，而第二电感器通过第一接合线连接至第二半导体芯片的第二传送电路。第三电感器连接至第二半导体芯片的第二接收电路，而第四电感器通过第二接合线连接至第一半导体芯片的第一传送电路。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200910164692.2有效
发明人： 富留宫正之;大窪宏明;中柴康隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。N阱的每一个与隐埋P阱接触的区域的宽度不大于2μm。地电压和电源电压被分别施加给P阱和N阱。去耦电容器被形成在N阱与隐埋P阱之间。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200610132027.1有效
发明人： 富留宫正之;大窪宏明;中柴康隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-01-14 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件，在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极，条状电极纵向方向相同，多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中，第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成，另外，并且彼此远离。然后，在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接，在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接，通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接，并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN200610074615.4无效
发明人：菊田邦子;富留宫正之;山本良太;中山诚 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2006-04-20 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：提供一种包括具有MIM结构的电容器的半导体器件，通过其来提高器件的尺寸精度，并且提供稳定的电容值。半导体器件(100)包括：半导体衬底(102)；形成有MIM电容器的电容器形成区(130)，其中MIM电容器具有形成在半导体衬底(102)上的绝缘夹层(104)、第一电极(110)以及第二电极(112)，并且第一电极(110)和第二电极(112)通过绝缘夹层(104)彼此面对地排列；以及包括多个屏蔽电极(114)的屏蔽区(132)，其中多个屏蔽电极(114)形成在电容器形成区(130)的外边缘，并且同时在与半导体衬底(102)上的MIM电容器的层相同的层中其被设置在预定的电位，并且将电容器形成区(130)从其它区屏蔽开。
半导体器件

[发明专利]包括金属－绝缘体－金属电容器排列的半导体器件-CN200510116170.7无效
发明人： 富留宫正之;菊田邦子;山本良太;中山诚 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-10-24 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件具有半导体衬底、在半导体衬底上形成的多层布线结构、和在多层布线结构中建立的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器排列。MIM电容器排列包括以规则间隔相互平行依次排列的第一、第二、第三、第四、第五和第六电极结构。第一、第二、第五和第六电极结构相互电连接从而定义第一电容器，第三和第四电极结构相互电连接从而定义第二电容器。
包括金属绝缘体电容器排列半导体器件

[发明专利]绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件-CN200310123255.9无效
发明人：大窪宏明;富留宫正之;山本良太;中柴康隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2004-08-18 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种半导体IC器件包括基衬底，基衬底包括P^－型硅，第一P⁺型硅层提供在基衬底上，N⁺型硅层和第二P⁺型硅层提供在其上的相同层中。第一P⁺型硅层和N⁺型硅层的杂质浓度高于基衬底的杂质浓度。此外，埋入氧化物层和SOI层提供在N⁺型硅层和第二P⁺型硅层整个上表面上。第一P⁺型硅层连接到地电位布线GND，N⁺型硅层连接到电源电位布线VDD。因此与电源并联连接的去耦电容器形成在P⁺型硅层和N⁺型硅层之间。
绝缘体衬底半导体集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN200410001852.9有效
发明人： 富留宫正之;大窪宏明;中柴康隆 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2004-01-14 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体器件，在多个布线层的每一层中与常规布线一起形成四片条状电极，条状电极纵向方向相同，多个布线层按照彼此相同的设计规则提供。在每个布线层中，第一和第二电极中每一个的两片彼此平行形成，另外，并且彼此远离。然后，在每一层中形成的第一电极通过第一通孔彼此连接，在每一层中形成的第二电极通过第二通孔彼此连接，通过连接第一电极和第一通孔形成的第一结构主体与地线连接，并且通过连接第二电极和第二通孔形成的第二结构主体与电源线连接。
半导体器件