|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 42个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310070789.3无效
-
奥村秀树
-
株式会社东芝
-
2013-03-06
-
2014-01-01
-
H01L29/78
- 本发明涉及半导体装置及其制造方法。该半导体装置具备第一～第四半导体层、栅极、场板电极、绝缘膜、第一、第二主电极及绝缘部。第一、第二半导体层为第一导电型。第二半导体层设置在第一半导体层之上、杂质浓度比第一半导体层低。第三半导体层设置在第二半导体层之上、具有第一部分和第二部分、杂质浓度比第二半导体层低。第四半导体层为第一导电型。栅极从第四半导体层朝第二半导体层延伸、下端处于第二半导体层。场板电极设置在栅极下侧、下端处于第二半导体层。绝缘膜设置在栅极与第四半导体层之间。第一主电极与第一半导体层电连接。第二主电极与第三半导体层及第四半导体层电连接。绝缘部使第一部分与第二部分电绝缘。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201210310956.2无效
-
武舍裕太;酒井隆行;奥村秀树;河野孝弘
-
株式会社东芝
-
2012-08-28
-
2013-09-11
-
H01L21/336
- 实施方式提供一种具备通过自对准而形成的沟槽栅构造的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备：在并排设置于半导体层的多个沟槽的内面形成第一绝缘膜的工序；隔着所述第一绝缘膜形成控制电极的工序；以及形成设置在所述控制电极之上的第二绝缘膜的工序，该第二绝缘膜的上表面处于比沿着所述沟槽的壁面延伸的所述第一绝缘膜的上端靠下的位置。还具备将所述半导体层蚀刻到所述控制电极的所述上端的附近的深度的工序；以及形成第一半导体区域的工序。而且具备：形成导电膜，并在所述第一半导体区域的上部形成第二半导体区域的工序；以及回蚀所述导电层并形成接触孔的工序。
- 半导体装置及其制造方法
- [发明专利]移除连接杆的碎片的方法和装置-CN200580040591.4无效
-
川村真树;奥村秀树
-
本田技研工业株式会社
-
2005-11-25
-
2007-10-31
-
B21K1/14
- 本发明提供了一种移除连接杆的碎片的方法和装置。将连接杆(1)的较大端部(6)放置在基座(50)的台阶部(54)上，并且将其较小端部(5)放置在由减振材料形成的基座(48)上。接通气动振动器(26)以连续供应压缩空气来使所述较大端部(6)与基座(50)一起振动，直到振动的较大端部(6)与接触板件(30)接触。当碎片从所述连接杆的杆体(7)和帽部(8)掉落时，使用集尘器(28)通过抽吸软管(60)将碎片收集到透明的收集袋(64)。上述操作在由盖件(74)关闭的隔音盒(32)中进行。然后，通过使用例如刷将碎片与所述杆体(7)和所述帽部(8)的断开部分分离。
- 连接碎片方法装置
- [发明专利]连杆用断裂槽的加工方法及装置-CN200580030796.4无效
-
奥村秀树;小口嗣夫
-
本田技研工业株式会社
-
2005-11-22
-
2007-08-15
-
B23C3/30
- 本发明提供一种连杆用断裂槽的加工方法和装置。驱动带轮(72)在设置于机体(14)上的旋转驱动源(68)的驱动作用下进行旋转，将驱动带轮(72)的旋转驱动力通过驱动力传递皮带(76)传递给从动带轮(74)，从而使得与上述从动带轮(74)连接为一体的槽加工部(24)进行旋转。上述槽加工部(24)将与从动带轮(74)连接为一体的主轴(34)可旋转支撑在支撑部(32)上，在上述主轴(34)的保持部(48)上设置有外周面具有多个刃部(54)的金工锯(36)。于是，通过将上述金工锯(36)插入到连杆(18)的大端孔(20)的内部中，在上述大端孔(20)上形成截面大致为V字形的第一槽(88)，并且在相对于连杆(18)的轴线与上述第一槽(88)相对的位置上，形成与上述第一槽(88)对称的形状的截面大致为V字形的第二槽(90)。
- 连杆断裂加工方法装置
|
