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[实用新型]射频连接结构及射频前端模组-CN202223089444.6有效
发明人：景影;刘跃;王欢;奉靖皓;方坤;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了射频连接结构，包括基板和射频传输线，所述基板包括信号传输层和至少三层接地层，所述信号传输层和所述至少三层接地层自上而下设置，所述射频传输线设置在所述信号传输层上，所述射频传输线包括串联连接在第一连接端口和第二连接端口之间的至少三部分传输线段，所述第一连接端口被配置为与测试转换接口连接，所述第二连接端口被配置为与芯片上的焊盘接口连接，每一部分传输线段在水平方向上的线宽不同，每一部分传输线段的参考地层为所述至少三层接地层中的其中一个接地层，且每一部分传输线段的参考地层不同；从而改善射频连接结构阻抗不连续的问题，进而优化射频连接结构的回波损耗。
射频连接结构前端模组

[实用新型]一种射频芯片、射频前端模组和射频前端系统-CN202223383597.1有效
发明人：李镁钰;奉靖皓;杨奎;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本实用新型属于射频技术领域，特别是涉及一种射频芯片、射频前端模组和射频前端系统。该射频芯片包括了第一射频信号放大电路，可以实现对射频信号的放大处理，且配置了第一标识符输出电路，可以基于所述第一电源引脚接收到的第一供电电压生成所述射频芯片的第一标识符信号。通过第一电源引脚接收到的第一供电电压即可生成射频芯片的第一标识符信号，不需要借助额外的引脚以及外接电路结构就可以生成第一标识符信号，减少了额外的元器件和引脚的消耗，在保证芯片集成度的前提下方便了对射频前端模组中的该射频芯片的识别。
一种射频芯片前端模组系统

[实用新型]射频连接结构-CN202223087735.1有效
发明人：刘跃;景影;方坤;王欢;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频连接结构，包括基板和射频传输线，所述基板包括信号传输层和第一接地层，所述信号传输层和所述第一接地层自上而下设置，所述射频传输线设置在所述信号传输层上，所述射频传输线的第一连接端口被配置为与测试转换接口连接，所述第一接地层上设有第一镂空结构，所述第一镂空结构与所述第一连接端口在竖直方向上的投影至少部分交叠；从而改善射频连接结构阻抗不连续的问题，进而优化射频连接结构的回波损耗。
射频连接结构

[实用新型]低噪声放大电路和射频前端模组-CN202223174548.7有效
发明人：李镁钰;田昱;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请提供的一种低噪声放大电路和射频前端模组，包括体接触型场效应晶体管、浮体型场效应晶体管和偏置电路，其中，所述偏置电路，包括第一输出端和第二输出端，所述第一输出端输出的信号为第一偏置电压，所述第二输出端输出的信号为第二偏置电压，其中，所述第一偏置电压大于第二偏置电压。本申请通过控制提供给体接触型场效应晶体管和浮体型场效应晶体管的偏置信号的大小，以使得浮体型场效应晶体管避开其产生翘曲效应的区间，从而使得浮体型场效应管晶体管能够一直处于高效的工作区间，进而提高低噪声放大电路的增益。
噪声放大电路射频前端模组

[发明专利]射频开关电路及射频前端模组-CN202211555219.9在审
发明人：陈劲业;王欢;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频开关电路，包括串联连接在第一端子和第二端子之间第一开关单元和第二开关单元，其中，第一开关单元的第一端耦合至所述第一端子，第一开关单元的第二端与所述第二开关单元的第一端连接，第二开关单元的第二端耦合至所述第二端子；第一偏置输出端通过第一加速通路和第二加速通路连接至第一开关单元的偏置控制端、第二开关单元的偏置控制端、以及第一开关单元和第二开关单元的连接节点上，偏置控制电压通过第一偏置输出端和加速通路加载在第一开关单元和第二开关单元的偏置控制端，以切换所述第一开关单元和所述第二开关单元的状态；从而可以减小电路的切换时间，使得射频开关电路的切换速度更快。
射频开关电路前端模组

[发明专利]信号输出系统及电子设备-CN202211633468.5在审
发明人：蓝焕青;杨必文;王欢;奉靖皓;王蕴洲;陈劲业;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H03K17/10 文献下载
摘要：本申请提出一种信号输出系统及电子设备，该信号输出系统包括信号输出模块和电荷泵模块，信号输出模块，用于根据预设控制信号输出对应的预设频率的时钟信号，预设控制信号与负载电路对应，不同负载电路对应的预设控制信号不同；电荷泵模块，用于根据所述预设频率的时钟信号输出对应的预设控制电压，以向对应的负载电路提供所述预设控制电压，预设控制电压与所述负载电路对应，不同负载电路对应的预设控制电压不同。本申请实施例中由于连接的各负载电路对应的预设控制信号不同，因此可以根据实际工作的负载电路相应调整预设控制信号，从而使得最终输出的预设控制电压满足负载电路的需求。
信号输出系统电子设备

[发明专利]射频开关模组和射频开关电路-CN202110744151.8有效
发明人：蓝焕青;王欢;奉靖皓;李海著;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频开关模组和射频开关电路，该射频开关模组包括基板、设置在基板上的射频开关芯片、天线端口和传输线网络；射频开关芯片包括射频开关电路，射频开关电路包括第一开关单元和第二开关单元；传输线网络包括第一传输线和第二传输线，第一传输线将天线端口耦接到第一开关单元的第一端，第二传输线将天线端口耦接到第二开关单元的第一端，第一开关单元的第二端与第一信号传输路径相连，第二开关单元的第二端与第二信号传输路径相连。本技术方案在不需要增加额外谐波信抑制电路的情况下，实现对射频开关电路中的谐波信号进行有效抑制，以减小射频开关电路的占用面积和降低射频开关电路的复杂度，进而提高射频开关电路的整体性能。
射频开关模组开关电路

[发明专利]射频开关电路及射频前端模组-CN202211624521.5在审
发明人：陈劲业;黄浦桓;王欢;付浩彪;王蕴洲;刘跃;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频开关电路，包括射频开关电路包括设置在第一端子和第二端子之间的开关支路，开关支路包括串联连接的N个开关单元，至少一个调谐电路，调谐电路的第一端连接至开关支路的第一节点上，调谐电路的第二端连接至所述开关支路的第二节点上，调谐电路包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的信号输出端耦合至所述调谐电路的第一端，第二晶体管的信号输出端耦合至调谐电路的第二端；第一晶体管的信号输入端与第二晶体管的信号输出端连接，第二晶体管的信号输入端与第一晶体管的信号输出端连接，或者，第一晶体管的信号输入端与第二晶体管的信号输入端连接；实现对开关支路中的谐波信号进行抑制，进而改善射频开关电路的线性度。
射频开关电路前端模组

[发明专利]一种射频开关结构和射频开关模组-CN202211052474.1在审
发明人：王蕴洲;王欢;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频开关结构和射频开关模组，属于射频开关领域，该射频开关结构包括信号输入端、信号输出端和晶体管堆栈；晶体管堆栈包括N个依次串联连接的晶体管，信号输入端与晶体管堆栈的第1个晶体管连接，信号输出端与晶体管堆栈的第N个晶体管连接；在多晶硅层中，将N个晶体管中的至少一个预设栅极叉指的栅极所在的多晶硅区域和金属层中对应的第一区域之间通过第一连接结构连接。本发明的射频开关结构使得晶体管中预设栅极叉指上的实际电阻远小于多晶硅层的方块电阻，从而避免因晶体管的栅极叉指所在的多晶硅层的方块电阻过大导致晶体管中不同栅极叉指存在压降过大的问题，进而有效改善晶体管的耐压性，提升射频开关结构的稳定性。
一种射频开关结构模组

[实用新型]可切换电容电路和低噪声放大器-CN202221453926.2有效
发明人：李海著;李镁钰;宋楠;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可切换电容电路和低噪声放大器，该可切换电容电路，包括N个并联的切换支路，每一切换支路包括串联连接的第一电容和第一开关器件，每一切换支路的第一端共接形成可切换电容电路的输入端，每一切换支路的第二端共接形成可切换电容电路的输出端；N个并联的切换支路，被配置为对可切换电容电路所呈现出的目标电容值进行切换时，使目标电容值呈线性变化，其中，N≧2。本技术方案过在N个并联的切换支路对可切换电容电路所呈现出的目标电容值进行切换时，使目标电容值呈线性变化，从而能够更加精准地调整可切换电容电路的目标电容值。
切换电容电路低噪声放大器

[发明专利]射频接收系统和电子设备-CN202210961825.4在审
发明人：宋楠;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开一种射频接收系统和电子设备。该射频接收系统，包括低噪声放大器、开关单元、控制电路和滤波电路；所述开关单元与所述低噪声放大器相连；所述控制电路与所述开关单元相连，输出控制信号控制所述开关单元工作；所述滤波电路的第一端耦合至所述控制电路的输出端，第二端接地，被配置为，对所述低噪声放大器工作过程的干扰信号进行滤波。本方案中，滤波电路可将射频接收系统中形成的影响低噪声放大器工作的干扰信号短路到地，以滤除干扰信号，减小低噪声放大器的信号波动，从而优化低噪声放大器的噪声系数和射频接收系统的灵敏度。
射频接收系统电子设备

[实用新型]电极结构、晶体管结构和射频开关结构-CN202221263195.5有效
发明人：王蕴洲;王欢;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电极结构、晶体管结构和射频开关结构。该电极结构包括梳指连接部、从所述梳指连接部向垂直于所述梳指连接部的同一方向延伸出的N个导电梳指，N为大于或等于2的正整数，所述导电梳指的径向截面面积，被配置为，靠近所述梳指连接部一端的径向截面面积，大于远离所述梳指连接部的其他部位的径向截面面积，其中，所述导电梳指中远离所述梳指连接部的一端呈弧形状，可调整电极结构在导通状态的等效电阻，使得电极结构处于导通状态时，流经导电梳指的电流均匀，从而提升电极结构的过流能力，解决电极结构导通时存在的电流不均匀流动的问题，以及减小寄生电容，以避免出现尖端放电现象。
电极结构晶体管射频开关

[发明专利]电极结构、晶体管结构和射频开关结构-CN202210521855.3在审
发明人：王蕴洲;王欢;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种电极结构、晶体管结构和射频开关结构。该电极结构包括梳指连接部、从所述梳指连接部向垂直于所述梳指连接部的同一方向延伸出的N个导电梳指，N为大于或等于2的正整数，所述导电梳指与所述梳指连接部之间连接处的角度为钝角，可使导电梳指与梳指连接部之间连接处较平缓，避免连接处产生尖端放电现象，使得连接处电荷积累，使得电极结构所在的晶体管结构出现天线效应，损坏晶体管结构，影响其使用寿命。
电极结构晶体管射频开关

[实用新型]可调节电感器-CN202220234660.6有效
发明人：宋楠;欧阳静云;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01F29/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了可调节电感器，该可调节电感器包括设置在基板上的N个电感线、设置在基板上的多个第一焊盘、与每一第一焊盘对应的第二焊盘和设置在基板上的至少一个表面封装技术器件；第一个电感线的第一节点用于连接可调节电感器的第一端，第一个电感线的第二节点与第二个电感线的第一节点相连，第i‑1个电感线的第二节点与第i个电感线的第一节点连接，其中，2≤i≤N；至少一个电感线的第二节点连接一第一焊盘；至少一个与第二节点连接的第一焊盘和对应的第二焊盘之间设置有表面封装技术器件，每一第二焊盘用于连接可调节电感器的第二端，以在实现对可调节电感器所呈现的电感量进行灵活调整的前提下，还扩大了可调节电感器的应用范围。
调节电感器

[实用新型]射频开关电路及射频前端模组-CN202123272441.1有效
发明人：余文敏;王欢;王蕴洲;刘跃;蓝焕青;陈劲业;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频开关电路及射频前端模组，该射频开关电路，包括晶体管堆栈电路，晶体管堆栈电路的第一端连接至信号传输链路的第一节点上，晶体管堆栈电路的第二端与接地端连接；晶体管堆栈电路包括N个依次串联连接的晶体管，其中，N≥2；晶体管堆栈电路中的每一晶体管的体区通过至少一个体区电阻连接至体偏置电压端，体区电阻被配置为对晶体管堆栈电路中的每一晶体管体区上的泄露电流进行抑制；从而不但可以避免因每一晶体管体区上的泄露电流过大而导致出现射频开关电路的插入损耗过大的问题，还能保证所述晶体管堆栈电路中的每一晶体管所承担压降的均匀性，防止射频开关电路中因晶体管承担电压不一致而导致晶体管被击穿。
射频开关电路前端模组

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