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[发明专利]信号输出系统及电子设备-CN202211633468.5在审
发明人：蓝焕青;杨必文;王欢;奉靖皓;王蕴洲;陈劲业;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H03K17/10 文献下载
摘要：本申请提出一种信号输出系统及电子设备，该信号输出系统包括信号输出模块和电荷泵模块，信号输出模块，用于根据预设控制信号输出对应的预设频率的时钟信号，预设控制信号与负载电路对应，不同负载电路对应的预设控制信号不同；电荷泵模块，用于根据所述预设频率的时钟信号输出对应的预设控制电压，以向对应的负载电路提供所述预设控制电压，预设控制电压与所述负载电路对应，不同负载电路对应的预设控制电压不同。本申请实施例中由于连接的各负载电路对应的预设控制信号不同，因此可以根据实际工作的负载电路相应调整预设控制信号，从而使得最终输出的预设控制电压满足负载电路的需求。
信号输出系统电子设备

[发明专利]射频开关电路及射频前端模组-CN202211624521.5在审
发明人：陈劲业;黄浦桓;王欢;付浩彪;王蕴洲;刘跃;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本申请公开了一种射频开关电路，包括射频开关电路包括设置在第一端子和第二端子之间的开关支路，开关支路包括串联连接的N个开关单元，至少一个调谐电路，调谐电路的第一端连接至开关支路的第一节点上，调谐电路的第二端连接至所述开关支路的第二节点上，调谐电路包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管的信号输出端耦合至所述调谐电路的第一端，第二晶体管的信号输出端耦合至调谐电路的第二端；第一晶体管的信号输入端与第二晶体管的信号输出端连接，第二晶体管的信号输入端与第一晶体管的信号输出端连接，或者，第一晶体管的信号输入端与第二晶体管的信号输入端连接；实现对开关支路中的谐波信号进行抑制，进而改善射频开关电路的线性度。
射频开关电路前端模组

[实用新型]一种射频开关芯片-CN202222417747.X有效
发明人：王欢;王蕴洲;蓝焕青;陈劲业;刘跃;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技(上海)有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种射频开关芯片，属于射频开关领域，包括射频开关电路，射频开关电路包括射频输入端、射频输出端、偏置电压控制端、晶体管堆叠和信号屏蔽结构；晶体管堆叠包括依次串联连接在射频输入端和射频输出端之间的N个晶体管，偏置电压控制端通过所述信号屏蔽结构与至少部分晶体管的栅极连接，信号屏蔽结构包括信号传输线，信号屏蔽结构被配置为减小对信号传输线的信号干扰。本实用新型通过在射频开关电路上设置信号屏蔽结构，能够有效屏蔽掉除信号传输线上模拟信号外的其他干扰信号，实现了偏置电压控制端传输的模拟信号和射频输入端传输的射频信号之间的隔离，防止两种信号之间的互相干扰，有效提升了射频开关芯片的工作稳定性。
一种射频开关芯片

[发明专利]一种射频开关结构和射频开关模组-CN202211052474.1在审
发明人： 王蕴洲;王欢;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频开关结构和射频开关模组，属于射频开关领域，该射频开关结构包括信号输入端、信号输出端和晶体管堆栈；晶体管堆栈包括N个依次串联连接的晶体管，信号输入端与晶体管堆栈的第1个晶体管连接，信号输出端与晶体管堆栈的第N个晶体管连接；在多晶硅层中，将N个晶体管中的至少一个预设栅极叉指的栅极所在的多晶硅区域和金属层中对应的第一区域之间通过第一连接结构连接。本发明的射频开关结构使得晶体管中预设栅极叉指上的实际电阻远小于多晶硅层的方块电阻，从而避免因晶体管的栅极叉指所在的多晶硅层的方块电阻过大导致晶体管中不同栅极叉指存在压降过大的问题，进而有效改善晶体管的耐压性，提升射频开关结构的稳定性。
一种射频开关结构模组

[实用新型]电极结构、晶体管结构和射频开关结构-CN202221263195.5有效
发明人： 王蕴洲;王欢;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电极结构、晶体管结构和射频开关结构。该电极结构包括梳指连接部、从所述梳指连接部向垂直于所述梳指连接部的同一方向延伸出的N个导电梳指，N为大于或等于2的正整数，所述导电梳指的径向截面面积，被配置为，靠近所述梳指连接部一端的径向截面面积，大于远离所述梳指连接部的其他部位的径向截面面积，其中，所述导电梳指中远离所述梳指连接部的一端呈弧形状，可调整电极结构在导通状态的等效电阻，使得电极结构处于导通状态时，流经导电梳指的电流均匀，从而提升电极结构的过流能力，解决电极结构导通时存在的电流不均匀流动的问题，以及减小寄生电容，以避免出现尖端放电现象。
电极结构晶体管射频开关

[发明专利]电极结构、晶体管结构和射频开关结构-CN202210521855.3在审
发明人： 王蕴洲;王欢;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明公开一种电极结构、晶体管结构和射频开关结构。该电极结构包括梳指连接部、从所述梳指连接部向垂直于所述梳指连接部的同一方向延伸出的N个导电梳指，N为大于或等于2的正整数，所述导电梳指与所述梳指连接部之间连接处的角度为钝角，可使导电梳指与梳指连接部之间连接处较平缓，避免连接处产生尖端放电现象，使得连接处电荷积累，使得电极结构所在的晶体管结构出现天线效应，损坏晶体管结构，影响其使用寿命。
电极结构晶体管射频开关

[实用新型]射频开关电路及射频前端模组-CN202123272441.1有效
发明人：余文敏;王欢;王蕴洲;刘跃;蓝焕青;陈劲业;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频开关电路及射频前端模组，该射频开关电路，包括晶体管堆栈电路，晶体管堆栈电路的第一端连接至信号传输链路的第一节点上，晶体管堆栈电路的第二端与接地端连接；晶体管堆栈电路包括N个依次串联连接的晶体管，其中，N≥2；晶体管堆栈电路中的每一晶体管的体区通过至少一个体区电阻连接至体偏置电压端，体区电阻被配置为对晶体管堆栈电路中的每一晶体管体区上的泄露电流进行抑制；从而不但可以避免因每一晶体管体区上的泄露电流过大而导致出现射频开关电路的插入损耗过大的问题，还能保证所述晶体管堆栈电路中的每一晶体管所承担压降的均匀性，防止射频开关电路中因晶体管承担电压不一致而导致晶体管被击穿。
射频开关电路前端模组

[发明专利]射频开关电路-CN202210062720.5在审
发明人： 王蕴洲;王欢;奉靖皓;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H03K17/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频开关电路，包括信号输入端、信号输出端和晶体管堆栈电路；晶体管堆栈电路包括N个晶体管，第i‑1个晶体管的第二端与第i个晶体管的第一端连接，第i个晶体管的第二端与信号输出端连接；每一晶体管的总宽度计算公式为：W＝FW*F*M，其中，W为晶体管的总宽度，FW为栅极梳指的宽度，F为栅极梳指的数量，M为并联梳指管的数量；第一个晶体管中的W值最大，第N个晶体管中的W值最小；每一晶体管的FW值被配置为使得晶体管的击穿电压大于其两端所承受的峰值电压，击穿电压与FW值呈负相关。本技术方案能够使得每一晶体管的击y穿电压均大于其两端所承受的峰值电压，达到避免射频开关电路被损坏的效果。
射频开关电路

[发明专利]射频开关电路和开关控制方法-CN202111160503.1在审
发明人： 王蕴洲;王欢;奉靖皓;蓝焕青;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频开关电路和开关控制方法，该射频开关电路，包括第一射频端口、第二射频端口、第一天线接口、第二天线接口、第一串联射频开关、第二串联射频开关和第一并联射频开关；第一串联射频开关和第二串联射频开关串联设置在第一射频端口和第二射频端口之间；第一串联射频开关的第二端与所述第二串联射频开关的第一端相连；第一并联射频开关一端与第一串联射频开关的第二端和第二串联射频开关的第一端相连；在第一射频端口传输第一射频输出信号至第一天线接口，以及第二射频端口传输第二射频输出信号至第二天线接口时；第一串联射频开关、第二串联射频开关和第一并联射频开关断开，以实现信号接收时的高隔离和信号发射时的高耐压。
射频开关电路开关控制方法

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