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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像显示元件-CN202010627945.1有效
发明人：井口胜次;河西秀典;高桥幸司;前川真澄 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：根据一方面的图像显示元件包括：包含向微发光元件供给电流并使其发光的驱动电路的驱动电路基板、微发光元件、与微发光元件的光射出面接触的微透镜以及配置为在与光射出面平行的方向上、在微透镜的周围的分隔壁，分隔壁的面向微透镜的侧面为以相对于光发射方向打开的方式倾斜且反射光的反射面。
图像显示元件

[发明专利]微型发光元件及图像显示元件-CN202211021373.8在审
发明人：大沼宏彰;窪田健太郎;前川真澄;井口胜次 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种微型发光元件包括：激发光发光元件，其发出激发光；以及红色波长转换部，包含纳米粒子，所述纳米粒子吸收所述激发光，并放出波长比所述激发光长的光，至少在红色波长转换部的光放出侧的面上，具有包含电介质多层膜的1层以上的层叠体。
微型发光元件图像显示

[发明专利]半导体装置-CN202210961280.7在审
发明人：阿部晴几;海原龙;泷本贵博 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置的朝向P型主体区域的N型漏极区域的端部的下方的从第一基准位置到P型扩散区域的端部的沿着P型半导体基板的上表面的方向上的距离与N型漏极区域的STI结构侧的端部的下方的第二基准位置到P型扩散区域的端部的沿着P型半导体基板的上表面的方向上的距离设定为包含N型漂移区域的端部的区域、以及P型扩散区域的P型扩散区域的端部与N型漏极区域之间的区域中的电场的强度为0.35MV/cm以下。
半导体装置

[发明专利]光束合成模块以及光束扫描投射系统-CN202211105257.4在审
发明人：彼得·约翰·罗伯茨;内森·科尔;瓦莱里·博斯奎特;藤井宪晃;增井克荣 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G02B27/10 文献下载
摘要：光束合成模块具备：准直透镜，其接收彼此平行的第一光束和第二光束，并以彼此不平行地出射；第一分光镜，其反射该准直透镜所出射的第一光束；以及第二分光镜，其反射该准直透镜所出射的第二光束，使得在与由第一分光镜反射的第一光束平行的方向上且在空间上重叠。
光束合成模块以及扫描投射系统

[发明专利]显示装置-CN202011458381.X有效
发明人：前川真澄;井口胜次;高桥幸司 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：实现降低串扰以及从第一子像素高效地提取第一波长的光中的至少一方。在图像显示装置(90)中，散射部(21)覆盖红色转换部(22)中的放射第二波长的光的一侧的表面(221)和绿色转换部(23)中的放射第三波长的光的一侧的表面(231)，并且是最大与微型LED元件(201)的一部分相对的大小。
显示装置

[发明专利]发光装置-CN202210184024.1在审
发明人：加藤雅宏;东坂浩由;织田洋树 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01S5/02216 文献下载
摘要：发光装置具备主体部和透镜阵列，该主体部在内部空间内搭载有半导体激光元件，且由金属构成，透镜阵列经由基底连接层和包含焊料的连接层与主体部粘接以对内部空间进行气密密封，其中，基底连接层由具有透镜阵列的热膨胀系数与构成主体部的金属的热膨胀系数之间的热膨胀系数的金属构成。
发光装置

[发明专利]半导体激光装置以及发光装置-CN202210142744.1在审
发明人：早濑行秀;柴田祐佑;北野雅阳 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01S5/02355 文献下载
摘要：半导体激光装置具备：基板；激光发光元件，其直接或者通过其他部件间接地载置于所述基板；框板，其具有内周面，所述内周面固定于所述基板的外周面，具有在厚度方向上延伸的贯通孔；引脚，其插入所述贯通孔内，并与所述激光发光元件电连接；以及密封材料，其堵塞所述引脚与所述贯通孔之间。
半导体激光装置以及发光

[发明专利]微型发光元件、生长基板、制造方法以及图像显示元件-CN202210334462.1在审
发明人：井口胜次;井川祐太;河西秀典 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：微型发光元件包括层叠有N型层、发光层和P型层的氮化物半导体层。在氮化物半导体层的层叠方向上观察时，多个V形坑在氮化物半导体层的区域中，分别配置在与多边形的顶点对应的位置。
微型发光元件生长制造方法以及图像显示

[发明专利]投影仪-CN202210158445.7在审
发明人：横山相朔;田村觉;大井淳平 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G03B21/20 文献下载
摘要：投影仪具有：激光光源；整形部，其对所述激光光源发出的激光进行整形；以及扫描部，其对通过所述整形部整形后的激光束在屏幕上进行二维扫描，所述投影仪构成为：在从所述激光束的光学出射面到所述屏幕的距离一定的状况下，所述激光光源和所述整形部使用与从所述扫描部到所述激光束的光束腰的所述激光束的前端细部分的多个位置的截面分别对应所述激光束的前端，执行所述激光束在所述屏幕上的二维扫描。
投影仪

[发明专利]图像显示元件-CN202111442482.2在审
发明人：井川祐太;山口真司;地主修;桃谷直人;三上恭平 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明的一个方面的图像显示元件中，阵列状的多个发光元件的每一个具有台面形状，在台面形状之间设有与第二导电层连接的布线层以及与布线层连接且与多个发光元件连接的共用第二电极，布线层的层厚比台面形状的层厚薄。
图像显示元件

[发明专利]图像显示元件-CN202111455920.9在审
发明人：井口胜次;大沼宏彰;伊藤晋;安西伸介 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：图像显示元件包括：像素，其配置为阵列状，且包括微型发光元件；驱动电路基板，其包括向所述微型发光元件供给电流并使其发光的驱动电路；微透镜，其针对每个所述像素配置；以及像素间隔壁，其配置在所述像素之间，且从所述微型发光元件的光释放面延伸到所述微透镜。
图像显示元件

[发明专利]激光元件-CN202111357771.2在审
发明人：野口哲宽;谷善彦;中津弘志 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：激光元件(10)具备依次层叠的n型半导体层(13)、发光层(14)及p型半导体层(15)。p型半导体层(15)包括在包含主面(P1)的层设置有接触层(1522)的脊(152)。在侧面(P2)与主面(P1)的边界设有使接触层(1522)凹陷的台阶(1523)。
激光元件

[发明专利]光源装置、显示装置以及光源装置的制造方法-CN202111248476.3在审
发明人：前川真澄;大沼宏彰;下村奈良和;藤田祐介;三上恭平 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种光源装置、显示装置以及光源装置的制造方法。包括：在第一基板的一侧的面上从第一基板侧起依次形成半导体层、发光层、半导体层的发光元件层的形成工序；在发光元件层形成分割槽，并形成多个岛状的发光元件层的工序；至少在分割槽形成由与发光元件层不同的材料制成的光遮挡层的工序；以及在分割槽形成光遮挡层的工序之后，对多个岛状的发光元件层各自的半导体层的一部分进行蚀刻，形成分别具备高度比光遮挡层的高度低的多个岛状的发光元件层的多个发光元件的工序。
光源装置显示装置以及制造方法

[发明专利]半导体模块-CN202111217465.9在审
发明人：大沼宏彰;前川真澄;浦川圭;窪田健太郎;尾家翔太郎 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：半导体模块(1)具备：基底基板(11)，其形成有驱动电路；多个发光元件(13)，其与驱动电路电连接；以及颜色转换层(14B)，其形成在发光元件(13)上，含有颜色转换材料，跟颜色转换层(14B)中的与发光元件(13)侧相反的一侧相比，颜色转换层(14B)中的发光元件(13)侧存在更多的颜色转换层(14B)所含有的颜色转换材料。由此，颜色转换层上侧的平坦性提高，容易在其上形成具有提高光学特性和可靠性的功能的结构。
半导体模块

[发明专利]出射光调整装置及出射光调整方法-CN202110944439.X在审
发明人：伊藤晋;增井克荣;彼得·约翰·罗伯茨 -专利权人： 夏普福山激光株式会社
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G02B19/00 文献下载
摘要：出射光调整装置(20)具备：在从聚光透镜(23)出射的第二出射光(Lo2)的路径的长度与第一距离(Le1)一致的位置获得第二出射光的第一像的第一光束分析器(24)；以及在第二出射光的路径的长度与第二距离(Le2)一致的位置获得第二出射光的第二像的第二光束分析器(25)。
出射光调整装置方法

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