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[发明专利]具有经掺杂的传输栅极的图像传感器-CN201080060139.5有效
发明人：洪·阔克·多恩;埃里克·戈登·史蒂文斯 -专利权人：全视科技有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明揭示一种图像传感器(900)，其包含像素阵列，且至少一个像素包含形成于衬底层(912)中的光检测器(902)及安置得邻近于所述光检测器的传输栅极(910)。所述衬底层进一步包含多个电荷/电压转换区(1104)。单一光检测器可传输所收集的电荷到单一电荷/电压转换区，或者多个光检测器可传输所收集的电荷到由所述光检测器共享的共用电荷/电压转换区。当掺杂剂植入所述衬底层内以形成源极/漏极植入区时所形成的植入区(1406)仅安置于各传输栅极的一部分中，而各电荷/电压转换区无所述植入区。
具有掺杂传输栅极图像传感器

[发明专利]具有横向溢流排出通道的图像传感器-CN200980149790.7有效
发明人：埃德蒙·肯尼思·邦哈特;埃里克·戈登·史蒂文斯;洪·库克·多恩 -专利权人：伊斯曼柯达公司
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：使用双掩膜处理(1300、1500)制造横向溢流排出通道(610)和沟道截断(608)。每个横向溢流排出通道形成在各个沟道截断内。由于使用两个掩膜层，每个横向溢流排出通道的一个边缘与各个沟道截断的边缘对准。
具有横向溢流排出通道图像传感器

[发明专利]具有经扩展耗尽深度的光电检测器-CN200980109894.5无效
发明人： 埃里克·戈登·史蒂文斯;H·Q·多恩;伍舒国;张忠威 -专利权人：柯达公司
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括成像区域，所述成像区域包括形成于第一导电率类型的衬底层(502)中的多个像素(600)。每一像素包括收集区(514)，所述收集区(514)形成于所述衬底层的一部分中且掺杂有第一导电率类型的掺杂剂。多个阱(604)安置于所述衬底层的若干个部分中且掺杂有第二导电率类型的另一掺杂剂。每一阱邻近于每一收集区而横向定位。掩埋层(508)横跨所述成像区域且安置于所述衬底层的位于光电检测器(512)和所述阱下面的一部分中。所述掩埋层(506)掺杂有第二导电率类型的掺杂剂。每一收集区、每一阱和所述掩埋层(508)经形成而使得所述衬底层的与所述衬底层具有大致相同掺杂的区(506)驻存于每一收集区与所述掩埋层之间。
具有扩展耗尽深度光电检测器