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[发明专利]一种SAR-ADC转换误差的优化方法-CN202310816510.5在审
发明人：李良;俞小平;唐映强;曾范洋;顾兵 -专利权人：无锡中微爱芯电子有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03M1/06 文献下载
摘要：本发明涉及模数转换器的设计改进，具体为一种SAR‑ADC转换误差的优化方法，其特征在于，包括如下步骤：包含采样电路、分段式DAC电容电路、共模电压Vcm产生模块、比较器、12bit逐次逼近寄存器控制电路和新增电阻RS组成；在分段式DAC电容电路接地的电容阵列开关处增加一个新增电阻RS，当VB电压从Vcm向低电平变化时；开关S0～S11处的电容处于放电状态；使得VA处出现瞬间的上冲电压通过新增电阻RS抑制VB出现下冲电压；减小或消除ADC在切入转换过程瞬间阵列电容与比较器之间的节点电压产生负压引起阵列电容电荷的丢失，导致最终转换值的偏差；保证了低功耗设计的基础上降低了共模电压、比较器模块的设计难度，节省了设计面积及成本。
一种 sar adc 转换误差优化方法

[发明专利]高温下ESD器件防漏电结构-CN202210734737.0在审
发明人： 唐映强;李良;宗佳佳;李钊华;陈峰 -专利权人：无锡中微爱芯电子有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了高温下ESD器件防漏电结构；包括系统震荡，所述系统震荡上通过时钟线SYSCLK电性连接有SW判断计时，所述SW判断计时上电性连接有SW震荡判断，所述SW震荡判断的一侧通过时钟线SWCLK电性连接有SW震荡，所述SW震荡上电性连接有外接的传感器C0，所述SW震荡判断的另一端电性连接有输出控制和LED显示控制；本发明解决高温下ESD器件漏电对振荡频率的影响，从逻辑结构上进行改进，可以解决类似与此应用方案的误判问题。即通过ESD保护管NMOS1平衡漏电流，从而解决高温下ESD器件漏电对振荡频率的影响。解决了频率误检测而导致的系统误判问题。
高温 esd 器件漏电结构

[发明专利]一种MCU时钟切换电路-CN201811268606.8有效
发明人：胡依婷;陈恒江;唐映强;饶喜冰 -专利权人：无锡中微爱芯电子有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H03K5/135 文献下载
摘要：本发明公开了时钟切换技术领域的一种MCU时钟切换电路，包括第一或非门和第二或非门，所述第一或非门的输出端接第一D触发器的D端，所述第一D触发器的Q端接第三或非门的第一输入端，所述第三或非门的输出端接第二D触发器的D端，所述第二D触发器的Q端接第一与非门的第一输入端，该种MCU时钟切换电路，设计合理，可以根据需要关闭未选择的振荡模块，有利于降低电路的功耗。若新的时钟源还未起振，则不会进行切换，不会产生因为新时钟源未正常起振造成的电路工作异常。时钟切换时不会产生小于新时钟周期的毛刺，利于程序的平稳运行。
一种 mcu 时钟切换电路

[发明专利]一种IGBT驱动电路-CN202010158825.1在审
发明人：李良;彭佳丽;来鹏飞;李行;唐映强 -专利权人：无锡中微爱芯电子有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明公开了驱动电路技术领域的一种IGBT驱动电路，包括限压电路、控制电路、限流电路，所述限压电路包括：第一齐纳二极管；第二齐纳二极管，所述第二齐纳二极管与所述第一齐纳二极管串联，所述控制电路包括限压电路控制输入LP、电阻R2、下拉电阻R3和控制管N3，所述限压电路控制输入LP与所述电阻R2串联，所述下拉电阻R3并联在所述电阻R2与所述控制管N3之间，本发明将分立器件实现的限压电路集成在芯片中，节省了面积，降低了成本，将限压电路与IGBT的驱动电路结合在一个功能块里进一步节省了面积和成本，同时借助IGBT的驱动电路中的电阻限制了限压支路的电流，降低了功耗，保护了驱动芯片的安全。
一种 igbt 驱动电路

[发明专利]一种防止AD采样通道漏电的设计方法-CN201911132782.3在审
发明人： 唐映强;黄坚;俞小平;胡依婷 -专利权人：无锡中微爱芯电子有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明公开的属于AD型集成电路AD采样通道的设计技术领域，具体为一种防止AD采样通道漏电的设计方法，该防止AD采样通道漏电的设计由PMOS1、PMOS2、PMOS3和NMOS1、NMOS2、NMOS3组成，本发明传输门结构，由PMOS1、PMOS2、PMOS3和NMOS1、NMOS2、NMOS3组成，通过PMOS3和NMOS3可以阻止漏电流从PAD流入OUT端，在PAD输入信号高于电源电压VDD或者PAD输入信号小于0V时，不会引入漏电流到AD模块内部，从而解决了该情况下AD转换结果不准的问题。
漏电漏电流设计技术领域传输门结构电源电压集成电路引入

[发明专利]一种应用于MCU复位系统中的抗干扰设计方法-CN201711233641.1在审
发明人： 唐映强;陈恒江;陈峰;王炯翊 -专利权人：无锡中微爱芯电子有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G06F1/24 文献下载
摘要：本发明公开了MCU类集成电路复位系统中的抗干扰设计技术领域的一种应用于MCU复位系统中的抗干扰设计方法，针对应用于较为复杂环境下的MCU，确保其工作的可靠性，不易因一些外界干扰而使电路被复位进入误操作状态。同时对于对复位时间有特殊要求的应用环境，而应用环境干扰信号较弱的情况下，可以通过MCU配置字配置系统复位信号的输出时间，在接收到复位信号之后，复位系统立即响应复位，MCU复位系统中的常见复位方式有上电复位、掉电复位、WDT(看门狗)复位、外部复位等，如果开启复位系统中的某一种或几种复位方式，一旦产生复位信号，MCU整个系统将会被复位而重新开始运行。
一种应用于 mcu 复位系统中的抗干扰设计方法