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- [发明专利]纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法-CN200910272329.2无效
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唐新峰;王娟;张文浩;苏贤礼
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武汉理工大学
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2009-09-29
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2010-06-23
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C01B19/04
- 本发明涉及一种Bi2Se3热电化合物的制备方法。纳米片状Bi2Se3热电化合物的制备方法,其特征在于它包括如下的步骤:1)按NH3·H2O-NH4Cl缓冲溶液∶Bi(NO3)3·5H2O∶C10H14N2Na2O8·2H2O=1 L∶0.02mol∶0.02mol进行配料,混合,并磁力搅拌30min,得到混合溶液A;2)在混合溶液A中按化学式Bi2Se3的化学计量比加入硒代硫酸钠,搅拌均匀得到混合溶液B;3)混合溶液B在氩气保护气氛下,搅拌,得产物C;4)将步骤3)中得到的产物C进行离心,离心得到的沉淀进行冷冻干燥,得到纳米片状Bi2Se3热电化合物。本方法原材料易得,无需还原剂,节约成本,反应时间短,能耗低,重复性好,设备简单,工艺简单,安全无污染,适用于大规模工业生产。
- 纳米片状bisubse热电化合物制备方法
- [发明专利]一种SiGe合金热电材料的制备方法-CN201010028932.9无效
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唐新峰;罗文辉;张文浩
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武汉理工大学
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2010-01-08
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2010-06-16
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C22C1/02
- 本发明涉及一种SiGe合金热电材料的制备方法。一种SiGe合金热电材料的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)以高纯Si块、高纯Ge块和掺杂物为原料,按化学式Si80Ge20X0~3称重,化学式中X表示掺杂物的元素;将高纯Si块、高纯Ge块和掺杂物混合后,在氩电弧熔融炉中熔融2~3次,每次30s,得到合金块体;2)将步骤1)中得到的合金块体碾磨破碎,然后以酒精为球磨工艺控制剂在球磨机中球磨1~2h,干燥后得到合金粉末;3)对步骤2)中得到的合金粉末进行放电等离子烧结,得到致密、块体的SiGe合金热电材料。本发明工艺简单、制备时间短,工艺参数容易控制,所制备的材料性能高。
- 一种sige合金热电材料制备方法
- [发明专利]一种P型高锰硅热电材料的制备方法-CN200910272326.9有效
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唐新峰;罗文辉;林泽冰;杜保立
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武汉理工大学
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2009-09-29
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2010-04-07
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H01L35/34
- 本发明涉及一种高锰硅热电材料的制备方法。一种P型高锰硅热电材料的制备方法,它包括如下步骤:1)以Mn粉和Si粉为原料,按Si粉与Mn粉的摩尔比=1.70~1.85∶1混合,在压片机上压成块状,得到块体;2)将得到的块体在高频感应熔融炉中并在氩气氛保护条件下熔炼,冷却后得到合金块体;3)采用单辊急冷法,首先将得到的合金块体装入单辊急冷设备中,利用高频感应方式将其熔融;4)在氩气氛中对熔融的合金进行甩带,得到高锰硅化合物薄带材料;5)将得到的高锰硅化合物薄带材料碾磨粉碎成粉末,对粉末进行放电等离子体烧结,得到P型高锰硅热电材料。本发明成本低廉、工艺简单,工艺参数容易控制,所制备的材料性能高,具有很高的商业应用前景。
- 一种型高锰硅热电材料制备方法
- [发明专利]纳米Bi2Sr2Co2Oy热电化合物粉体的制备方法-CN200910063059.4无效
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唐新峰;高文斌;张莉;张清杰
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武汉理工大学
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2009-07-06
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2009-12-09
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C01G51/00
- 本发明涉及一种纳米Bi2Sr2Co2Oy热电化合物粉体的制备方法。纳米Bi2Sr2Co2Oy热电化合物粉体的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)将冰醋酸与去离子水按照体积比为1∶1混合,得到冰醋酸溶液;按冰醋酸溶液、Co(NO3)2·6H2O中的Co3+、Sr(NO3)2中的Sr2+、Bi(NO3)3·5H2O中的Bi3+的配比为1L∶0.06mol∶0.06mol∶0.06mol,选取,然后向冰醋酸溶液中加入Co(NO3)2·6H2O、Sr(NO3)2和Bi(NO3)3·5H2O,并搅拌混合,形成混合溶液A;2)制成干凝胶;3)煅烧,得到单相Bi2Sr2Co2Oy热电化合物粉体;4)超声、干燥,即得到纳米Bi2Sr2Co2Oy热电化合物粉体。其方法简单易控、反应周期短、原材料易得、设备简单、安全无污染;最终产物分布均匀、微观结构为纳米尺度。
- 纳米bisubsrco热电化合物制备方法
- [发明专利]高性能纳米结构填充式方钴矿热电材料的快速制备方法-CN200810237420.6无效
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唐新峰;李涵;张清杰
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武汉理工大学
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2008-12-26
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2009-05-20
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C22C1/04
- 本发明涉及一种热电化合物的制备方法。高性能纳米结构填充式方钴矿热电材料的快速制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)配料:以颗粒状Yb、颗粒状Co和颗粒状Sb为起始原料,按化学式Yb0.3Co4Sb12.3称重;2)母合金的制备:将颗粒状Yb、颗粒状Co和颗粒状Sb混合,然后放入熔融炉中,采用2℃/min的升温速度缓慢加热到1100℃,熔融20~30h,得熔体;将熔体在过饱和盐水中淬火,得到母合金;3)将母合金进行清洁处理,置于感应加热炉中熔炼成熔体,然后将熔体旋甩,得非晶/纳米晶复合结构的带状产物;4)将非晶/纳米晶复合结构的带状产物研磨、压片后,用放电等离子烧结,得高性能纳米结构填充式方钴矿热电材料。该方法制备周期短、能耗低、工艺简单易控、安全无污染。
- 性能纳米结构填充式方钴矿热电材料快速制备方法
- [发明专利]CoSb3热电化合物纳米粉体的制备方法-CN200810048439.6无效
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唐新峰;徐源;陈玉立;张清杰
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武汉理工大学
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2008-07-17
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2008-12-24
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B22F9/00
- 本发明涉及一种CoSb3热电化合物纳米粉体的制备方法。一种CoSb3热电化合物纳米粉体的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1).以乙醇为溶剂,配制氯化钴和氯化锑的混合溶液,为A溶液;2).以乙醇为溶剂,配制氢氧化钠和硼氢化钠的混合溶液,为B溶液;3).在超声条件下将A溶液缓慢滴入B溶液中;4).将步骤3)超声处理后的产物进行离心、干燥,得到非晶态前驱体粉末;5).将非晶态前驱体粉末置于H2气氛条件下在管式气氛炉于370-400℃反应时间为5min-60min,即得到粒径为30-50nm的CoSb3热电化合物纳米粉体。该方法工艺简单易控、反应时间短、能耗低、安全无污染、重复性好,制备的CoSb3热电化合物纳米粉体的粒径细小、均匀、纯度高。
- cosbsub热电化合物纳米制备方法
- [发明专利]Bi2Te3热电化合物纳米粉体的制备方法-CN200810048442.8无效
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唐新峰;郑艳丽;柳伟;张清杰
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武汉理工大学
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2008-07-17
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2008-12-24
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C01B19/04
- 本发明涉及一种Bi2Te3热电化合物纳米粉体的制备方法。Bi2Te3热电化合物纳米粉体的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)将Te∶NaBH4按摩尔比1∶2.0~2.1选取后混合,并加入去离子水,得到NaHTe溶液,为A溶液;2)配制浓度为0.05~0.5mol/L的Bi(NO3)3·5H2O水溶液,调节pH值为9~12,为B溶液;3)将B溶液在Ar气气氛下脱气3~10min后,加入A溶液;在Ar气气氛下加热到70~90℃,搅拌反应3~5h;4)将步骤3)得到的产物经去离子水常温下超声、洗涤离心3~5次,真空冷冻干燥,得到Bi2Te3热电化合物纳米粉体。该方法反应周期短、工艺简单易控、可适用于大规模制备,该方法制备的Bi2Te3热电化合物纳米粉体粒径细小、均匀、纯度高。
- bisubte热电化合物纳米制备方法
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