专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种红锥苗期轻基质育苗的方法-CN202210854047.9在审
  • 杨晓慧;潘文;杨会肖;徐放;廖焕琴;朱报著;吴梓莹;徐阡昊 - 广东省林业科学研究院
  • 2022-07-13 - 2022-09-30 - A01G17/00
  • 本发明公开了一种红锥苗期轻基质育苗的方法,涉及红锥种植技术领域,包括步骤:取育苗器,在育苗器中装满轻基质,淋透水备用,取叶片2‑4片,苗高8‑10cm,长势好,无病害的当年生红锥幼苗种植于轻基质中,为穴盘搭建阴网,配置喷水装置,每天喷水一次,每次30min,2个月后,观察红锥幼苗生长状态,取过1cm筛的黄心土,平铺在穴盘中,厚度设置为0.4‑0.6cm,淋透水,并以不加黄心土的轻基质育苗穴盘为对照。本发明采用黄心土加轻基质的混合培养方法,显著提高了幼苗的成活率,出圃苗高显著的提高,出圃叶绿素含量显著的提高,出圃根团重量显著的提高,基质的保水效果好,降低了育苗的成本。
  • 一种苗期基质育苗方法
  • [发明专利]单晶掺杂薄膜、声波谐振器用压电薄膜及其制备方法-CN202110530423.4在审
  • 左成杰;杨凯;林福宏;吴梓莹 - 中国科学技术大学
  • 2021-05-14 - 2021-08-20 - H01L41/18
  • 本发明公开了一种单晶掺杂薄膜、声波谐振器用压电薄膜及其制备方法,单晶掺杂薄膜为在蓝宝石或氮化镓或碳化硅衬底上沉积掺钪氮化铝Al1‑xScxN的压电薄膜。这种压电薄膜由于晶格匹配能获得很高结晶度,在提高掺钪浓度提升压电系数的同时能够保证薄膜的质量,通常FWHM1°;制备声波谐振器时,通过在压电薄膜的指定深度进行离子注入并形成损伤区,并将压电薄膜和高阻硅衬底进行键合,然后将原有衬底剥离,能够将Al1‑xScxN压电薄膜转移到高阻硅衬底上,从而获得高阻硅衬底上的高结晶度的Al1‑xScxN压电薄膜。该种压电薄膜能应用于FBAR等谐振器的设计与制造,有利于射频滤波器与CMOS工艺的集成。
  • 掺杂薄膜声波谐振器用压电及其制备方法

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