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[发明专利]废气的减压除害装置-CN201880025531.2在审
发明人：前田昌志;吉田哲久;柳泽道彦;塚田勉;今村启志 -专利权人：北京康肯环保设备有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： B01D53/76 文献下载
摘要：本发明提供能够使稀释用的氮气的使用极小化、能量的利用效率和经济性优异的废气的除害装置。即，本发明的废气的减压除害装置具有反应筒(16)，该反应筒(16)将经由真空泵(14)从废气产生源(12)供给的废气(E)在形成于其内部的废气处理空间(16a)中通过电热加热器(18)或等离子体加热或激发而进行分解和/或反应处理。在该反应筒(16)的废气出口(20)侧连接有从上述真空泵(14)的排气口到上述反应筒(16)的内部进行减压的后级真空泵(22)。由水封泵构成该后级真空泵(22)，并且设置用清洗水(W)对上述反应筒(16)的废气流路的下游端侧进行水洗的水洗部件(24)。然后，将从该水洗部件(24)供给的清洗水(W)作为上述后级真空泵(22)的密封水。
反应筒真空泵废气除害装置减压清洗水等离子体加热氮气电热加热器废气出口废气处理废气流路侧连接产生源密封水排气口水封泵下游端稀释分解激发

[发明专利]表面处理方法和半导体装置的制造装置-CN02810062.X无效
发明人：高瀬道彦;吉田哲久;水野文二 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-03-25 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种表面处理方法，其特征为，包括：通过等离子体使物质等离子体化，生成第一等离子体化物质及第二等离子体化物质的等离子体化工序；开始向基体导入通过该等离子体而等离子体化的该第一等离子体化物质的开始工序；终止向该基体导入该第一等离子体化物质的终止工序；在该终止工序前观测通过该等离子体而等离子体化的该第二等离子体化物质状态的观测工序；和根据该观测工序的观测结果，控制表示从该开始工序直到该终止工序为止的时间的等离子体处理时间的控制工序，使表示向该基体导入的第一等离子体化物质的总量的总剂量成为所希望的总剂量。
表面处理方法半导体装置制造

[发明专利]晶体管的制造方法-CN98120824.X无效
发明人：平尾孝;吉田哲久;足立和泰;福本彻 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-09-30 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管的制造方法。在具有LDD构造的半导体的制造方法中，在杂质注入时，向靶的注入深度不同的多种杂质离子的原料气体供给等离子空间，在将其离子化后，用电压加速掺入到靶的基板上边的半导体区域中。这时，若是顶栅型的晶体管的话，在半导体区域上的栅电极就作成起掩膜作用的厚度。若是底栅型的晶体管的话，就使用掩膜或抗蚀剂。并且，掺入的角度将根据需要确定适合的值。然后，根据需要，进行杂质的激活。在以上，只用一次杂质的注入，就制造出具有LDD构造的半导体。
晶体管制造方法

[发明专利]硅结构体及其制造方法和装置及使用硅结构体的太阳电池-CN96111130.5无效
发明人：澁谷宗裕;北川雅俊;向井裕二;吉田哲久 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1996-08-22 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： H01L31/0248 文献下载
摘要：一种对太阳电池有用的太阳光线反射小的硅结构体。在石英基片的整个表面上淀积厚约1μm的Mo形成下部电极。使用已加有BCl3的Si2Cl6，通过以硅为主要成分的膜，在下部电极的整个表面上形成由不规则取向的以硅为主要成分的许多圆柱形硅的聚合构成的厚30～40μm的P型硅结构体。借助使用POC13的热扩散法将P扩散到P型硅结构体的表面上，在圆柱形硅的外周部分形成n型区。由厚30～40μm的铟-锡氧化物构成的透明电极形成在P型硅结构体的整个表面上，由厚约1μm的A1构成的上部分电极形成在透明电极上。$
结构及其制造方法装置使用太阳电池

[发明专利]半导体元件的制造设备及制造方法-CN95108536.0无效
发明人：平尾孝;吉田哲久;北川雅俊 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1995-06-09 - 公布日： 2001-12-26 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件的制造设备及制造方法，以高生产率地制作金属与半导体界面的电阻小、特性优异、可靠性高的大面积的半导体元件。打开闸阀2a将备有a－SiＨ薄膜的样品送入样品准备室３，排气至１０＃+[－２]－１０＃+[－３]Pa的压力，从样品室３经中间室１将样品传送到离子照射室４，进行磷等的离子照射。离子照射后，打开闸阀2c，传送到压力１０＃+[－３]～１０＃+[－７]Pa的中间室１，然后打开闸阀2d，传送到淀积室５，将Ar气体导入淀积室５，通过溅射法，进行Al/Ti的金属膜的淀积，经中间室１将样品移出取出室６。$＃!
半导体元件制造设备方法

[发明专利]半导体杂质的激活方法以及激活装置-CN98802095.5无效
发明人： 吉田哲久;北川雅俊;内田正雄;北畠真;三露常男 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-11-30 - 公布日： 2000-02-16 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：对于添加了杂质元素的SiC衬底1和SiC薄膜2,照射波长比引起上述半导体的能带边缘吸收的波长还长的激光5,或者照射由半导体的结构元素与杂质元素之间的结合的振动吸收的波长,例如9—11μm的波长的激光5。特别是当在SiC中添加了Al时,照射波长9.5—10μm的激光5。
半导体杂质激活方法以及装置

[发明专利]制造半导体薄膜的方法及其所用设备-CN98801248.0无效
发明人：北川雅俊;吉田哲久;澁谷宗裕;菅井秀郎 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-06-29 - 公布日： 1999-12-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种制造半导体薄膜的方法包括以下步骤向真空室中供应源气;利用通过施加射频电源产生的射频感应耦合等离子体(ICP),通过等离子体分解来分解所供应的源气,并由利用所分解源气的化学汽相淀积工艺,在衬底上形成预定半导体薄膜,其中通过控制形成半导体薄膜期间衬底的加热温度,控制要形成的半导体薄膜的结晶条件。
制造半导体薄膜方法及其所用设备