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[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488979.5有效
发明人： 刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488430.6有效
发明人： 刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氮化硅和等离子体增强正硅酸乙脂复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，以及设置于所述绝缘层上的场板金属层。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种高效电极抛光机及其使用方法-CN202010326825.8在审
发明人：陈志涛;刘晶晶;姜晖;刘美华 -专利权人：福建师范大学福清分校
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明涉及了一种高效电极抛光机及其使用方法，抛光机构包括第一动力件、转盘以及抛光布，第一动力件的输出轴末端连接于转盘下方，抛光布裹覆于转盘上方；电极固定机构包括第二动力件、电极固定头以及电极固定组件，所述第二动力件的固定端固定于支架上，第二动力件的输出端与电极固定头相连接，所述电极固定头上设置有电极固定位，电极固定组件固定于电极固定位中；所述套筒上端与电极固定位连接，套筒的下端用于插设并固定待抛光电极，螺栓下端用于向待抛光电极的上端施力。利用该高效电极抛光机能够同时对多根待抛光电极同时进行抛光，且能够通过螺栓调节使待抛光电极与抛光布之间达到预设的压力值，从而达到更好的电极抛光效果。
一种高效电极抛光机及其使用方法

[实用新型]一种医用护理托盘-CN201921040443.8有效
发明人：许贤芝;许玉霞;李娟;刘美华;李雄英;何爱美;刘科红 -专利权人：佛山市第一人民医院（中山大学附属佛山医院）
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： A61G12/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种医用护理托盘，包括上部呈矩形的盘体以及下部一体连接的箱体，所述盘体内设有器材放置槽；所述箱体的左右两侧分别设有医疗废物放置抽屉、药品放置抽屉，所述医疗废物放置抽屉内设有若干个放置槽，所述放置槽设有朝上设置的开口，所述放置槽内设有医疗废品容纳槽，所述医疗废品容纳槽通过开口与放置槽可分离式套接。本实用新型具有结构合理、使用方便安全、减少二次污染、方便携带药品的优点。
一种医用护理托盘

[实用新型]一种半导体设备-CN201921572824.0有效
发明人：林信南;游宗龙;刘美华;李方华;児玉晃;板垣克則 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体设备，包括：生长腔体；基座，设置在所述生长腔体内，所述基座允许放置基板；靶材，设置在所述生长腔体内；磁体，设置在所述靶材的相对的位置上；其中，所述基座包括：一加热器，设置在所述基座上；一测温装置，包括多个测温点，所述多个测温点分别设置在所述基座上。本实用新型提出的半导体设备设计合理，结构简单，可提高镀膜的质量。
一种半导体设备

[发明专利]氮化镓半导体器件的制备方法-CN201610178138.X有效
发明人： 刘美华;孙辉;林信南;陈建国 -专利权人：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓半导体器件的制备方法，包括：在氮化镓外延基底的表面上沉积二氧化硅层；在二氧化硅层上形成沉积孔；在沉积孔内沉积P型氮化镓层之后，去除二氧化硅层；在整个器件表面沉积氮化硅层；在氮化硅层上形成源极接触孔和第一漏极接触孔，在P型氮化镓层的上方形成第二漏极接触孔；在源极接触孔、第一漏极接触孔、第二漏极接触孔内，沉积第一金属层；对源极接触孔和第二漏极接触孔之间的氮化硅层、氮化铝镓层进行干法刻蚀，形成栅极接触孔；在栅极接触孔内，沉积第二金属层。防止在漏极进行高压的时候进而产生电流崩塌的现象，防止出现的电流崩塌的现象会损坏氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件制备方法

[实用新型]一种生箔机铜箔风干装置-CN201922422689.8有效
发明人： 刘美华;杨孝坤;邓烨 -专利权人：圣达电气有限公司
申请日： 2019-12-28 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： F26B21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种生箔机铜箔风干装置，包括风箱和定位板，所述风箱的后端端面通过焊接固定连接有定位板，所述风箱的顶端在位于左右对称处贯穿设置有定位环套，所述定位环套通过螺丝栓接固定连接于风箱的顶端，所述定位环套的顶端端口通过焊接固定连接有风机箱体，所述风机箱体的顶端端口处通过焊接固定连接有风网罩，所述风网罩的下方在位于风机箱体的内侧栓接有电机定位架，所述电机定位架的底端中心处通过螺丝栓接有电机，所述电机的底端通过传动轴传动连接有扇叶，直接在将气流增流至铜箔表面，而出现的颗粒物吸附于铜箔表面现象，可大大提高风干良品率，避免因风干而导致产品污染问题。
一种生箔机铜箔风干装置

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710487779.8有效
发明人： 刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述介质层上的绝缘层，所述绝缘层的材质为二氧化硅。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488399.6有效
发明人： 刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氧化铪介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述介质层上的绝缘层，以及设置于所述绝缘层上的场板金属层。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710487764.1有效
发明人： 刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氧化铪介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述介质层上的绝缘层，以及设置于所述绝缘层上的场板金属层。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710488980.8有效
发明人： 刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氮化硅和等离子体增强正硅酸乙脂复合介质层；设置于所述复合介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述复合介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述复合介质层上的绝缘层，以及设置于所述绝缘层上的场板金属层。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[发明专利]氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201710487776.4有效
发明人： 刘美华;林信南;刘岩军 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，提供一种氮化镓半导体器件包括：氮化镓外延层；以及，设置于所述氮化镓外延层上的氧化铪介质层；设置于所述介质层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极分别贯穿所述介质层与所述氮化镓外延层连接；设置于所述源极、漏极和栅极以及所述介质层上的绝缘层，以及设置于所述绝缘层上的场板金属层。本发明的氮化镓半导体器件不易出现击穿氮化铝镓层的现象，进而避免了出现氮化镓半导体器件的漏电以及击穿的问题，有效的保护了氮化镓半导体器件，增强了氮化镓半导体器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种物理气相沉积设备-CN201922116863.6有效
发明人：陈卫军;刘岩军;林信南;刘美华 -专利权人：深圳市晶相技术有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提出一种物理气相沉积设备，包括：生长腔体；至少一第一载台，设置在所述生长腔体内；多个第二载台，设置在所述第一载台上，所述多个第二载台的转速不同于所述第一载台的转速。本实用新型提出的物理气相沉积设备设计合理，能够提高镀膜的均匀性。
一种物理沉积设备

[实用新型]一种锂电池抗压检测设备-CN202020021454.8有效
发明人：常龙娇;刘美华;张富胜;刘佳囡;王雪娇 -专利权人：渤海大学
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： G01N3/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种锂电池抗压检测设备，包括压力检测箱，支撑腿，减震底座，下部防护壳，废屑取孔，可缓冲的压力测试盘结构，收集箱，防护门，观察窗，控制板，触控屏，中央处理器，锂电池主体，支撑网板，支杆，顶紧盘，顶紧杆，内螺纹管和调节手轮。本实用新型将待检测的锂电池放置在支撑网板的上部，并根据锂电池大小的不同，拧动调节手轮带动顶紧杆在内螺纹管内进行转动，从而将顶紧盘顶紧在锂电池的两侧下部，起到约束固定的作用；然后关闭防护门起到遮挡防护的作用，避免压力测试过程中产生的废屑飞溅；测试产生的废屑经过支撑网板的缝隙落入到收集箱内，定期进行清理即可，维护了良好的加工环境。
一种锂电池抗压检测设备

[发明专利]一种方便卸货的轮式机器人-CN202010390750.X在审
发明人：王东爱;刘美华;刘冰;潘宇萌;朱圆民;荆卫国 -专利权人：天津商业大学;天津市盛科新业机电设备技术有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： B25J5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种方便卸货的轮式机器人，包括水平分布的底盘；底盘上，设置有前轮驱动部分、后轮驱动部分以及卸货部分；前轮驱动部分的结构为：底盘的前端枢接有一个前轮；前轮的底部，向下突出于底盘的底面；后轮驱动部分的结构为：底盘的后端安装有两个直流减速电机，两个直流减速电机的电机输出轴，分别联动连接有一个后轮；卸货部分的结构为：底盘的顶部右侧中部，还安装有卸货步进电机架；卸货步进电机架的顶部，安装有卸货步进电机；卸货步进电机的电机输出端，通过卸货用联轴器、曲柄摇杆机构连接有卸货板。本发明能够方便可靠地对货物进行输送传递，并将货物在指定位置进行安全可靠地卸货，更好满足物流企业的使用需求。
一种方便卸货轮式机器人