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[发明专利]气体供给装置和方法、薄膜形成装置和方法及洗涤方法-CN200710152462.5有效
发明人：中尾贤;加藤寿;冈部庸之;冈田充弘;本间学;羽石朋来 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-10-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜形成装置(1)。该薄膜形成装置(1)具有反应室(2)和与反应室(2)连接的排气管(5)，为了向反应室(2)或排气管(5)供给包含氟和氢的洗涤气体，使氟导入管(17c)和氢导入管(17d)连接在反应室(2)上。其中，氢导入管(17d)具有内部流路(174)和以覆盖内部流路(174)的方式形成的外部流路(175)。从内部流路(174)供给氢，从外部流路(175)供给氮。因此，将从内部流路(174)供给的氢在其周围被氮覆盖的状态下，从氢导入管(17d)供给。
气体供给装置方法薄膜形成洗涤

[发明专利]半导体处理用的成膜装置及其使用方法-CN200710139047.6有效
发明人： 冈部庸之;加藤寿 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-24 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法，在卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路内形成第一环境。设定上述第一环境，使上述卤素酸性气体的平均分子量为20～23。该使用方法从上述气体供给源，通过已形成上述第一环境的上述上游气体流路和上述流量控制器，供给上述卤素酸性气体，并将含有上述卤素酸性气体的清洁气体供给至上述成膜装置的反应室内。利用这样供给的上述清洁气体蚀刻并除去附着在上述反应室内面的副生成物膜。
半导体处理装置及其使用方法

[发明专利]气化装置和半导体处理系统-CN200710147868.4有效
发明人： 冈部庸之;大仓成幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-31 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种用于由液体原料得到处理气体的气化装置，该装置包括：气化容器，规定上述气化装置的气化空间；喷射器，安装在上述气化容器中，使上述液体原料呈雾状向上述气化空间内喷出；和加热器，安装在上述气化容器中，对喷出至上述气化空间内的上述液体原料进行加热。气化装置还包括：气体导出路，与上述气化容器连接，使由上述液体原料得到的生成气体从上述气化空间导出；过滤器，配置在上述气体导出路内或上述气体导出路与上述气化空间之间，捕捉上述生成气体中的雾；和红外线照射机构，向上述过滤器照射红外线。
气化装置半导体处理系统

[发明专利]吹扫气体单元和吹扫气体供应集成单元-CN200710140837.6有效
发明人： 冈部庸之;森洋司;稻垣竹矢;杉野彰仁 -专利权人：喜开理株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：为提供具有较小底部空间的吹扫气体单元和吹扫气体供应集成单元，所述吹扫气体单元包括：输入块，该输入块用于将吹扫气体输入到所述吹扫气体单元中，所述输入块包括穿过所述输入块形成以在所述输入块的侧表面中提供开口的吹扫通道、和从所述吹扫通道分叉形成的输入通道；输出块，该输出块用于从所述吹扫气体单元输出所述吹扫气体；以及连通块，该连通块连接至所述输入块和所述输出块，以提供在所述输入块和所述输出块之间的连通。
气体单元供应集成

[发明专利]用于汽化器的液体原材料供应单元-CN200710110099.0有效
发明人： 冈部庸之;大仓成幸;土居广树;伊藤稔;森洋司;西村康典 -专利权人：喜开理株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： F17D1/08 文献下载
摘要：液体原材料供应单元适于对汽化器供应液体原材料。该单元包括：集管，其内形成有流动通道；和多个流体控制阀，它们安装在集管上且包括：液体原材料控制阀；清洗溶液控制阀；吹扫气体控制阀；和第一引入控制阀，它可连接到汽化器上，用于控制从流动通道到汽化器的流体供应，吹扫气体控制阀、清洗溶液控制阀、液体原材料控制阀、和第一引入控制阀从集管的上游侧按此顺序安装在集管上。流动通道分别连接那些控制阀的阀口，这些阀口与相应控制阀的阀开口连通，而且流动通道构造成允许从吹扫气体控制阀供应来的吹扫气体直接在设置于吹扫气体控制阀下游的清洗溶液控制阀和液体原材料控制阀的阀口中流动。
用于汽化器液体原材料供应单元

[发明专利]半导体制造装置、半导体制造装置的流量修正方法和程序-CN200680000931.5有效
发明人：守谷修司;冈部庸之;衣斐宽之;清水哲夫;北川均 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体制造装置，能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正，包括：将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210)，比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置，在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压，在MFC中设定修正的设定电压。
半导体制造装置流量修正方法程序

[发明专利]半导体处理系统和气化器-CN200610146543.X有效
发明人： 冈部庸之;大仓成幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：半导体处理系统，具有将水蒸气供给收容被处理基板的处理室内的气体供给系统。气体供给系统包含用于从纯水得到水蒸气的气体生成装置。气体生成装置包含第一气化部和第二气化部。第一气化部通过在利用载体气体喷雾纯水的同时进行加热，生成包含雾的一次水蒸气。第二气化部通过气化一次水蒸气中的雾，从第一次水蒸气生成处理用水蒸气。第二气化部包含由配置为在第一气化部和处理室之间横穿所述一次水蒸气的通路的、捕捉雾的网状结构体构成的薄膜。
半导体处理系统气化

[发明专利]气化器以及半导体处理系统-CN200610163552.X有效
发明人： 冈部庸之;大仓成幸;氏家一夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社;创研工业株式会社
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从液体原料获得处理气体的气化器(2)，其包括规定了气化器(2)处理空间的容器(40)、以及在容器(40)内具有将液体原料以雾状向下方喷出的喷出口(30a)的喷射器。在喷出口(30a)的下侧，于容器(40)内配置有下部挡块(31)，由此在喷出口(30a)与下部挡块(31)之间，规定了上述雾状液体原料的助动空间(G)，在容器(40)的内侧面与下部挡块(31)之间，规定了与助动空间(G)连续的环状空间(F)。在容器(40)及下部挡块(31)上各自配置有第1以及第2加热器(48、33)，第1以及第2加热器(48、33)加热通过环状空间(F)的雾状液体原料而生成处理气体。为从环状空间(F)中导出处理气体，在容器(40)上连接有气体导出流路(53)。
气化以及半导体处理系统

[发明专利]基板处理装置-CN200580009276.5无效
发明人：守谷修司;冈部庸之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-06-17 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： B01J4/00 文献下载
摘要：本发明的基板处理装置设置有从设置在供给处理气体的气体供给系统的处理室(11)的入口附近的开关阀(13d、14d)的上游侧分支，并连接到排气管(17)的分支配管(18)。在该分支配管(18)上插入气体流量检测机构(19)，并设置用于将流路切换到处理室(11)侧和分支配管(18)的开关阀(13h、14h)。气体流路检测机构(19)使气体在电阻体中流通并测量其两端的压力来从压力差中检测出气体流量。通过该检测值，检测或校正质量流量控制器(13a、14a)。
处理装置

[发明专利]气化器-CN200510107962.8无效
发明人： 冈部庸之;大仓成幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于从气液混合的流体得到处理气体的气化器，具备：容器，规定上述气化器的处理空间；供给头，具有向上述容器内喷出上述流体的多个喷出口；加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体；气体导出通路，与所述容器连接，从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体；雾积存部，在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。
气化

[发明专利]半导体制造装置和半导体制造方法-CN200480004339.3有效
发明人： 冈部庸之;金子健吾 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-07-14 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： G05D7/06 文献下载
摘要：本发明的半导体制造装置具有：用于对基板进行处理而在基板上制造半导体装置的处理部；用于向所述处理部供给所述基板的处理所需要的流体的流体供给通路；输出与所述流体的设定流量对应的设定电压的设定电压输出部；设置在所述流体供给通路中、根据所述设定电压调整所述流体的流量的质量流量控制器；设置在所述流体供给通路中的所述质量流量控制器的上游侧的第一遮断阀；和设置在所述流体供给通路中的所述质量流量控制器的下游侧的第二遮断阀。所述质量流量控制器具有：检测所述流体的实际的流量而输出对应的检测电压的检测部；将所述设定电压与所述检测电压比较而输出操作信号的比较部；和根据所述操作信号调整流体的流量的流量调整部。设置了存储所述第一遮断阀和所述第二遮断阀关闭时从所述质量流量控制器的所述检测部输出的检测电压的存储部。设置了根据所述存储部存储的检测电压，按照补偿所述流体的实际流量为零时的检测电压的变化的方式修正所述设定电压的设定电压修正部。
半导体制造装置方法

[发明专利]流体控制装置-CN02828788.6有效
发明人：星丈治;冈部庸之;五岛宪一;小林英雄;长屋晓典;山路道雄;吉川和博;川野祐司 -专利权人： CKD株式会社;株式会社富士金
申请日： 2002-04-23 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： F24H1/10 文献下载
摘要：一种流体控制装置，其中，在线(A)(B)的两侧配置有带式加热器(11)，而且在该线(A)(B)内在相邻的流体控制器间的多处设有容纳用于保持带式加热器的夹子(13)的间隙，带式加热器(11)由从其两侧夹紧的夹子(13)保持在线(A)(B)上，带有加热器的线(A)(B)安装在可装卸地安装于基座部件(1)上的线支承部件(10)上。在线支承部件(10)上设有沿长度方向延伸的加热器插入孔(14)，在该孔(14)中插入护套加热器(12)。
流体控制装置

[实用新型]流体控制装置和热处理装置-CN03203318.4无效
发明人： 冈部庸之;大仓成幸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-02-07 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本实用新型涉及流体控制装置和热处理装置。在现有的气体供应系统中，由于气体管路有转换阀、过滤器、压力调节器及压力传感器而不能充分实现系统小型化。为此提出一种流体控制装置，它有包括设有流量控制器的第一区域、在第一区域上游的且有压力调节机构和/或压力监视机构的第二区域的气体管路、设在气体管路第二区域的上游的且连接流体供应源的多个连接机构。还提出一种流体控制装置，它有多个气体管路和连接机构，气体管路分别有第一区域和第二区域，至少一条气体管路有第一部分和连接机构设置于其上的第二部分。还提出一种热处理装置，它有流体控制装置和通过流体控制装置接受流体的反应处理炉。流体控制装置和热处理装置主要用于半导体制造。
流体控制装置热处理

[发明专利]热处理装置和热处理方法-CN02805763.5有效
发明人： 冈部庸之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-03-13 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的热处理装置包括：将被处理体被运入和运出的反应容器；用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体导入部；与所述处理气体导入部分别设置，用于将置换气体导入所述反应容器内的置换气体导入部；以及用于排出所述反应容器内的气体的排气部。控制部连接到所述处理气体导入部、所述置换气体导入部和所述排气部。控制部控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低，接着控制所述处理气体导入部和所述置换气体导入部，停止所述处理气体的导入，将置换气体导入所述反应容器内，同时控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时高，接着控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低。
热处理装置方法

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