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[发明专利]动态性处理器电源管理装置及方法-CN200880024649.X无效
发明人： A·布拉诺维尔;F·P·赫尔姆斯;J·M·欧文;K·莱夫丘克;M·斯泰因曼;P·麦基 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-05-16 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：本发明系提供一种可操作在不同电源模式中的处理器(105)。在主动电源模式中，该处理器执行软件(303)。响应于收到来自该软件的暂停指示(304)，在处理器里的硬件就为该处理器评估总线事务(306)。如果该总线事务满足试探(307)，则硬件让处理器核心处于低电源模式，例如保留模式(308)。因为该总线事务是由硬件来评估，而不是由软件，且该软件不需要进行交握与其它协议来让该处理器处于低电源模式，故该处理器能够更快地让该处理器核心进入到该低电源模式，因此节省电源。
动态处理器电源管理装置方法

[发明专利]半导体存储装置以及用于制造该半导体存储装置的方法-CN200880017631.7有效
发明人： H-J·卓 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：本发明系提供一种用于制造存储装置的方法，包括：提供半导体基板(505)，该半导体基板包含：具有第一导电类型的第一阱区(532)、具有第一导电类型的第二阱区(534)、覆于该第一阱区(532)上的第一栅极结构(562、566)以及覆于该第二阱区(534)上的第二栅极结构(568、574)；共形地沉积绝缘材料层(569)覆于该半导体基板(505)的暴露部分上；在覆于该第二阱区(534)的一部分的该绝缘材料层(569)的一部分上方提供感光材料(575)；该感光材料(575)暴露出部分的该绝缘材料层(569)；该绝缘材料层(569)的该暴露部分系被非等向性蚀刻以提供邻接该第二栅极结构(568、574)的第一侧壁的侧壁间隔物(sidewall spacer)(572)，以及覆于该第二栅极结构(568、574)的一部分上且邻接该第二栅极结构(568、574)的第二侧壁所形成的绝缘间隔物区块(570)；漏极区域(542)及源极/基极区域(550)系形成在该半导体基板(505)中邻接该第一栅极结构(562、566)，以及阴极区域(558)系形成在该半导体基板(505)中邻接该第二栅极结构(568、574)；该漏极区域(542)、该源极/基极区域(550)以及阴极区域(558)具有第二导电类型；第一导电类型的阳极区域(552)系形成于该源极/基极区域(550)中邻接该第二栅极结构(568、574)。
半导体存储装置以及用于制造方法

[发明专利]用于薄SOI整合的MOS晶体管及其制造方法-CN200880024931.8无效
发明人： J·A·雅各布尼;K·迈特拉 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-07-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供用于薄SOI整合的MOS晶体管(100)及此种MOS晶体管的制造方法。一个范例方法包含以下步骤：提供覆盖在埋植绝缘层(104)上的硅层(106)以及外延生长覆盖在该硅层上的含硅材料层(108)。在该含硅材料层内蚀刻沟槽(112)而使该硅层曝露。该沟槽内形成MOS晶体管栅极堆栈(148)。该MOS晶体管栅极堆栈包括栅极绝缘层(138)以与门极电极(140)。利用该栅极堆栈作为注入掩膜而将导电率决定类型的离子(142)注入在该含硅材料层内。
用于 soi 整合 mos 晶体管及其制造方法

[发明专利]具有同时的无序调度之分布式调度-CN200880011640.5有效
发明人： G·W·沈;S·利 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：在一个实施例中，本发明系揭露一种包括指令缓冲器(instruction buffer)(20)以及选取单元(pick unit)(26)之处理器(10)。该指令缓冲器(20)被连接用来接收从指令缓存(instruction cache)(14)所提取(fetch)的指令。该选取单元(26)被构造用来从该指令缓冲器(20)中选择多达N个指令以供同时传送至多个时槽(slot)(34A-34D)中的个别时槽，其中N为大于1的整数。此外，该选取单元(26)被构造用来将所选择的指令中的最旧的指令传送至该多个时槽(34A-34D)中的任何一个，即使所选择的指令的数目大于1。该选取单元(26)被构造用来基于该最旧的指令被传送至的时槽而同时将所选择的指令中的其它指令传送至该多个时槽(34A-34D)中的其它时槽。
具有同时无序调度分布式

[发明专利]包括多个处理器的系统以及操作该系统的方法-CN200880018013.4有效
发明人： U·克拉尼奇 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：一种系统(300)包括主控处理器(301)及至少一个从属处理器(321、331)。该主控处理器(301)的状态包括第一多个变量，且该从属处理器(321、331)的状态包括第二多个变量。该系统(300)包括由该主控处理器(301)及该从属处理器(321、331)处理数据的并行操作模式、以及由该主控处理器(301)处理数据的串行操作模式。响应该并行操作模式中发生的中断或异常，该系统(300)执行下列步骤：将该第一多个变量及该第二多个变量的至少一部分储存到缓冲存储器(313)；以及将该系统(300)切换到该串行操作模式。响应该从属处理器(321、331)中发生的异常，则将该第一多个变量中的至少一个变量设定为该第二多个变量中的至少一个变量的值。
包括处理器系统以及操作方法

[发明专利]以晶体管特定的接触设计来增强晶体管性能的技术-CN200880013012.0有效
发明人： M·热拉尔;R·里希特;T·费乌德;U·格里布诺 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-04-17 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：藉由例如局部调适在个别晶体管(210、210A、210B)内接触结构(230A、230B)的尺寸和/或密度，或者以更总体的方式，可以增加先进半导体装置(200)的总性能。因此，该接触结构(230A、230B)与局部装置特性之间的彼此互动可以列入考虑。另一方面，可以保持与习知制程策略的高度兼容性。
晶体管特定接触设计增强性能技术

[发明专利]具有低功率缓存存取模式的数据处理装置-CN200880014524.9无效
发明人： A·布拉诺维尔;F·P·赫尔姆斯;M·斯坦曼 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-05-02 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种可操作于三种不同模式的处理器。于主动模式中，提供第一电压给该处理器，其中该第一电压足以容许该处理器执行指令(402)。于低功率模式中，提供保持电压(retention voltage)给该处理器(408)。相较于在主动模式中，该处理器于保持模式中会消耗较少的功率。此外，该处理器可操作于第三种模式，其中电压提供给该处理器而足以容许该处理器处理缓存(cache)消息，例如一致性(coherency)消息，但不足以使处理器执行其它正规的操作或只能够在速度相对于主动模式缓慢很多的情况让处理器进行正规的操作(412)。
具有功率缓存存取模式数据处理装置

[发明专利]静电释放保护器件及制造包含静电释放保护器件的半导体器件的方法-CN200880022756.9无效
发明人： A·萨勒曼;S·比比 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-06-26 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制作半导体器件(150)的方法。第一栅极电极(160)跟第二栅极电极(162)系形成在硅衬底(104)的第一部分(114)上。第一导电率类型离子系注入该硅衬底(104)的第二部分(116)中，以定义该硅衬底(104)内的第一导电率类型二极管区域(116)，然后第二导电率类型离子系注入该硅衬底(104)的第三部分(118)中，以定义出该硅衬底(104)内的第二导电率类型二极管区域(118)。在注入该第一导电率类型离子与该第二导电率类型离子之其中之一的步骤中，离子也被注入至少一部分(119)的该第一部分(114)中，以定义出该硅衬底(104)的该第一部分(114)内的分隔区域(119)。该分隔区域(119)将该第一部分(114)分成第一阱器件区域(115)以及第二阱器件区域(117)，并且在该第一阱器件区域(115)跟该第二阱器件区域(117)之间串联形成。
静电释放保护器件制造包含半导体器件方法

[发明专利]应变强化型半导体器件及用于该半导体器件制作的方法-CN200880011697.5有效
发明人： J·N·潘;S-P·孙;A·M·韦特 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种应变强化型半导体器件(30)及用于该半导体器件制作的方法。一种方法，包括嵌入应变引发(strain inducing)半导体材料(102、106)于该器件的源极区(103、107)及漏极区(105、109)中来引发器件沟道(70、72)中的应变。薄金属硅化物接触件(metal silicide contact)(112)系形成于该源极区和该漏极区使所引发的应变不致于被消除。一层导电材料(114、116)系被选择性地沉积而与该薄金属硅化物接触件接触，而金属化接触件(metallized contact)(22)则形成于该导电材料。
应变强化半导体器件用于制作方法

[发明专利]通过增进的蚀刻控制策略来图案化形成的晶体管上方的受不同应力层的技术-CN200880011687.1有效
发明人： M·沙勒特;H·萨尔斯;R·里克特;S·马蒂克 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-02-28 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：于图案化具有不同类型之本质应力之受应力层的期间，能够通过根据指示蚀刻率及个别蚀刻工艺(205)之效能的光学测量数据(281)的受控蚀刻(205)，而大幅减少介于第一及第二介电层(230、240)间之二氧化硅基底的蚀刻指针材料之沉积的影响。于其它的范例中，能够将高度有效的蚀刻指针种类并入受应力的介电层(330、340、430、440)中，或能够以减少的层厚度形成于该受应力的介电层的表面部分上，藉此提供增进的端点侦测讯号，而不会产生二氧化硅基底指针层之负面影响。于一个例示具体实施例中，受应力的含硅、氮及碳之层(330)能够与受应力的含硅及氮之层(340)结合，其中碳种类提供突出的端点侦测讯号。
通过增进蚀刻控制策略图案形成晶体管上方不同应力技术

[发明专利]非ECC组件中的ECC实现-CN200880013299.7有效
发明人： M·J·埃泰尔;R·S·波尔青;A·科切夫;M·B·斯坦因曼 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种用来于非错误更正码(ECC)兼容组件中执行错误更正码检查的方法和装置。本方法包含接收逻辑地址，其中该逻辑地址映对至存储器的第一和第二物理地址。存储器的第一和第二物理地址对应于分别储存数据和相应ECC的存储器位置。本方法复包括转译逻辑地址成该第一和第二物理地址、通过数据通路存取该数据、通过相同的数据通路各自地存取ECC、以及检查使用该ECC的数据的完整性。
ecc 组件中的实现

[发明专利]门控横向闸流管存储器单元以及内装有该存储器单元的集成电路-CN200880016711.0有效
发明人： H-J·周 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： G11C11/39 文献下载
摘要：提供一种存储器单元(410)，其系包含存取晶体管(470)与门控横向闸流管(GLT)器件(460)。该存取晶体管(470)包含源极节点(474)。该门控横向闸流管(GLT)器件(460)包含与该存取晶体管(470)之该源极节点(474)耦合的阳极节点(462)。
门控横向流管存储器单元以及装有集成电路

[发明专利]微码仿真存储器的高速缓存-CN200880018278.4有效
发明人： G·劳特巴赫;B·R·霍洛韦;M·G·布特勒;S·赖 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-05-28 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：一种处理器，包括含有1阶高速缓存和更高阶高速缓存的高速缓存层次结构。该处理器映射部分的物理存储器空间到部分的该更高阶高速缓存、执行指令，至少一些该指令包括微码，允许微码来存取该更高阶高速缓存的该部分、与防止不包括微码的指令来存取该更高阶高速缓存的该部分。该物理存储器空间的该第一部分系可永久地分配给微码来使用。该处理器可把该更高阶高速缓存的该第一部分的一个或更多的高速缓存列从该更高阶高速缓存移到该1阶高速缓存的第一部分、允许微码来存取该第一1阶高速缓存的该第一部分，与防止不包括微码的指令来存取该第一1阶高速缓存的该第一部分。
微码仿真存储器高速缓存

[发明专利]使用垫调节装置的传感信号来控制化学机械研磨的方法及系统-CN200910146241.6无效
发明人： J·克雷默;U·G·施特克格恩;J·库纳特 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2004-02-26 - 公布日： 2010-04-14 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：在本发明的系统与方法中，源自垫调节系统的驱动组件的传感信号，例如电机电流信号，被用来估计化学机械研磨(CMP)系统内的一个或更多的消耗品(113)的状态。
使用调节装置传感信号控制化学机械研磨方法系统

[发明专利]使用选择性反向偏置的动态泄露控制-CN200880012112.1无效
发明人： D·清水;D·王;Q·陈 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：描述了一种与图形处理器电路一起使用的动态泄露控制电路的实施例。该动态泄露控制电路选择性地在特定工作模式期间启用包括该图形处理器电路的晶体管的反向偏置。通过两个单独的电源轨来控制反向偏置电平。第一电源轨耦合到现有的电源而第二电源轨耦合到单独的可调电压调节器。也可以为第一电源轨提供单独的电压调节器。对基于硬件的状态机或者软件过程进行编程以检测一个或者多个工作模式的发生并且调节用于第一和第二电源轨的电压调节器，以启用或者禁用该电路的反向偏置状态，或者在指定的电压范围内改变该电路的阈值电压。
使用选择性反向偏置动态泄露控制