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[发明专利]形成具有不同特性的晶体半导体区域之衬底的方法-CN200580022269.9有效
发明人： W·布赫霍尔茨;S·克吕格尔 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-05-25 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：藉由在第一晶体半导体区域内形成电介质区域以提供单一衬底上之不同类型的晶体半导体区域。其后，使用晶圆结合技术将第二晶体区域置于电介质区域上。在优选实施例中，伴随电介质区域会在第一晶体层形成隔离结构。更详而言之，可以形成不同晶体方向的晶体半导体区域，其可在目前常用的互补金属氧化物半导体(CMOS)制程中维持高灵活性和兼容性。
形成具有不同特性晶体半导体区域衬底方法

[发明专利]管理多个多用途媒体存取数据处理系统用的系统-CN200580020018.7无效
发明人： B·B·詹诺蒂;J·拉文;D·C·沃尔;B·黑尔 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：一种多用途媒体存取装置，包括：通讯接口，可操作以控制前述的多用途使用者装置与至少一个通讯网路之间的数据传输；数据储存模块，可操作以储存使用者数据与唯一的使用者识别符；程序储存模块，具有至少一个可执行程序储存在其中，其中该程序包含使用该唯一的使用者识别符之指令，使得用于该多用途媒体存取装置之预定组之操作特征能够运作，根据使用者个人资料(profile)结合前述的唯一使用者识别符而使有限组的数据传输能力在该通讯网路上能运作；处理器，可操作以执行储存在前述的程序储存模块内之前述的可执行的程序，以处理储存在前述的资料储存模块中之数据，产生一组使用者数据；以及显示器，用来显示该已处理的使用者资料。
管理多用途媒体存取数据处理系统系统

[发明专利]多用途媒体访问数据处理系统-CN200580019363.9无效
发明人： T·E·珀利;M·J·施滕贝尔;J·拉文;D·C·沃尔 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：一种多用途媒体访问装置，包含可操作用以控制多用途使用者装置与至少一个通信网络间数据传输的通信接口、可操作用以储存使用者数据(user data)与特殊使用者识别码(user identifier)的数据储存模块、具有至少一个可执行程序储存于其中的程序储存模块、可操作用以执行储存于程序储存模块的可执行程序而处理储存于数据储存模块的数据从而产生一组使用者数据的处理器、与用以显示该处理过的使用者数据的显示器；其中该程序，包含利用该特殊使用者识别码依据关联于该特殊使用者识别码的使用者个人概况(user profile)，赋予一组预定操作特点能使该多用途媒体访问装置在该通信网络上能有一种有限组数据传输能力的指令。
多用途媒体访问数据处理系统

[发明专利]控制多用途媒体存取数据处理系统用的系统-CN200580020017.2无效
发明人： D·C·沃尔;J·拉文;C·A·斯文 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：多用途媒体存取装置，其系包含可操作的通信接口以控制多用途使用者装置与至少一个通信网路之间的数据传输、可操作的数据存储模块以存储使用者数据(user data)与唯一的使用者识别码、程序存储模块，其系具有至少一个可执行程序存储在其中，该程序包含指令以利用唯一的使用者识别码使多用途使用者装置的操作特征的预定组能运作，以根据结合唯一的使用者识别码的使用者个人资料(user profile)，使在通信网路上的数据传输能力的有限组可运作、可操作的处理器以执行可执行的程序，该程序系存储在程序存储模块以用来处理资料，该资料系存储在数据存储模块中以产生一组使用者数据(user data)、以及显示器，以用来显示已处理的使用者资料。
控制多用途媒体存取数据处理系统系统

[发明专利]在就地计算中具有用于最小潜伏的分区存储的快速傅立叶变换电路-CN200580006815.X无效
发明人： J－P·沈;C－M·黄;C·(R)·薛;O·卡内隆斯 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-02-26 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： G06F17/14 文献下载
摘要：一种快速傅立叶变换电路(10)，系使用一个基数四的蝶形单元(12)与用于储存明定数目的数据值的分区存储(16a、16b)而实现。该基数四的蝶形单元系配置以完成规定数目的快速傅立叶变换阶段(30a、30b、30c)的操作，各阶段包含相对于规定数目数据值的规定数目就地计算操作(32)。该分区存储系包含第一存储部分与第二存储部分，而将该用于快速傅立叶变换电路的数据值(34、36)均等地分配以储存在第一与第二存储部分，以确保各就地计算操作系基于从各第一与第二存储部分撷取一相等数目的数据值。
就地计算具有用于最小潜伏分区存储快速傅立叶变换电路

[发明专利]形成侧壁间隔物的方法-CN200580017616.9无效
发明人： M·伦斯基;F·格雷奇;C·赖歇尔;C·施万;H·比尔施泰特;T·卡姆勒;M·马楚尔 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-03-29 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明可在衬底上的特征部位之邻接处形成侧壁间隔物，而不会对该特征部位发生非期望的侵蚀。一个或多个保护层覆盖于该特征部位。在该特征部位之上沉积间隔物材料层，并以各向异性的方式蚀刻该间隔物材料层。在该各向异性蚀刻中，系使用适于选择性地去除该间隔物材料的蚀刻剂，但是该等一个或多个保护层大致不会受到该蚀刻剂的影响。因此，该等一个或多个保护层使该特征部位不会暴露于该蚀刻剂。
形成侧壁间隔方法

[发明专利]验证将加载作业的推测结果连结到缓存器值的存储档案的系统及方法-CN200480042940.1有效
发明人： B·T·桑德尔;K·V·拉马尼;R·W·哈达德;M·阿尔苏普 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： G06F9/38 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用来将加载作业的推测结果连结到缓存器值的系统及方法。系统包含存储档案，该存储档案包含被设定成储存第一寻址式样及第一标记的数据项。该存储档案被设定成：将该第一寻址式样与加载作业的第二寻址式样比较，且若两者相符，则将该第一标记所识别的数据值连结到该加载作业的推测结果。该系统进一步包含：耦合到该存储档案的执行核心，且该执行核心被设定成于执行与该加载作业相依的第二作业时存取该推测结果；以及耦合到该存储档案的加载储存单元，且该加载储存单元被设定成执行一个或多个地址间的比较而验证该数据值与该加载作业的该推测结果间的连结。
验证加载作业推测结果连结缓存存储档案系统方法

[发明专利]用于增进信道载子移动性之具有高应力衬料之基于Si－Ge的半导体装置-CN200580014063.1有效
发明人： S－P·孙;D·E·布朗 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-04-19 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：藉由采用应力衬料增加在Si－Ge装置的晶体管信道区内之载子移动性，于实施例中包括在松弛源极/漏极区上运用高压缩或拉伸应力膜，并且在其它实施例中包括于除去硅化物间隔件后，在P－信道或N－信道晶体管的栅极电极(72)与应变硅源极/漏极区(71)之上方，各别地运用高压缩(90)或高拉伸应力膜(120)。
用于增进信道移动性具有应力衬料基于 si ge 半导体装置

[发明专利]具有可调栅极功函数的双金属CMOS晶体管以及其制法-CN200580013182.5有效
发明人： J·潘;林明仁 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-04-19 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种双金属CMOS之配置以及其制法，系提供一衬底(10)以及在衬底(10)上形成之多个NMOS器件(44)与PMOS器件(46)。各多个NMOS器件(44)与PMOS器件(46)具有栅极电极。各NMOS栅极电极包含衬底(10)上的第一硅化物区(50)与第一硅化物区(50)上的第一金属区(48)。该NMOS栅极电极的第一硅化物区(50)系由一个具有接近硅导电带的功函数的第一硅化物(50)组成。各PMOS栅极电极包含衬底上的第二硅化物区(54)与第二硅化物区(54)上的第二金属区(52)。该PMOS栅极电极的第二硅化物区(54)系由一个具有接近硅价带的功函数的第二硅化物(54)组成。
具有可调栅极函数双金属 cmos 晶体管及其制法

[发明专利]用于无线局域网络通讯系统的深睡眠模式-CN200580013033.9无效
发明人： T·费希伦德;R·弗莱明;C·温克 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-02-24 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H04L12/28 文献下载
摘要：本发明提供一种施行于无线局域网络(WLAN)通讯之WLAN通讯装置(120)，该WLAN通讯装置包括物理连接单元(145)、物理连接振荡器(150)、和控制单元(140)。该物理连接单元(145)提供WLAN通讯装置(120)与无线通讯媒介之物理连接。物理连接振荡器(150)提供物理连接时钟信号至物理连接单元(145)。控制单元(140)控制物理连接振荡器(150)之操作。WLAN通讯装置(120)可工作于通讯模式和深睡眠模式。当进入深睡眠模式时，控制单元(140)调适以解除物理连接振荡器(150)之起动。各实施例可提供扩大之减少WLAN通讯装置(120)之电源消耗。
用于无线局域网络通讯系统睡眠模式

[发明专利]制造接触孔的系统及方法-CN200580012792.3无效
发明人： A·M·明维列;C·E·塔贝里;H－E·金;J·季 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-03-07 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在集成电路器件(10)的接触层(56)中形成多个接触孔(20、24)的方法，其中该多个接触孔(20、24)包含具有沿着第一方向以第一节距规则间置的多个接触孔(20)及具有沿着第二方向以第二节距间置的多个局部隔离的接触孔(24)。双偶极照射源(42、44)可以透过具有对应于所需的接触孔图案之图案的掩膜(48)而传送光线能量。该双偶极照射源(42、44)可以包含第一偶极光圈(60)及第二偶极光圈(62)，该第一偶极光圈(60)被定向并被优化用于图案化该规则间置的接触孔(20)，以及第二偶极光圈(62)，该第二偶极光圈(62)被定向实质上正交于该第一偶极光圈(60)并被优化用于图案化该多个局部隔离的接触孔(24)。该接触层(56)可以使用该图案化的光刻胶层(58)而蚀刻。
制造接触系统方法

[发明专利]在半导体装置制造中减少浅沟槽隔离凹陷区形成的方法-CN200580006814.5有效
发明人： D·J·邦瑟;J·格罗舍普弗;S·达克希那－穆尔蒂;J·G·佩尔兰;J·D·奇克 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-02-26 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：藉由使用非常薄之氮化物抛光终止层(52)，例如，厚度不超过400埃，而消除或基本上减少浅沟隔离凹陷区之形成。非常薄之氮化物抛光终止层(52)在后续屏蔽、注入和清除步骤期间保持于位置上，以形成掺杂区域(80)，并于栅极氧化物(101)与栅极电极(100)形成前，去除该非常薄之氮化物抛光终止层(52)。
半导体装置制造减少沟槽隔离凹陷形成方法

[发明专利]用于高速传输网际网络协议安全（IPSEC）处理之两个并行引擎-CN200580006794.1有效
发明人： M·卡尼茨;J·德沃克;R·A·威廉斯;M·Y·马尼亚;S·维斯瓦纳特 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-02-26 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明系关于用于接口连接主系统(6)与网络(8)的网络接口系统(2)。该网络接口系统(2)包括总线接口系统(4)、媒体存取控制系统(10)，以及安全系统(14)。该网络接口(2)从主系统(6)卸除IPsec处理。依照本发明，安全系统(14)包括用来加密输出数据之二个处理器(20、21)。输出数据包选择地送至处理器(20、21)之其中一个或另一个，由此发送处理能够相关于接收处理而加速。
用于高速传输网际网络协议安全 ipsec 处理两个并行引擎

[发明专利]用于集成电路制造之多层覆盖测量及修正技术-CN200580006568.3无效
发明人： K·A·攀;B·兰加拉贾;B·辛格 -专利权人： 先进微装置公司
申请日： 2005-02-26 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示一种促进在晶片(402)之多层间的覆盖的测量及修正的系统。该系统包括代表在三层或三层以上之晶片(402)之间的覆盖的覆盖目标(406)及决定存在于该覆盖目标(406)覆盖误差之测量组件(408)，藉以决定在该三层或三层以上之晶片(402)之间的覆盖误差。可以经由提供控制组件(410)以修正在邻接及非邻接层之间的覆盖误差，其中该修正是依据至少部分由该测量组件(408)所获得之测量。
用于集成电路制造多层覆盖测量修正技术

[发明专利]用于多批次控制的方法和系统-CN200580003999.4有效
发明人：岳红宇;约瑟夫·威廉·威瑟曼 -专利权人：东京毅力科创株式会社;先进微装置公司
申请日： 2005-02-01 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体制造的对多批次的处理进行控制的方法和系统。该控制方法利用处理模型建立处理控制输入数据与处理控制输出数据之间的关系。该控制方法包括使目标处理控制输出数据与预测的处理控制输出数据之间的差别最小，所述预测是通过将处理模型应用到新的处理控制输入数据而进行的。
用于批次控制方法系统