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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体存储器件-CN202211536107.9在审
发明人：李基硕;郑文泳;文钟淏;俞瀚植;金根楠;崔贤根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体存储器件可以包括：单元阵列结构，包括电连接到存储单元的第一接合焊盘；以及外围电路结构，包括第二接合焊盘，该第二接合焊盘电连接到外围电路并接合到第一接合焊盘。单元阵列结构可以包括：堆叠，包括在垂直方向上堆叠的水平导电图案；包括垂直导电图案的垂直结构，垂直导电图案在垂直方向上与堆叠交叉；以及提供在覆盖堆叠的一部分的平坦化绝缘层中的电力电容器。
半导体存储器件

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN202110483367.3在审
发明人：崔贤根;金恩知;文钟淏;文泂烈;俞瀚植;李基硕;郑承宰;安泰炫;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。
三维半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器件-CN202110829327.X在审
发明人：崔贤根;文钟淏;俞瀚植;李基硕;张诚桓;郑承宰;郑义撤;安泰炫;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：半导体存储器件可以包括：外围电路结构，该外围电路结构包括在第一区域中集成在半导体衬底上的外围电路和设置在第二区域中的第一键区；堆叠，提供在外围电路结构的第一区域上，该堆叠包括在第一方向上延伸并垂直地堆叠的多条第一导电线；覆盖该堆叠的上绝缘层；提供在上绝缘层上的互连层；穿透插塞，与堆叠间隔开，并且被提供为穿透上绝缘层以将互连层连接到外围电路结构的外围电路；模制结构，提供在外围电路结构的第二区域上，并且在第一方向上与堆叠间隔开；以及穿透结构，提供为穿透模制结构并与第一键区垂直地重叠。
半导体存储器件

[实用新型]三维半导体存储器装置-CN202120937988.X有效
发明人：崔贤根;金恩知;文钟淏;文泂烈;俞瀚植;李基硕;郑承宰;安泰炫;韩相然;黄有商 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。因此，三维半导体存储器装置具有改善的可靠性和增大的集成密度。
三维半导体存储器装置

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