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[发明专利]场效应晶体管及其制备方法和外围电路结构-CN202310814080.3在审
发明人： 侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种场效应晶体管及其制备方法和外围电路结构。场效应晶体管包括有源区；栅极，包括位于有源区上的第一部分和位于有源区以外的第二部分；栅极接触插塞，与第二部分电连接；源极区和漏极区，分别位于第一部分相对两侧的有源区中；源极接触层，包括多个源极接触插塞，各源极接触插塞连接至源极区，且沿第一部分的延伸方向间隔布置；漏极接触层，包括多个漏极接触插塞，各漏极接触插塞连接至源极区，且沿第一部分的延伸方向间隔布置。在接触电阻不变的情况下，减小了源极接触层与栅极之间、漏极接触层与栅极之间的耦合面积，降低了耦合电容，减小了场效应晶体管的延迟时间。
场效应晶体管及其制备方法外围电路结构

[发明专利]半导体结构以及存储器-CN202310621354.7在审
发明人： 侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构以及存储器，半导体结构包括：沿第一方向排布的多个P型晶体管，每个P型晶体管包括沿第二方向间隔排布的第一掺杂区以及第二掺杂区；每个P型晶体管还包括沟道区，沟道区包括主体部、侧边部以及凸出部，侧边部至少位于主体部的第一侧，凸出部至少位于邻近第二掺杂区的部分主体部的第二侧；侧边部还位于第二掺杂区的第一侧，且与第二掺杂区相邻接，凸出部至少还位于邻近主体部的部分第二掺杂区的第二侧且与部分第二掺杂区相邻接；沿第一方向排布的多个P型晶体管中，沿第一方向上，任意相邻的两个P型晶体管之间的间距处处相等，且均为预设间距。本公开实施例至少有利于提升半导体结构的性能。
半导体结构以及存储器

[发明专利]反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器-CN202310522241.1在审
发明人： 侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种反熔丝结构、反熔丝阵列及其操作方法、存储器，其中，反熔丝结构包括：有源区、以及位于有源区表面的第一子栅极结构、第二子栅极结构、第二栅极结构、第三子栅极结构、第四子栅极结构和第四栅极结构；其中，第一子栅极结构与第二子栅极结构电连接，且第二栅极结构位于第一子栅极结构与第二子栅极结构之间；第三子栅极结构与第四子栅极结构电连接，且第四栅极结构位于第三子栅极结构与第四子栅极结构之间。
反熔丝结构阵列及其操作方法存储器

[发明专利]反熔丝存储结构、反熔丝阵列存储结构以及存储器-CN202310621394.1在审
发明人： 侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种反熔丝存储结构、反熔丝阵列存储结构以及存储器。反熔丝存储结构包括：有源区，有源区包括沿第一方向上依次排布的第一部分、第二部分、第三部分、第四部分和第五部分；多个第一反熔丝结构，每个第一反熔丝结构包括与第一部分交叠的第一反熔丝栅极；多个第二反熔丝结构，每个第二反熔丝结构包括与第五部分交叠的第二反熔丝栅极；第一选择晶体管以及第二选择晶体管，第一选择晶体管包括与第二部分交叠的第一选择栅极，第二选择晶体管包括与第四部分交叠的第二选择栅极，第一选择栅极和第二选择栅极沿第一方向间隔排布；与第三部分电连接的位线结构。本公开实施例至少有利于提升反熔丝存储结构的性能。
反熔丝存储结构阵列以及存储器

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202310522172.4在审
发明人： 侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体领域，提供了一种半导体结构及其制造方法。其中，半导体结构包括衬底，衬底包括有源区和限定有源区的隔离结构，有源区沿第一方向延伸。其中，有源区的侧壁表面的Si‑H键或Si‑D键的分布密度大于有源区的顶表面的Si‑H键或Si‑D键的分布密度。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]NMOS晶体管及其制备方法-CN202310692784.8在审
发明人：王春梅;田武;侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种NMOS晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决源极和漏极与接触插塞之间的接触电阻大的技术问题，该NMOS晶体管的制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成栅极结构，并在栅极结构两侧的衬底中形成具有N型掺杂元素的源极和漏极；在源极和漏极处分别形成金属氧化层，其中，金属氧化层的导带与衬底的导带对齐；在惰性环境下，通过退火工艺对金属氧化层进行退火，其中，退火温度为330℃～450℃；在金属氧化层的表面上形成金属硅化物层。本申请不仅可以解除金属半导体直接接触产生的费米钉扎效应，使得势垒高度降低；另外通过退火增加了金属氧化层中的氧空位，使得隧穿电阻减小。
nmos 晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体器件和半导体存储器-CN202310294850.6有效
发明人： 侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体器件和半导体存储器，包括衬底、位于衬底上的反熔丝单元和缓冲器。反熔丝单元包括一个选择晶体管和一个反熔丝管，且选择晶体管和反熔丝管串联，缓冲器包括偶数个串联的反相器，缓冲器的输入端连接反熔丝管的一个电极，缓冲器的输出端连接衬底，缓冲器的用于调节选择晶体管的体电位。
半导体器件半导体存储器

[发明专利]测试电路、测试方法及测试设备-CN202211131528.3在审
发明人： 侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开提供了一种测试电路、测试方法及测试设备，涉及半导体技术领域，所述测试电路包括环形振荡电路和若干个测试单元；所述环形振荡电路包括依次级联并形成环形回路的多个逻辑门单元；所述测试单元包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管的共接栅极与所述逻辑门单元的输入端连接，第一晶体管的源极与第一接地端连接，第一晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接，第一晶体管的衬底端或第二晶体管的衬底端与衬偏电压源连接，第二晶体管的源极与第一电源连接，衬偏电压源用于在所述逻辑门单元的输入端发生电平翻转时，为第一晶体管的衬底端或第二晶体管的衬底端提供衬偏电压。本公开可以准确测量出测试单元中晶体管的驱动电流。
测试电路方法设备

[发明专利]测试电路、采用测试电路的测试方法以及装置-CN202210817143.6在审
发明人： 侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供了一种测试电路、采用测试电路的测试方法以及测试装置，该测试电路包括：第一检测振荡器，包括2N+1个依次级联的第一反相单元，每个第一反相单元由晶体管组成，第一检测振荡器用于产生并输出第一振荡频率；第二检测振荡器，包括2N+1个依次级联的第二反相单元，每个第二反相单元由晶体管组成，其中，N为大于等于1的正整数，第二检测振荡器用于产生并输出第二振荡频率，第二反相单元与第一反相单元的寄生电容不同；根据检测到的第一振荡频率和检测到的第二振荡频率，确定寄生电容与反相器延迟之间的变化关系，该方案解决了现有技术中的分析振荡器中的结构变化对器件延迟的影响的方案较为单一的问题。
测试电路采用方法以及装置

[发明专利]反熔丝阵列结构、编程方法、读取方法及存储器-CN202210752926.0在审
发明人： 侯闯明 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种反熔丝阵列结构、编程方法、读取方法及存储器，包括：基底以及形成在基底上呈阵列排布的多个反熔丝单元结构；每一反熔丝单元结构包括：第一选择晶体管和第一反熔丝器件，第一选择晶体管通过第一掺杂区连接位线，第一选择晶体管和第一反熔丝器件共用第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区设置在第一选择晶体管栅极的相对两侧；于第一方向上，同一行反熔丝单元结构的第一反熔丝器件连接同一第一编程导线，同一行第一反熔丝单元结构的第一选择晶体管连接同一第一字线；于第二方向上，同一列反熔丝单元结构的第一掺杂区连接同一位线；且至少N行反熔丝单元结构的第一字线相连通，以简化反熔丝阵列结构的控制端。
反熔丝阵列结构编程方法读取存储器

[发明专利]一种聚合物基复合材料及其制备方法-CN201811634159.3有效
发明人： 侯闯明;包志伟;殷月伟;李晓光 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种聚合物基复合材料，其特征在于，包括：基材；所述基材为聚合物材料；分散于所述基材内部的改质的带负电的无机纳米片，所述改质的带负电的无机纳米片的表面带有不可移动的负电荷，且吸附有有机大分子阳离子表面活性剂。本发明提供的聚合物基复合材料利用改质的带负电的无机纳米片产生的反向局域电场，降低了碰撞电离导致的二次电子的数量，使聚合物基复合材料具有高击穿电场进而获得高能量密度，故能大幅度提高其在储能领域的产业应用价值。
一种聚合物复合材料及其制备方法

[发明专利]一种可变焦透镜系统及其变焦方法-CN201310433980.X有效
发明人：王朔;侯闯明;薛楠;李祥超;王玉莹;李得帅 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G02B26/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变焦透镜系统，属于光学技术领域。该透镜系统包括：半反射透镜、第一全反射镜、凸透镜，以及盛放有透明液体的开口容器；所述开口容器可以自身纵向中心轴线为旋转轴进行旋转，且旋转速度可调，该开口容器的底部设置有可将透过所述透明液体射入的光线反射回去的第二全反射镜；入射光线首先被所述半反射透镜反射到所述开口容器中的透明液体表面，经过透明液体折射后被第二全反射镜反射，反射光线经过所述半反射透镜透射到第一全反射镜上，第一全反射镜将光线反射至所述凸透镜。本发明还公开了上述可变焦透镜系统的变焦方法。本发明具有实现成本低、操作灵活、变焦范围大且能实现连续变焦等优点。
一种变焦透镜系统及其方法

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