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[发明专利]工件双面抛光装置及双面抛光方法-CN201980049132.4有效
发明人： 久保田真美;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B24B37/013 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在双面抛光中，在工件的形状成为目标形状的时机结束双面抛光的工件双面抛光装置及双面抛光方法。演算部（13），进行如下工序：第1工序，按每一个工件对由工件厚度测量器（11）测量的工件厚度数据进行分类；第2工序，按每一个工件，从厚度数据中提取工件的形状成分；第3工序，针对提取出的各形状成分，确定测量出的工件上的工件径向位置；第4工序，根据所确定的工件径向位置及工件的形状成分，计算工件的形状分布；第5工序，根据计算出的形状分布，求出工件形状指标；以及第6工序，将所求出的每一个工件形状指标成为根据前一批次中的工件形状指标的目标值与实绩值之差决定的工件形状指标的设定值的时机，决定为结束工件双面抛光的时机，并在所决定的时机结束双面抛光。
工件双面抛光装置方法

[发明专利]工件的两面研磨装置及两面研磨方法-CN201980034151.X有效
发明人： 久保田真美;野中英辅;谷口铁郎;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提出一种即使反复进行工件的两面研磨，也能够以所希望的形状来结束两面研磨的两面研磨装置及两面研磨方法。基于本发明的两面研磨装置具备测量载板的温度的温度测量机构（9）及控制工件的两面研磨的控制机构（20）。控制机构（20）决定下一批次中从根据由温度测量机构（9）所测量的载板（3）的温度变化的振幅来决定的基准时间点开始追加进行两面研磨的补偿时间，在从基准时间点开始经过已决定的补偿时间后的时间点结束工件的两面研磨。上述补偿时间的决定是基于从先前的批次中两面研磨的工件（1）的形状指标的实绩值及批次间的补偿时间的差所预测的关于下一批次的工件（1）的形状指标的预测值来进行的。
工件两面研磨装置方法

[发明专利]半导体晶片的双面抛光方法-CN201780068038.4有效
发明人： 久保田真美;福原史也;三浦友纪 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-10-03 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供半导体晶片的双面抛光方法，其通过对应抛光中的抛光环境变化，能够抑制抛光质量的偏差。本发明的半导体晶片的双面抛光方法包括：事先求出判定双面抛光的抛光倾向的判定函数的工序；第1工序，根据初始抛光条件，开始所述半导体晶片的双面抛光；第2工序，根据所述初始抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光，同时使用所述第1工序的指定期间中的装置日志数据计算所述判定函数的值，基于该判定函数的值，将调整了所述初始抛光条件的调整抛光条件设定于所述双面抛光装置；及第3工序，根据所述调整抛光条件进行所述半导体晶片的双面抛光。
半导体晶片双面抛光方法

[发明专利]工件的双面抛光装置及双面抛光方法-CN201880083817.6有效
发明人： 久保田真美;高梨启一 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提供一种在双面抛光中，能够在工件形状成为目标形状的时机结束双面抛光的双面抛光装置及双面抛光方法。双面抛光装置（1）中的运算部（13）进行如下工序来决定结束双面抛光的时机：第1工序，按每一个工件对由工件厚度测量器（11）测量的工件厚度数据进行分类；第2工序，按每一个工件从工件厚度数据中提取工件形状成分；第3工序，对提取出的各工件形状成分，确定测量出的工件上的工件径向位置；第4工序，根据所确定的工件上的工件径向位置及工件形状成分，计算工件形状分布；第5工序，根据计算出的工件形状分布，求出工件的形状指标；以及第6工序，基于所求出的每一个工件的形状指标，决定结束工件的双面抛光的时机。
工件双面抛光装置方法