“中岛穰二”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]燃料电池系统及其控制方法-CN201910998871.X有效
发明人：谷本智;菊地刚;中岛穰二 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01M8/04302 文献下载
摘要：本公开涉及燃料电池系统及其控制方法，燃料电池系统(10)的温度传感器(52)检测起动开始时的燃料电池堆(16)的温度或者外部气温作为起动开始时温度。存储部(62)存储多个电流限制模式(60)。电流限制部(64)基于检测出的起动开始时温度来选择电流限制模式(60)，基于选择的电流限制模式(60)以及由温度传感器(52)检测出的燃料电池堆(16)的运转中的温度来限制从燃料电池堆(16)取出的电流。在多个电流限制模式(60)中，越是在起动开始时温度低时选择的电流限制模式，燃料电池堆(16)的温度达到基准温度(T2)为止的阈值被设定得越小。
燃料电池系统及其控制方法

[发明专利]燃料电池车辆以及该车辆的停止时扫气时间的设定方法-CN202010935416.8在审
发明人：谷本智;中岛穰二;菊地刚 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01M8/04119 文献下载
摘要：本公开涉及燃料电池车辆以及该车辆的停止时扫气时间的设定方法。提供减少冰点以下刚起动之后的阻抗的偏差来提高起动性能的燃料电池车辆以及该车辆的停止时扫气时间的设定方法。燃料电池车辆具备：燃料电池堆(16)，其具备阴极流路(38)和阳极流路(36)；大气压获取部件(61)，其获取大气的压力(Pa)；泵(26)，其吸入所述大气并且通过供给路(114)将氧化剂气体供给到阴极流路(38)；以及扫气时间设定部件，其在预测为燃料电池堆16在运转停止时以后会成为冰点以下的情况下，在为了使阴极流路(38)成为规定的湿润状态而用氧化剂气体对阴极流路(38)进行扫气时，基于大气压(Pa)来设定运转停止时的扫气时间(St)。
燃料电池车辆以及停止时扫气时间设定方法

[发明专利]半导体装置-CN201010177529.2有效
发明人：高野文朋;渡边信也;合叶司;大塚浩;中岛穰二 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，由下述部分构成：并列配置在同一平面上的一对半导体芯片(402、404)；接合在一个半导体芯片(402)的集电极侧的表面上的高压汇流条(21)；通过焊丝(27)连接在另一个半导体芯片(404)的发射极侧的表面上的低压汇流条(23)；通过焊丝(26)连接在一个半导体芯片(402)的发射极侧的表面上的第1金属配线板(24-1)；接合在另一个半导体芯片(404)的集电极侧的表面上的第2金属配线板(24-2)；连接在第1金属配线板(24-1)上的第3金属配线板(24-3)；从第2金属配线板(24-2)的端部折回连结的第4金属配线板(24-4)；具有分别从第3金属配线板(24-3)和第4金属配线板(24-4)的端部延伸的输出端子(405)的输出汇流条(24)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200780029278.X有效
发明人：高野文朋;渡边信也;合叶司;中岛穰二;大塚浩 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2007-07-25 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。半导体装置包括第一及第二组装体(12A、12B)。第一组装体具有第一半导体芯片、接合在第一半导体芯片的一侧表面上的高压母线(21)、通过接合线连接在第一半导体芯片的另一侧表面上的第一金属配线板(24-1)、连接在第一金属配线板上的第三金属配线板(24-3)。第二组装体具有第二半导体芯片、通过接合线连接在第二半导体芯片的一侧表面上的低压母线(23)、接合在第二半导体芯片的另一侧表面上的第二金属配线板(24-2)、从第二金属配线板的端部折回地连结且与第二金属配线板平行地配置的第四金属配线板(24-4)。第一及第二组装体以隔开间隔的层叠结构配置。通过该半导体模块结构能够降低主电路的电感。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN200780021119.5有效
发明人：高野文朋;渡边信也;合叶司;大塚浩;中岛穰二 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2007-05-17 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，由下述部分构成：并列配置在同一平面上的一对半导体芯片(402、404)；接合在一个半导体芯片(402)的集电极侧的表面上的高压汇流条(21)；通过焊丝(27)连接在另一个半导体芯片(404)的发射极侧的表面上的低压汇流条(23)；通过焊丝(26)连接在一个半导体芯片(402)的发射极侧的表面上的第1金属配线板(24-1)；接合在另一个半导体芯片(404)的集电极侧的表面上的第2金属配线板(24-2)；连接在第1金属配线板(24-1)上的第3金属配线板(24-3)；从第2金属配线板(24-2)的端部折回连结的第4金属配线板(24-4)；具有分别从第3金属配线板(24-3)和第4金属配线板(24-4)的端部延伸的输出端子(405)的输出汇流条(24)。
半导体装置