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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]SIMOX晶片的制造方法及用该方法制造的SIMOX晶片-CN200580051121.8无效
发明人：高桥功;中井哲弥 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明为SIMOX晶片的制造方法，其特征在于包含：向硅片注入氧离子的工序，洗涤所述注入了氧离子的硅片的工序，以及通过对所述洗涤了的硅片进行热处理在所述硅片的内部形成埋入氧化膜的工序，进一步含有：在向所述硅片注入氧离子后且在洗涤所述硅片前，将所述硅片浸渍在氢氟酸水溶液中，对形成在所述硅片表面的SiO₂膜进行蚀刻处理的工序，所述蚀刻处理时的氢氟酸水溶液对所述SiO₂膜的蚀刻速率为150～3000/分钟。
simox 晶片制造方法

[发明专利]晶片保持架-CN00801885.5有效
发明人： 中井哲弥;河原史朋;斋藤诚;川村恭彦;篠原真;荒井克夫 -专利权人：三菱硅材料株式会社;三井造船株式会社;株式会社真空技研
申请日： 2000-08-29 - 公布日： 2001-11-07 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：在保持架本体(23)的上面载置晶片(22),保持架本体插入到形成于热处理炉内的多个保持架用凹槽(14),水平地得到保持。保持架本体形成为没有切口的圆板状,在保持架本体形成以该保持架本体的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起(24)。晶片接触在凸起上面地载置于保持架本体,当晶片直径为D时,凸起的外径形成在0.5D－0.98D的范围内,晶片的外周缘不接触凸起。通过防止制作保持架本体时在保持架本体产生翘曲,从而可抑制在晶片产生滑移。另外,可不从规定位置错开地由同一保持架本体确实地保持直径不同的晶片。另外,还可平滑地进行晶片在保持架本体的载置作业和卸下作业。
晶片保持

[发明专利]单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体-CN99811516.9有效
发明人：古川纯;须藤充;中井哲弥;藤川隆男;增井卓也 -专利权人：三菱硅材料株式会社
申请日： 1999-09-29 - 公布日： 2001-10-31 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：在使单晶体(11)稳定的气氛中,在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下,对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时,然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体,且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭,或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此,不管单晶体(11)的尺寸有多大,都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。
单晶体缺陷去除方法

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共 3 条

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