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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法-CN201910480018.9有效
发明人： 东矢高尚;森田博文;小笠原宗博 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01J37/145 文献下载
摘要：本发明涉及带电粒子束描绘装置以及带电粒子束描绘方法。本实施方式的带电粒子束描绘装置具备：发射部，发射带电粒子束；第1光圈，对上述带电粒子束进行成形；照明透镜，将上述带电粒子束照射到上述第1光圈；第2光圈，对透过了上述第1光圈之后的带电粒子束进行成形；投影透镜，将透过了上述第1光圈之后的带电粒子束投影到上述第2光圈；物镜，是对透过了上述第2光圈之后的带电粒子束进行对焦的磁场型透镜；以及静电透镜，与作为描绘对象的基板的表面高度相匹配地进行带电粒子束的焦点修正，上述静电透镜配置在上述物镜内，向该静电透镜的电极施加正电压，该电极上端的该物镜的磁场强度为规定值以下。
带电粒子束描绘装置以及方法

[发明专利]多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置-CN202211011589.6在审
发明人：森田博文;东矢高尚 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：提供多带电粒子束描绘方法以及多带电粒子束描绘装置，能够在抑制阵列畸变的增加的同时解决由二次电子的空间滞留和偏转器电极带电产生的射束位置的变动。本实施方式的多带电粒子束描绘方法具备：形成向描绘对象的基板照射的多带电粒子束的工序；使上述多带电粒子束偏转到加上规定的偏转偏移量的位置，以使得不包含向静电型的定位偏转器的多个电极分别施加的各偏转电压全部为零的状态的工序；以及将上述多带电粒子束照射到上述基板的工序，在上述各偏转电压上加上正的共用电压并施加到上述定位偏转器的各电极。
带电粒子束描绘方法以及装置

[发明专利]多带电粒子束描绘装置-CN202210661233.0在审
发明人：木村骏生;森田博文;东矢高尚;冈泽光弘 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实施方式提供抑制试样面上的射束位置偏移的多带电粒子束描绘装置。本实施方式的带电粒子束描绘装置为一种多带电粒子束描绘装置，具备：消隐孔径阵列基板，设有多个消隐器，该多个消隐器进行构成多射束的多个带电粒子束各自的消隐偏转；以及第一屏蔽部件，配置于比所述消隐孔径阵列基板靠所述多射束的行进方向的下游侧，具有供所述多射束在内部穿过的圆筒部，由高磁导率材料构成。
带电粒子束描绘装置

[发明专利]电子束描绘装置及电子束描绘方法-CN201310047452.0有效
发明人： 东矢高尚;中山贵仁 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种电子束描绘装置及电子束描绘方法，该电子束描绘装置（100）具有：XY载物台（105），载放试样（216）；以及电子镜筒（102），配置有出射电子束（200）的电子枪（201）和具备排列在电子束（200）的轴向上的电极的透镜（202、204、207、210）。在XY载物台（105）和电子镜筒（102）之间设置有屏蔽板（211），该屏蔽板（211）屏蔽电子束（200）向试样（216）照射而产生的反射电子或二次电子。在屏蔽板（211）的正上方配置有改变电子束（200）的焦点位置的静电透镜（210），始终从电压供给单元（135）对静电透镜（210）施加正电压。
电子束描绘装置方法

[发明专利]电子束描绘装置以及电子束描绘方法-CN201310051135.6有效
发明人： 东矢高尚;中山贵仁 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2013-02-16 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及电子束描绘装置以及电子束描绘方法。电子束描绘装置（100）具备承载试样（216）的XY工作台（105）、配置有射出电子束（200）的电子枪（201）和具备在电子束（200）的轴向上排列的电极的电磁透镜（202、204、207、210）的电子镜筒（102）。在XY工作台（105）与电子镜筒（102）之间，设有遮挡电子束（200）向试样（216）照射而产生的反射电子或者2次电子的屏蔽板（211）。在屏蔽板（211）的正上方，配置有改变电子束（200）的焦点位置的静电透镜（210），对静电透镜（210）始终从电压供给单元（135）施加负的电压。
电子束描绘装置以及方法

[发明专利]平台的控制方法-CN200910209041.0有效
发明人： 东矢高尚 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：提供一种电子束描绘装置用的平台的控制方法，该平台的控制方法是在背面保持掩膜的情况下，不增大焦点调整机构的焦点高度的调整范围，而能够校正掩膜的高度偏移的影响。在XY平台(3)上避开已固定了标记台(4)的区域来搭载Z平台(5)，在设置在Z平台(5)上的保持机构(6)上载置掩膜(M)。使焦点调整机构的调整范围的中间值与标记台(4)的高度一致。测定标记台(4)的高度，并且测定掩膜(M)的多个测定点的高度，移动Z平台(5)，使这些测定点的高度中的最高值与最低值的中间值的高度与标记台(4)的高度一致。
平台控制方法

[发明专利]电子束描绘装置和电子束描绘方法-CN200910129718.X有效
发明人： 东矢高尚 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：提供一种电子束描绘装置和电子束描绘方法，该电子束描绘装置在用背面保持掩膜的情况下，不增大焦点调整机构的焦点高度的调整范围，而能够校正掩膜的高度偏移的影响。在XY平台(3)上避开已固定了标记台(4)的区域来搭载Z平台(5)，在设置在Z平台(5)上的保持机构(6)的上表面载置掩膜(M)。使焦点调整机构的调整范围的中间值与标记台(4)的高度一致。测定标记台(4)的高度，并且测定掩膜(M)的多个测定点的高度，移动Z平台(5)，使这些测定点的高度中的最高值与最低值的中间值的高度与标记台(4)的高度一致。
电子束描绘装置方法

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