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- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN202011280137.9有效
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龚轶;刘伟;毛振东;徐真逸
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苏州东微半导体股份有限公司
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2020-11-16
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2023-06-23
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H01L21/336
- 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，首先，栅极沟槽和源极沟槽在同一步刻蚀工艺中同时形成，并且可以在源极沟槽内自对准的接触p型半导体层和p型掺杂区，工艺过程简单；其次，在栅极沟槽的下部内形成第一绝缘层和第一栅极，在栅极沟槽的上部内形成第二绝缘层和第二栅极，厚的第一绝缘层可以保护第二栅极不容易被击穿，第一栅极可以增加栅极沟槽底部附近的电场，提高半导体器件的耐压；再次，源极沟槽的底部可以深入第二n型半导体层内，源极沟槽下方的p型掺杂区可以增加源极沟槽底部附近的电场，把半导体器件内的最高电场限定在源极沟槽的底部附近，保护栅极沟槽内的栅极不容易被击穿并提高半导体器件的耐压。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]半导体器件的制造方法-CN202110525263.4在审
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龚轶;毛振东;徐真逸;刘磊
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-05-11
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2022-11-11
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H01L27/11563
- 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内形成第一绝缘层和屏蔽栅；对所述第一绝缘层进行刻蚀，在所述沟槽的上部内形成栅极区域；对所述半导体衬底和所述屏蔽栅进行刻蚀以增加所述栅极区域的宽度；形成n型电荷存储区、栅介质层和栅极，所述n型电荷存储区位于所述半导体衬底内且位于所述栅极区域下方；所示栅介质层和所述栅极位于所述栅极区域内。本发明的半导体器件的制造方法，是在形成屏蔽栅之后再形成栅极，可以使栅极具有更宽的宽度，从而可以使栅极更容易被外部电极引出，同时可以精确的使n型电荷存储区位于栅极区域下方。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]半导体器件-CN202110191691.8在审
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龚轶;刘磊;刘伟;袁愿林
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苏州东微半导体股份有限公司
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2021-02-19
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2022-08-30
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H01L29/06
- 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的p型体区，所述p型体区与源极金属层接触；位于所述半导体衬底内且位于所述p型体区下方的p型柱；所述半导体衬底包括至少一个第一区域，所述第一区域外的区域为第二区域；所述第一区域内的所述p型体区内设有第一p型体区接触区，所述源极金属层与所述第一p型体区接触区接触并形成欧姆接触；所述第二区域内的所述p型体区与所述源极金属层未形成欧姆接触。本发明可以改善半导体器件在应用时产生的电压震荡、电流震荡和EMI问题。
- 半导体器件
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