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[发明专利]一种热解双面胶在提高深硅刻蚀均一性中的应用-CN202310744782.9在审
发明人：官盛果;陈婷;龚跃武;李志贤;涂良成;杨山清 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：本发明属于涉及半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种热解双面胶在提高深硅刻蚀均一性中的应用。该应用中的热解双面胶由聚对苯二甲酸乙二醇酯基膜和涂覆于基膜两面的硅酮高分子聚合物弹性体组成。本发明将热解双面胶用于深硅刻蚀，替代常规粘接剂，不仅可以提供良好的粘接性能以防止晶圆片与托片在刻蚀过程中发生偏移，提高刻蚀精度；还可以增强晶圆片与托片之间的导热性能，使得晶圆片通过热解双面胶向托片快速传递扩散，从而提高刻蚀的均一性。
一种双面提高刻蚀均一中的应用

[发明专利]一种MEMS芯模的制备方法-CN202310728498.2在审
发明人：刘芹篁;龚跃武;陈婷;李志贤;官盛果;涂良成;杨山清 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明属于涉及半导体器件技术领域，涉及一种MEMS芯模的制备方法，包括以下步骤：先将硅片的氧化层侧与晶圆衬底通过热解膜粘合，同时采用深反应离子刻蚀在硅片表面形成所需图形，并在表面沉积金属膜；然后将硅片金属膜侧与晶圆衬底过热解膜粘合，进一步刻蚀形成所需图形，加热分离，剥离金属膜、去除氧化层，即得MEMS芯模；其中，S1和S2中所述热解膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯基膜和涂覆于基膜两面的亚克力胶层组成。本发明利用热解膜与硅片的氧化层和金属膜相结合，有效避免叠片及释放过程中硅片与热解膜相接触，从而减少刻蚀过程中或刻蚀完成后对MEMS芯模的污染及损伤，还可以实现快速释放。
一种 mems 制备方法

[发明专利]一种微机电系统封装结构及其制备方法-CN202110546475.0有效
发明人：涂良成;杨山清;陈婷;龚跃武;张晨艳;崔建玉 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明属于微机电系统封装技术领域，提供了一种微机电系统封装结构，其包括硅基底、在所述硅基底上图案化制备得到的MEMS器件结构，以及用于对所述MEMS器件结构进行键合封装的盖板；所述硅基底背面还依次设置有第二金属层和第一金属层，所述第一金属层和第二金属层的总厚度不低于5μm；所述第一金属层和第二金属层用于保护所述MEMS器件结构在键合封装时不受破坏，同时用于释放刻蚀过程中产生的热量。在本发明微机电系统封装结构制备过程中，由于先在硅基底背面沉积了一定厚度的金属层，用以固定MEMS器件的薄弱结构，使得本发明可通过刻蚀后先键合再划片的工序，实现MEMS器件结构的晶圆级封装，封装效率高，质量好，成本低。
一种微机系统封装结构及其制备方法

[发明专利]一种改善电绝缘性能的加速度计及其制备方法-CN202110127615.0有效
发明人：涂良成;杨山清;陈婷;龚跃武;张晨艳;崔建玉 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工技术领域，更具体地，涉及一种改善电绝缘性能的加速度计及其制备方法。本发明采用特定组成的有机绝缘膜代替PSPI或二氧化硅作为电绝缘层材料，该有机绝缘膜固含量低，具有良好流动性，解决现有技术绝缘层材料粘度大所引起的气泡导致第一金属层和第二金属层断层的问题，很好的提高了第一金属层和第二金属层的导通性，提高器件良品率，同时也解决了现有技术退火工艺时间长的技术问题，提高了器件产能。
一种改善绝缘性能加速度计及其制备方法

[实用新型]一种黄光曝光用挡板装置-CN202220958442.7有效
发明人： 龚跃武;陈婷;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型属于微纳加工制造技术领域，具体涉及一种黄光曝光用挡板装置，包括曝光挡板，所述曝光挡板为圆形、尺寸为4寸‑12寸；所述曝光挡板分成N块盖板，N≥2；所述曝光挡板的中央设有旋转件，所述N块盖板分别通过所述旋转件串联，各块盖板能够单独转动。通过在曝光光源与Mask版之间设置本实用新型的挡板装置，挡住不需要的曝光部分，进行多次实验，摸索不同曝光、显影等条件，成本降低较明显，效率提高十分多。
一种曝光挡板装置

[实用新型]一种键合强度测试装置-CN202220959378.4有效
发明人：陈婷;龚跃武;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01N3/08 文献下载
摘要：本实用新型属于微纳加工制造技术领域，具体涉及一种键合强度测试装置，包括底座(1)，所述底座(1)上均匀设有密集的真空吸附孔洞(2)，所述底座(1)上设有可滑动的刀片(3)，所述刀片(3)由设置在控制单元(6)中的电机马达通过电路控制，所述刀片(3)上设置有拉力传感器，所述拉力传感器与显示单元(7)电性连接。本实用新型通过在控制单元中安装电机马达，实现自动拉动刀片，并在控制单元中安装拉力感应器，显示单元实时显示拉力值，结束后显示最大值、平均值和最小值。操作安全性高、误差基本可忽略不计。
一种强度测试装置

[发明专利]一种检测键合偏移量的结构和方法-CN202210392496.6在审
发明人： 龚跃武;陈婷;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工制造技术领域，具体涉及一种检测键合偏移量的结构，包括：上盖晶圆片，所述上盖晶圆片的中央形成有上预留区域；下盖晶圆片，所述下盖晶圆片的中央形成有与所述上预留区域相对设置的下预留区域，所述下预留区域上形成有刻度尺；所述上盖晶圆片键合在所述下盖晶圆片上。本发明通过在上盖晶圆片上提前制备一个“窗口”，在下盖晶圆片的相应位置上形成一个“刻度尺”，上盖晶圆片与下盖晶圆片键合完成之后对上盖晶圆片进行打磨，将“窗口”漏出，在显微镜下即能够测出键合偏的移量。与现有技术相比，本发明简化流程，低成本精准测量键合偏移量。
一种检测偏移结构方法

[发明专利]一种提高金属键合强度的方法-CN202210433575.7在审
发明人：陈婷;龚跃武;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体微纳加工制造技术领域，具体涉及一种提高金属键合强度的方法，包括以下步骤：包括以下步骤：(1)在晶圆表面沉积的牺牲层上或晶圆的表面涂覆光刻胶；(2)曝光、显影；(3)湿法腐蚀去牺牲层或刻蚀晶圆；(4)湿法腐蚀去光刻胶；(5)再次匀胶、曝光、显影；(6)沉积金属层；(7)湿法腐蚀去光刻胶；(8)在4000mBar‑8000mBar压力条件下，键合温度360℃‑400℃，进行金属键合。本发明通过预处理金属的接触层，改变金属直接键合的接触面积，在同等的键合条件下，达到提高键合强度的效果。
一种提高金属键强度方法

[发明专利]一种防止金属剥离残留的方法-CN202111620905.5在审
发明人： 龚跃武;陈婷;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域，具体涉及一种防止金属剥离残留的方法，包括以下步骤：(1)在晶圆表面采用PECVD沉积牺牲层；(2)采用匀胶机在所述牺牲层的表面涂覆光刻胶；(3)用光刻机进行曝光、然后显影；(4)采用蒸发镀膜机或磁控溅射机沉积金属层；(5)湿法腐蚀去光刻胶；(6)湿法腐蚀去牺牲层。本发明在匀胶前沉积一层牺牲层(二氧化硅或者易腐蚀的金属)，在显影后湿法腐蚀的过程利用各向同性特点保证光刻胶形成倒梯形，而防止后续金属剥离有残留。与现有技术相比，本发明有效改善金属剥离的残留问题，提升产品品质。
一种防止金属剥离残留方法

[发明专利]一种减少曝光累积误差的方法-CN202111484872.6在审
发明人： 龚跃武;张晨艳;官盛果;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体芯片微纳加工制造技术领域，具体涉及一种减少曝光累积误差的方法，包括如下步骤：(1)在晶圆片的正面刻蚀刻度；(2)在晶圆片的正面形成标记，首次曝光后记录标记的实际位置坐标(X1，Y1)与理论值坐标(X0，Y0)进行比对，并计算相应的差值(X1‑X0，Y1‑Y0)；(3)针对上述差值，在第二次曝光时进行相应的补偿，从而减少每次的累积误差。本发明通过在晶圆片的平边制备一个刻度用于多次曝光位置的调整，减少曝光制程多次累积误差；明显减少曝光制程累积误差，提升产品品质。
一种减少曝光累积误差方法

[发明专利]一种晶圆键合的结构及其制备方法-CN202111185694.7在审
发明人：陈婷;龚跃武;张晨艳;崔建玉;杨山清;涂良成 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工制造技术领域，具体涉及一种晶圆键合的结构的制备方法，包括如下步骤：S1.提供晶圆一和晶圆二，晶圆一具有待混合键合的上衬底，晶圆二具有待混合键合的下衬底，上衬底的底面形成有器件层；S2.分别在器件层底面、下衬底顶面镀上共晶混合层；S3.分别在所述器件层底面的共晶混合层的下表面、所下衬底顶面的共晶混合层的上表面镀上一层纯金层。本发明通过先镀其他金属(如Ge/In/Sn)，这些金属在200℃‑300℃与Au形成共晶混合物，然后再镀一层薄的金，提高键合强度，保证后续工艺表面不被氧化且不会出现脱落现象；另外，本发明降低了键合成本。
一种晶圆键合结构及其制备方法

[发明专利]一种改善湿法刻蚀均一性的方法-CN202110883433.6在审
发明人：陈婷;涂良成;杨山清;官盛果;龚跃武 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工制造技术领域，具体是一种改善湿法刻蚀均一性的方法，包括应用于湿法刻蚀由金形成的单层膜的刻蚀液，所述刻蚀液由以下质量百分比组分组成：碘单质1.5％～5％，碘化钾2％～5％，纯水35％～50％和小分子醇40％～65％。本发明有效地提高了湿法刻蚀由Au形成的单层膜的均一性，良品率大大提高。通过实验发现，刻蚀时间满足要求，无Au残留、无Undercut残留，CD loss和Taper均在合理范围内且金属线路形貌优。
一种改善湿法刻蚀均一方法

[发明专利]一种高度可控的电容加速度计封装的方法-CN202110473445.1在审
发明人：涂良成;杨山清;龚跃武;陈婷;张晨艳;崔建玉 -专利权人：中山大学南昌研究院
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工制造技术领域，具体涉及一种高度可控的电容加速度计封装的方法，所述方法对应的封装结构包括基底、弹簧振子、内部器件、极板、焊料、限位结构和上盖；所述方法包括如下步骤：(1)在基底上制作内部器件；(2)对内部器件进行刻蚀，形成弹簧振子的结构；(3)在上盖的表面制作极板和限位结构；(4)在极板的表面放置焊料并260℃～280℃温度下回流；(5)将基底与上盖进行封装键合。本发明采用匀胶、光刻、显影制作限位结构，取代了现有技术中的电镀工艺，简化工艺、提高效率，并且能更好控制上下极板间距。工艺简单，成本降低，良率提高。
一种高度可控电容加速度计封装方法

[发明专利]一种纤维布增强改性聚芳硫醚砜复合材料及其制备方法-CN201210385426.4有效
发明人：杨杰;张守玉;黄光顺;龚跃武;王孝军;龙盛如 -专利权人：四川大学
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C08L81/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种纤维布增强改性聚芳硫醚砜复合材料及其制备方法，其特点是将聚芳硫醚砜树脂100重量份，聚苯硫醚树脂10-100重量份和热稳定剂1-10重量份，于温度100～150℃烘箱中干燥6～8h，并在高混机中共混；共混物料加入双螺杆挤出机于温度290～340℃熔融挤出造粒，在温度100～150℃干燥6h～8h；粒料经单螺杆挤出机在温度290～340℃挤出，通过三辊压光机定型得到膜片；将上述膜片与纤维布以A层/B层单元结构顺序交替叠合的方式形成纤维布增强聚芳硫醚砜复合层：A层为上述聚芳硫醚砜基共混物膜片，B层为增强纤维布；将上述复合层在温度290～360℃和10～40MPa下热压10～40min，待温度冷却至230℃取出，获得该纤维布增强复合材料。
一种纤维增强改性聚芳硫醚砜复合材料及其制备方法

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