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[发明专利]有机光电转换元件-CN201880029188.9有效
发明人： 齐藤阳介;竹村一郎;榎修;根岸佑树;长谷川雄大;茂木英昭;氏家康晴 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明在使用有机材料的光电转换元件中提高了量子效率和响应速率。在这一有机光电转换元件中，光电转换层包含由式1表示的p型分子。在式1中，A表示氧原子、硫原子或硒原子中的任一者，R1至R4中的任一者表示具有4至30个碳原子的取代或未取代的芳基基团或杂芳基基团，R1至R4中的剩余者各自表示氢原子，R5至R8中的任一者表示具有4至30个碳原子的取代或未取代的芳基基团或杂芳基基团，且R5至R8中的剩余者各自表示氢原子。#imgabs0#
有机光电转换元件

[发明专利]光电转换元件和固体摄像装置-CN201780016139.7有效
发明人：尾花良哲;中山典一;根岸佑树;长谷川雄大;榎修;齐藤阳介;竹村一郎;松泽伸行 -专利权人：索尼公司
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K85/60 文献下载
摘要：根据本发明的光电转换元件包括：第一电极和第二电极，它们彼此面对地布置着；以及光电转换层，它被设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包含由下列的通式(1)、通式(2)和通式(3)中的任一者表示的多环芳香族化合物中的至少一种：
光电转换元件固体摄像装置

[发明专利]光电转换器和摄像装置-CN202180032345.3在审
发明人：榎修;菅野雅人;高桥千明;椙村知佳;齐藤阳介 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开的实施例的光电转换器包括：第一电极；第二电极；第一光电转换层；第二光电转换层；第一缓冲层；和第二缓冲层。第二电极与第一电极相对布置。第一光电转换层设置在第一电极和第二电极之间。第一光电转换层包含第一染料材料和第一载流子传输材料。第二光电转换层层叠在第一电极和第二电极之间的第一光电转换层的第二电极侧。第二光电转换层包含第二染料材料和第二载流子传输材料。第二染料材料具有与第一染料材料的光吸收波形不同的光吸收波形。第一缓冲层具有第一导电类型。第一缓冲层设置在第一电极和第一光电转换层之间。第二缓冲层具有与第一导电类型不同的第二导电类型。第二缓冲层设置在第二电极和第二光电转换层之间。
光电转换器摄像装置

[发明专利]成像元件和成像装置-CN202180007406.0在审
发明人：菅野雅人;高桥千明;齐藤阳介 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开实施方案的成像元件设置有：第一电极；第二电极，第二电极与第一电极相对配置；有机层，其设置在第一电极和第二电极之间，并且至少包括光电转换层；第一半导体层，其设置在第二电极和有机层之间，并且包含含碳化合物和无机化合物中的至少一种，含碳化合物的电子亲和力大于第一电极的功函数，无机化合物的功函数大于第一电极的功函数；和第二半导体层，其设置在第二电极和第一半导体层之间，并且最高占据分子轨道(HOMO)能级与第二电极的费米能级之差的绝对值B大于或等于从光学带隙算出的第一最低未占据分子轨道(LUMO)能级与费米能级之差的绝对值A，或者在费米能级附近具有态密度相对于HOMO能级为1/10000以上的带隙内能级。
成像元件装置

[发明专利]固态成像装置和固态成像装置的制造方法-CN202080071698.X在审
发明人：定荣正大;村田贤一;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介;藤井宣年 -专利权人：索尼半导体解决方案公司;索尼集团公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本公开一个实施方案的固态成像装置包括：多个光电转换部，其层叠在半导体基板上且具有彼此不同的波长选择性；和配线，其形成在所述半导体基板上且电气连接到所述多个光电转换部。各个所述光电转换部包括光电转换膜以及隔着所述光电转换膜配置的第一电极和第二电极。所述配线在所述半导体基板的法线方向上延伸，并且包括与各个所述光电转换部的第二电极接触形成的垂直配线。
固态成像装置制造方法

[发明专利]光电转换元件和摄像元件-CN202080064448.3在审
发明人：平野英孝;长谷川雄大;榎修;八木岩;齐藤阳介;妹尾雅美 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本公开的实施方案的光电转换元件10A包括：第一电极21；第二电极23，其设置成与第一电极21相对；和光电转换层22，其设置在第一电极21和第二电极23之间，光电转换层22包括作为第一有机半导体材料的空穴传输材料，空穴传输材料吸收蓝色光。
光电转换元件摄像

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN202080042073.0在审
发明人：长谷川雄大;齐藤阳介;根岸佑树 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施方案的摄像元件包括：第一电极；布置成与第一电极相对的第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的有机层。所述有机层包含由通式(1)表示的化合物。
摄像元件装置

[发明专利]光电转换元件和摄像装置-CN202080022931.5在审
发明人：菅野雅人;齐藤阳介 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施方案的光电转换元件包括：第一电极；与第一电极相对的第二电极；和有机光电转换层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包含由通式(1)表示的基于苯并噻吩并苯并噻吩的化合物作为第一有机半导体材料。
光电转换元件摄像装置

[发明专利]固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法、光电转换元件、摄像装置和电子设备-CN202080019821.3在审
发明人： 齐藤阳介;菅野雅人 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本技术涉及能够利用有机光电转换元件实现蓝光的高效率光电转换的固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法、光电转换元件、摄像装置和电子设备。第一有机半导体、第二有机半导体和第三有机半导体混合以形成有机光电转换层，第一有机半导体具有吸收蓝光的特性，第二有机半导体具有吸收蓝光的特性并且具有作为具有结晶性的空穴输送材料的特性，第三有机半导体包括富勒烯衍生物。本技术能够应用于固态摄像元件。
固态摄像元件制造方法光电转换装置电子设备

[发明专利]固态成像元件、固态成像元件的制造方法和固态成像装置-CN202080015118.5在审
发明人： 齐藤阳介;大江隆;中込湧士郎 -专利权人：索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及能够提高有机光电转换元件的蓝色光的光电转换效率的固态成像元件、固态成像元件的制造方法和固态成像装置。在本发明中，有机光电转换层是通过混合含有具有吸收蓝色光的特性的苝衍生物的第一有机半导体、具有吸收蓝色光的特性并且还具有作为具有结晶性的空穴输送材料的特性的第二有机半导体和含有富勒烯衍生物的第三有机半导体而形成的。本发明可以适用于固态成像元件。
固态成像元件制造方法装置

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN201980048599.7在审
发明人： 齐藤阳介;坂东雅史;兼田有希央;平野英孝;森胁俊贵 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明的实施例的摄像元件设置有：第一电极，其由多个电极构成；第二电极，其与所述第一电极相对配置；光电转换层，其设置在所述第一电极与所述第二电极之间并包含有机材料；第一半导体层，其设置在所述第一电极与所述光电转换层之间，并且包含n型半导体材料；和第二半导体层，其设置在所述第二电极与所述光电转换层之间，并且包括电子亲和力大于所述第一电极的功函数的含碳化合物和功函数大于所述第一电极的功函数的无机化合物中的至少一者。
摄像元件装置

[发明专利]固态摄像元件、固态摄像装置和固态摄像元件的读取方法-CN201980047479.5在审
发明人：村田贤一;定荣正大;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介;高桥新吾 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供一种固态摄像元件，其包括半导体基板(300)和用于将光转换成电荷的第一和第二光电转换部(500、600)。第一和第二光电转换部(500、600)均具有层叠结构，所述层叠结构包括上部电极(502、602)、下部电极(508、608)、夹在所述上部电极和所述下部电极之间的光电转换膜(504、604)和经由所述光电转换膜和绝缘膜面对所述上部电极的累积电极(510、610)。第一和第二光电转换部(500、600)的下部电极(508、608)经由共用贯通电极(460)与共用电荷累积部(314)电气连接，所述共用贯通电极设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用并且贯通所述半导体基板(300)，所述共用电荷累积部在所述半导体基板(300)内设置为第一和第二光电转换部(500、600)共用。
固态摄像元件装置读取方法

[发明专利]光电转换元件-CN201980047487.X在审
发明人：服部真之介;小林一;宫地左伊;菅野雅人;君岛美树;长谷川雄大;西寿朗;川嶋孝;齐藤阳介;稲叶雄大 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：提供了一种使用有机半导体材料并且能够进一步改善性能的光电转换元件。所述光电转换元件包括配置成彼此面对的第一电极和第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机光电转换层17。所述有机光电转换层17包括第一有机半导体材料和第二有机半导体材料，并且所述第一有机半导体材料和所述第二有机半导体材料中的至少一种由HOMO体积分数为0.15以下或LUMO体积分数为0.15以下的有机分子构成。
光电转换元件

[发明专利]光电转换元件和光电转换元件的制造方法-CN201980034718.3在审
发明人： 齐藤阳介;宫地左伊;菅野雅人;氏家康晴;长谷川雄大;榎修;根岸佑树 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：根据本发明一个实施例的第一光电转换元件包括：第一电极；第二电极，所述第二电极被布置为与所述第一电极相对；和光电转换层，所述光电转换层设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包含发色团、富勒烯或其衍生物和空穴传输材料，其中，所述发色团和所述富勒烯或其衍生物在所述光电转换层中通过交联基团至少部分地彼此结合。
光电转换元件制造方法

[发明专利]固态摄像元件及其制造方法-CN201980031496.X在审
发明人：定荣正大;村田贤一;古闲史彦;八木岩;平田晋太郎;富樫秀晃;齐藤阳介 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种具有像素晶体管和配线的固态摄像元件及其制造方法，固态摄像元件在抑制制造成本增加的同时，能够从层叠的光电转换膜有效地输出并传输像素信号。提供了这样的固态摄像元件，其包括：半导体基板；第一光电转换单元，设置在半导体基板上；及控制单元，被设置成与第一光电转换单元层叠，且包括用于控制第一光电转换单元的多个像素晶体管，其中，第一光电转换单元包括：第二电极；第一光电转换膜，设置在第二电极的上方，并且将光转换为电荷；以及第一电极，设置在第一光电转换膜上，多个像素晶体管包括放大晶体管，放大晶体管对电荷进行放大并将电荷作为像素信号输出，并且放大晶体管的沟道形成区由氧化物半导体层形成。
固态摄像元件及其制造方法

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