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[发明专利]电感耦合等离子体激发用天线及组件和等离子体处理装置-CN202210121035.5在审
发明人： 齐藤武尚;山泽阳平;中岛俊希;仓科大辅;藤原直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种电感耦合等离子体激发用天线、电感耦合等离子体激发用天线组件和等离子体处理装置。该电感耦合等离子体激发用天线包括：多个线圈单元；和导电性板，其与所述多个线圈单元连接，具有中央开口部和至少一个板端子。根据本发明，在使用电感耦合等离子体激发用天线激发等离子体时，提高该天线的磁场生成效率，并且提高磁场强度的周向均匀性。
电感耦合等离子体激发天线组件处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和天线组件-CN202111143115.2在审
发明人：山泽阳平;齐藤武尚;藤原直树;藤原香;仓科大辅;保坂勇贵 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置和天线组件。使进行等离子体处理时的电场强度降低，并且使对基板而言的等离子体分布的均匀性提高。等离子体处理装置具有：主线圈，其设于等离子体处理腔室的上部或上方；和副线圈组件，其设于主线圈的径向内侧或径向外侧。副线圈组件包含第1螺旋状线圈和第2螺旋状线圈。第1螺旋状线圈的各匝部和第2螺旋状线圈的各匝部在铅垂方向上交替地配置。第1螺旋状线圈的第1上侧端子借助一个以上的电容器连接于接地电位，第1螺旋状线圈的第1下侧端子连接于接地电位。第2螺旋状线圈的第2上侧端子借助一个以上的电容器或一个以上的其他的电容器连接于接地电位，第2螺旋状线圈的第2下侧端子连接于接地电位。
等离子体处理装置天线组件

[发明专利]等离子体处理装置-CN202110710451.4在审
发明人： 齐藤武尚;梅泽义弘;藤原直树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备的天线由导电性的材料形为线状，且隔着电介质窗设置于腔室的上方。天线通过向腔室内辐射RF电力来在腔室内生成等离子体。构成天线的线路的两端开放，从电力供给部向线路的中点附近供电，该天线在线路的中点附近被接地，该天线以从电力供给部供给的RF波电力的1/2波长进行谐振。天线的第一部分与电介质窗的下表面之间的距离、以及天线的第二部分与电介质窗的下表面的距离比天线的中间部分与电介质窗的下表面之间的距离长，第一部分是天线的从的第一端部起的第一距离的范围的部分，第二部分是天线的从第二端部起的第二距离的范围的部分，中间部分是天线的第一部分与第二部分之间的部分。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN201811138919.1在审
发明人：山泽阳平;齐藤武尚;宇田真代;豊田启吾;阿洛克·兰根;中岛俊希 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体处理装置，能够抑制异常放电并且细致地调整等离子体的密度的分布。等离子体处理装置(10)具备气体喷射部(41)和天线(54)。气体喷射部从腔室(11)的上部向腔室(1)内供给处理气体。天线具有内侧线圈(542)和外侧线圈(541)。内侧线圈设置在气体喷射部的周围。外侧线圈设置在气体喷射部和内侧线圈的周围。另外，构成外侧线圈的线路的两端开放，从高频电源(61)向该线路的中点或者该中点附近供电，外侧线圈在该中点的附近处接地，以从高频电源供给的高频电力的1/2波长进行谐振。另外，关于内侧线圈，构成内侧线圈的线路的两端经由电容器相互连接，内侧线圈与外侧线圈感应耦合。
气体喷射部等离子体处理装置高频电源线圈设置腔室天线等离子体电容器线圈感应耦合处理气体高频电力两端开放异常放电谐振接地波长供电